一篇了解透彻——半导体的物理名词
金刚石型结构
金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子周围都有4个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。
闪锌矿型结构
闪锌矿型结构的晶胞，它是由两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。
有效质量
粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。有效质量表达式为：
费米能级
费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。
准费米能级
统一的费米能级是热平衡状态的标志。当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。但是可以认为，分别就导带和价带中的电子讲，他们各自基本上处于平衡状态，导带与价带之间处于不平衡状态。因为费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍是适用的，可以引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的费米能级。称为“准费米能级”
费米面
将自由电子的能量E等于费米能级Ef的等能面称为费米面。
费米分布
大量电子在不同能量量子态上的统计分布。费米分布函数为：
施主能级
通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级，被子施主杂质束缚的电子能量状态称为施主能级。
受主能级
通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级，被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
禁带
能带结构中能态密度为零的能量区间。
价带
半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
导带
导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
简并半导体
对于重掺杂半导体，费米能级接近或进入导带或价带，导带/价带中的载流子浓度很高，泡利不相容原理起作用，电子和空穴分布不再满足玻耳兹曼分布，需要采用费米分布函数描述。称此类半导体为简并半导体。
非简并半导体
掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体 ; 半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体
施主杂质
V族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
受主杂质
Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负点中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。
替位式杂质
杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。
间隙式杂质
杂质原子位于晶格原子的间隙位置。
等电子杂质
当杂质的价电子数等于其所替代的主晶格原子的价电子数时，这种杂质称为等电子杂质
空穴
定义价带中空着的状态看成是带正电荷的粒子，称为空穴
意义 a 把价带中大量电子对电流的贡献仅用少量的空穴表达出来 b金属中仅有电子一种载流子，而半导体中有电子和空穴两种载流子，正是这两种载流子的相互作用，使得半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件
理想半导体（理想与非理想的区别）
a 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动
b 半导体材料并不是纯净的，而是含有各种杂质 即在晶格格点位置上存在着与组成半导体材料的元素不同其他化学元素的原子
c 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷
杂质补偿
在半导体中，施主和受主杂质之间有相互抵消的作用通常称为杂质的补偿作用
深能级杂质
非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带较远，他们产生的受主能级距离价带也较远，通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质
浅能级杂质
在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子（电子或空穴）的施主、受主杂质，它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。
迁移率
单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=qτ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。
空穴的牵引长度
表征空穴漂移运动的有效范围的参量就是空穴的牵引长度
点缺陷
是最简单的晶体缺陷，它是在 结点上 或 邻近的微观区域内 偏离晶体结构的正常排列 的一种缺陷。包括：间隙原子和空位是成对出现的弗仓克耳缺陷 和只在晶体内形成空位而无间隙原子的肖特基缺陷。
弗仑克耳缺陷
间隙原子和空穴成对出现导致的缺陷。
肖特基缺陷
只在晶体内形成空位而无间隙原子时的缺陷。
空穴
在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。
空位
在一定条件下，晶格原子不仅在其平衡位置附近振动，而且有一部分原子会获得足够的能量，脱离周围原子对他的束缚，挤入晶格原子间隙间成为间隙原子，原来的位置便成为空位
本征载流子
就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的。
非平衡载流子
半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。Δp=Δn
热载流子
热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子与晶格系统不再处于热平衡状态。温度是平均动能的量度，既然载流子的能量大于晶格系统的能量，人们便引入载流子的有效温度Te来描写这种与晶格系统不处于热平衡状态时的载流子，并称这种状态载流子为热载流子
束缚激子
等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子，称为束缚激子。
漂移运动
在外加电压时，导体或半导体内的载流子受电场力的作用，做定向运动。
扩散运动
当半导体内部的载流子存在浓度梯度时，引起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散运动是载流子的有规则运动。
状态密度
就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
直接复合
导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合
间接复合
导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
俄歇复合
载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量常以声子的形式放出，这种复合称为俄歇复合，显然这是一种非辐射复合。
陷阱中心
半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，这些能级具有收容部分非平衡载流子的作用，杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。
复合中心
半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级，对非平衡载流子的寿命有很大影响。杂质和缺陷越多，寿命越短，杂质和缺陷有促进复合的作用，把促进复合的杂质和缺陷称为复合中心。
等电子复合中心
在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺入一定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子和主原子之间电负性的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心，带电中心会吸引和被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。
爱因斯坦关系
对电子Dn/μn =k0T/q 对空穴Dp/μp =k0T/q它表明非简并情况下载流子的迁移率和扩散系数之间的关系。
陷阱效应
杂质能级积累非平衡载流子的作用就称为陷阱效应。
回旋共振
一些物质如半导体中的载流子在一定的恒定磁场和高频磁场同时作用下会发生抗磁共振。
砷化镓负阻效应
当电场达到一定値时，能谷1中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到能谷2，发生能谷间的散射，电子的动量有较大的改变，伴随吸收或发射一个声子。但是，这两个能谷不是完全相同的，进入能谷2的电子，有效质量大为增加，迁移率大大降低，平均漂移速度减小，电导率下降，产生负阻效应
耿氏效应
在半导体本体内产生高频电流的现象称为耿氏效应
扩散长度
扩散长度是表征载流子扩散有效范围的一个物理量，它等于扩散系数乘以寿命的平方根。
势垒电容
在外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这就是有一部分电子和空穴从势垒区“取出”。对于加反向偏压的情况类似。总之，pn结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结的电容效应称为势垒电容
扩散电容
正向偏压时，有空穴从p区注入n区，于是在势垒区与n区边界n区一侧一个扩散长度内，便形成了非平衡空穴和电子的积累，同样在p区也有非平衡电子和空穴的积累。当正向偏压增加时，由p区注入到n区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了。所以外加电压变化时，n区扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。同样，p区扩散区内积累的非平衡电子和与它保持电中性的空穴也要增加。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为pn结的扩散电容
pn结隧道效应
在简并化的重掺杂半导体中，n型半导体的费米能级进入了导带，p型半导体的费米能级进入了价带。在重掺杂情况下，杂质浓度大，势垒区很薄，由于量子力学的隧道效应，n区导带的电子可能穿过禁带到p区价带，p区价带电子也可能穿过禁带到n区导带，从而有可能产生隧道电流。
耗尽层近似
当势垒高度远大于koT时，势垒区可近似为一个耗尽层。在耗尽层中，载流子极为稀少，他们对空间电荷的贡献可以忽略；杂质全部电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。
肖特基势垒二极管
利用金属-半导体整流接触效应特性制成的二极管称为肖特基势垒二极管，它和pn结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性，但前者又又区别于后者的以下显著特点 a 就载流子的运动形式而言，pn结正向导通时，由p区注入n区的空穴或由n区注入p区的电子，都是少数载流子，他们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。这种注入的非平衡载流子的积累称为电荷贮存效应，它严重地影响了pn结的高频性能。而肖特基势垒二极管的正向电流，主要是由半导体的多数载流子进入金属形成的。它是多数载流子器件。因此，肖特基势垒二极管比pn结二极管有更好的高频特性 b 对于相同的高度，肖特基势垒二极管的Jsd或Jst要比pn结的反向饱和电流Js大得多。
欧姆接触
金属与半导体接触时还可以形成非整流接触，即欧姆接触，它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变（半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触
理想MIS结构
a 金属与半导体间功函数差为零
b 在绝缘层中没有任何电荷且绝缘层完全不导电
c 绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态
深耗尽状态
在金属和半导体之间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压时，由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率跟不上电压的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导体深处而产生大量受主负电荷以满足电中性条件。因此，这种情况时，耗尽层的宽度很大，可远大于强反型的最大耗尽层宽度，且其宽度随电压幅度的增大而增大，这种状态称为深耗尽状态
Si-SiO2系统各种电荷
a 二氧化硅层中的可动离子。主要是带正电的钠离子，还有钾、氢等正离子
b 二氧化硅层中的固定电荷
c 二氧化硅层中的电离陷阱电荷。是由于各种辐射如X射线、γ射线、电子射线等引起
异质结
有两种不同的半导体单晶材料可超过组成的结，则称为异质结
异质结的特点
a 能带发生了弯曲，出现“尖峰”和“凹口”
b 能带在交界面处不连续，有一个突变
异质pn结的超注入现象
指在异质pn结中有宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度宽带半导体中多数载流子浓度
间接带隙半导体
导带极小值和价带极大值没有对应于相同的波矢，例如像锗、硅一类半导体，价带顶位于K空间原点，而导带低则不在k空间原点，这种半导体称为间接带隙半导体
非竖直（直接）跃迁
在非竖直（直接）跃迁中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动能量，即吸收或放出一个声子
光电探测器件工作原理及用途
有光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。大量实验证明，半导体光电导的强弱与照射波长有密切的关系，所谓光电导的光谱分析，就是指对应于不同的波长，光电导响应灵敏度的变化关系。因此，可以通过测量光电导的光谱分布来确定半导体材料光电导特性，根据这一原理可制成光电探测器。用途：PbS、PbSe和PbTe是重要的红外探测器材料，CdS除了对可见光有响应外，还可有效地用于短波方面，知道x光短波
半导体太阳电池的基本原理
当用适当波长的光照射非均匀半导体（pn结等）时，由于内建电场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压），如将pn结短路，则出现电流。这种由内建电场引起的光电效应，称为光生伏特效应。根据这一原理可制成太阳能电池，将太阳辐射能直接转变为电能
光电池（光电二极管）的基本原理
当用适当波长的光照射pn结时，由于pn结势垒区内存在较强的内建电场，结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相反的方向运动，pn结两端产生光生电动势，如将pn结与外电路接通，只要光照不停止，就会有渊源不断的电流过电路，pn结起到了电源的作用
半导体发光器件的基本原理
半导体的电子可以吸收一定能量的光子而被激发。同样，处于激发态的电子也可以向较低的能级跃迁，以光辐射的形式释放出能量，也就是电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这就是半导体的发光现象。（产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态，即在半导体内需要有某种激发过程存在，通过与非平衡载流子的复合，才能形成发光
半导体激光器件的基本原理
处在激发态E2的原子数大于处在激发态E1的原子数，则在光子流hν12照射下，受激辐射将超过吸收过程。这样由系统发射的能量为hν12将大于进入系统的同样能量的光子数，这钟现象称为光量子放大。通常把处于激发态E2（高能级）的原子数大于处在激发态E1（低能级）的原子数的这种反常情况，称为“分布反转”或“粒子数反转”。激光的发射，必须满足 a 形成分布反转，使受激辐射占优势 b 具有共振腔，以实现光量子放大 c 至少达到阈值电流密度，使增益至少等于损耗
半导体霍尔器件的基本原理
把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿X方向，磁场方向和电场垂直，沿z方向，则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场，这个现象称为霍尔效应。利用霍尔效应制成的电子器件称为霍尔器件
二维电子气
MOS反型层中的电子被局限在很窄的势阱中运动，所以反型层中的电子沿垂直于界面的z方向的运动是量子化的，形成一系列分立能级E0，E1，…，Ej…。在xy平面内，即沿着界面方向能量仍是准连续的。称这样的电子系统为二维电子气
半导体压阻器件的基本原理
对半导体施加应力时，半导体的电阻率要发生改变，这种现象称为压阻效应。应用:半导体应变计、压敏二极管、压敏晶体管等
a 利用半导体电阻随应力变化的这一现象可以制成半导体应变计
b pn结伏安特性随压力变化很大，利用他的这一压敏特性可以制成压敏二极管和压敏三极管
非晶态半导体
原子排列不具有周期性，即不具有长程有序的半导体称为非晶态半导体
半导体热电效应应用
温差发电器制冷器原理P373
判断半导体的导电类型
热探针法
当温度增加时，载流子浓度和速度都增加，它们由热端扩散到冷端，如果载流子是空穴，则热端缺少空穴，冷端有过剩空穴，冷端电势较高，形成由冷端指向热端的电场；如果载流子是电子，则热端缺少电子，冷端有过剩电子，热端电势较高，形成由热端指向冷端的电场。所以，由半导体的温差电动势的正负，可以判断半导体的导电类型
霍尔效应法
n型和p型半导体的霍尔系数符号相反，也即霍尔电压Vh的正负相反，所以，从霍尔电压Vh的正负可以判断半导体的导电类型
常用半导体中英对照表（建议收藏）
作为一个源自国外的技术，半导体产业涉及许多英文术语。加之从业者很多都有海外经历或习惯于用英文表达相关技术和工艺节点，这就导致许多英文术语翻译成中文后，仍有不少人照应不上或不知如何翻译。为此，我们整理了一些常用的半导体术语的中英文对照表，希望对大家有所帮助。如有出错之处，请不吝指正。
常用半导体中英对照表
离子注入机 ion implanter
LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect
射程分布 range distribution
深度分布 depth distribution
投影射程 projected range
阻止距离 stopping distance
阻止本领 stopping power
标准阻止截面 standard stopping cross section
退火 annealing
激活能 activation energy
等温退火 isothermal annealing
激光退火 laser annealing
应力感生缺陷 stress-induced defect
择优取向 preferred orientation
制版工艺 mask-making technology
图形畸变 pattern distortion
初缩 first minification
精缩 final minification
母版 master mask
铬版 chromium plate
干版 dry plate
乳胶版 emulsion plate
透明版 see-through plate
高分辨率版 high resolution plate, HRP
超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization
掩模 mask
掩模对准 mask alignment
对准精度 alignment precision
光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist
正性光刻胶 positive photoresist
无机光刻胶 inorganic resist
多层光刻胶 multilevel resist
电子束光刻胶 electron beam resist
X射线光刻胶 X-ray resist
刷洗 scrubbing
甩胶 spinning
涂胶 photoresist coating
后烘 postbaking
光刻 photolithography
X射线光刻 X-ray lithography
电子束光刻 electron beam lithography
离子束光刻 ion beam lithography
深紫外光刻 deep-UV lithography
光刻机 mask aligner
投影光刻机 projection mask aligner
曝光 exposure
接触式曝光法 contact exposure method
接近式曝光法 proximity exposure method
光学投影曝光法 optical projection exposure method
电子束曝光系统 electron beam exposure system
分步重复系统 step-and-repeat system
显影 development
线宽 linewidth
去胶 stripping of photoresist
氧化去胶 removing of photoresist by oxidation
等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma
刻蚀 etching
干法刻蚀 dry etching
反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE
各向同性刻蚀 isotropic etching
各向异性刻蚀 anisotropic etching
反应溅射刻蚀 reactive sputter etching
离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。
等离子［体］刻蚀 plasma etching
钻蚀 undercutting
剥离技术 lift-off technology，又称“浮脱工艺”。
终点监测 endpoint monitoring
金属化 metallization
互连 interconnection
多层金属化 multilevel metallization
电迁徙 electromigration
回流 reflow
磷硅玻璃 phosphorosilicate glass
硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass
钝化工艺 passivation technology
多层介质钝化 multilayer dielectric passivation
划片 scribing
电子束切片 electron beam slicing
烧结 sintering
印压 indentation
热压焊 thermocompression bonding
热超声焊 thermosonic bonding
冷焊 cold welding
点焊 spot welding
球焊 ball bonding
楔焊 wedge bonding
内引线焊接 inner lead bonding
外引线焊接 outer lead bonding
梁式引线 beam lead
装架工艺 mounting technology
附着 adhesion
封装 packaging
金属封装 metallic packaging
陶瓷封装 ceramic packaging
扁平封装 flat packaging
塑封 plastic package
玻璃封装 glass packaging
微封装 micropackaging，又称“微组装”。
管壳 package
管芯 die
引线键合 lead bonding
引线框式键合 lead frame bonding
带式自动键合 tape automated bonding, TAB
激光键合 laser bonding
超声键合 ultrasonic bonding
红外键合 infrared bonding
EDA365电子论坛
微电子辞典大集合
（按首字母顺序排序）
A
Abrupt junction 突变结
Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主
Acceptor atom 受主原子
Accumulation 积累、堆积
Accumulating contact 积累接触
Accumulation region 积累区
Accumulation layer 积累层
Active region 有源区
Active component 有源元
Active device 有源器件
Activation 激活
Activation energy 激活能
Active region 有源（放大）区
Admittance 导纳
Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件
Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物
Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的
Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的
Amplifier 功放 扩音器 放大器
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器
Angstrom 埃
Anneal 退火
Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极
Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇
Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩
Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发
B
Background carrier 本底载流子
Background doping 本底掺杂
Backward 反向
Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻
Ball bond 球形键合
Band 能带
Band gap 能带间隙
Barrier 势垒
Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度
Base 基极
Base contact 基区接触
Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间
Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制
Basis vector 基矢
Bias 偏置
Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码
Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
Bipolar 双极性的
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫
Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触
Body - centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构
Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合
Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点
Bootstrap circuit 自举电路
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器
Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃
Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子
Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿
Break over 转折
Brillouin 布里渊
Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的
Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内
Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生
Bulk recombination 体复合
Burn - in 老化
Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟
Buried diffusion region 隐埋扩散区
C
Can 外壳
Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面
Capture carrier 俘获载流子
Carrier 载流子、载波
Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入
Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联
Case 管壳
Cathode 阴极
Center 中心
Ceramic 陶瓷（的）
Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿
Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂
Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度
Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电
Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒
Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法
Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光
Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率
Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管
Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率
Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器
Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益
Collector 集电极
Collision 碰撞
Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益
Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
Compatibility 兼容性
Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质
Compensated semiconductor 补偿半导体
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造
Compound Semiconductor 化合物半导体
Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底)
Conduction level/state 导带态
Conductor 导体
Conductivity 电导率
Configuration 组态
Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态
Constants 物理常数
Constant energy surface 等能面
Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触
Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程
Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势
Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂
Controlled 受控的
Converter 转换器
Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合
Covalent 共阶的
Crossover 跨交
Critical 临界的
Crossunder 穿交
Crucible坩埚
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度
Curvature 曲率
Cut off 截止
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
Current Sense 电流取样
Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路
Cylindrical 柱面的
Czochralshicrystal 直立单晶
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
D
Dangling bonds 悬挂键
Dark current 暗电流
Dead time 空载时间
Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意
Decderate 减速
Decibel (dB) 分贝
Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级
Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级
Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体
Degeneracy 简并度
Degradation 退化
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
Delay 延迟 Density 密度
Density of states 态密度
Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似
Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度
Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层
Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区
Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺
Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice）
Diode 二极管
Dielectric 介电的
Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入
Differential amplifier 差分放大器
Differential capacitance 微分电容
Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散
Diffusion coefficient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数
Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
Digital circuit 数字电路
Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层
Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体
Direct transition 直接跃迁
Discharge 放电
Discrete component 分立元件
Dissipation 耗散
Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容
Distributed model 分布模型
Displacement 位移
Dislocation 位错
Domain 畴 Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽
Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体
Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
Drift 漂移
Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率
Dry etching 干法腐蚀
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化
Dose 剂量
Duty cycle 工作周期
Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装
Dynamics 动态
Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗
E
Early effect 厄利效应
Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量
Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
Electrode 电极
Electrominggratim 电迁移
Electron affinity 电子亲和势
Electronic -grade 电子能
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气
Electron-grade water 电子级纯水
Electron trapping center 电子俘获中心
Electron Volt (eV) 电子伏
Electrostatic 静电的
Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体
Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球
Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑
Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器
Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试
Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图
Enhancement mode 增强型模式
Enhancement MOS 增强性
MOS Entefic (低)共溶的
Environmental test 环境测试
Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层
Epitaxial slice 外延片
Expitaxy 外延
Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器
Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀
Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模
Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能
Excited state 激发态
Exciton 激子
Extrapolation 外推法
Extrinsic 非本征的
Extrinsic semiconductor 杂质半导体
F
Face - centered 面心立方
Fall time 下降时间
Fan-in 扇入
Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复
Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈
Fermi level 费米能级
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布
Femi potential 费米势
Fick equation 菲克方程（扩散）
Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层
Filled band 满带
Film 薄膜
Flash memory 闪烁存储器
Flat band 平带
Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声
Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅
Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带
Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声
Frequency response 频率响应
Function 函数
G
Gain 增益
Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
Gamy ray r 射线
Gate 门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层
Gauss（ian） 高斯
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布
Generation-recombination 产生-复合
Geometries 几何尺寸
Germanium(Ge) 锗
Graded 缓变的
Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结
Grain 晶粒
Gradient 梯度
Grown junction 生长结
Guard ring 保护环
Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
Gunn - effect 狄氏效应
H
Hardened device 辐射加固器件
Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉
Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
Heavy saturation 重掺杂
Hell - effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结
Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
High field property 高场特性
High-performance MOS.( H-MOS)高性能
MOS. Hormalized 归一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器
Hot carrior 热载流子
Hybrid integration 混合集成
I
Image - force 镜象力
Impact ionization 碰撞电离
Impedance 阻抗
Imperfect structure 不完整结构
Implantation dose 注入剂量
Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质
Impurity scattering 杂志散射
Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）
In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物
Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的
Injection 注入
Input offset voltage 输入失调电压
Insulator 绝缘体
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET
Integrated injection logic集成注入逻辑
Integration 集成、积分
Interconnection 互连
Interconnection time delay 互连延时
Interdigitated structure 交互式结构
Interface 界面
Interference 干涉
International system of unions国际单位制
Internally scattering 谷间散射
Interpolation 内插法
Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体
Inverse operation 反向工作
Inversion 反型
Inverter 倒相器
Ion 离子
Ion beam 离子束
Ion etching 离子刻蚀
Ion implantation 离子注入
Ionization 电离
Ionization energy 电离能
Irradiation 辐照
Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性
J
Junction FET(JFET) 结型场效应管
Junction isolation 结隔离
Junction spacing 结间距
Junction side-wall 结侧壁
L
Latch up 闭锁
Lateral 横向的
Lattice 晶格
Layout 版图
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流
Level shifting 电平移动
Life time 寿命
linearity 线性度
Linked bond 共价键
Liquid Nitrogen 液氮
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻
Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
Load line or Variable 负载线
Locating and Wiring 布局布线
Longitudinal 纵向的
Logic swing 逻辑摆幅
Lorentz 洛沦兹
Lumped model 集总模型
M
Majority carrier 多数载流子
Mask 掩膜板，光刻板
Mask level 掩模序号
Mask set 掩模组
Mass - action law质量守恒定律
Master-slave D flip-flop主从D触发器
Matching 匹配
Maxwell 麦克斯韦
Mean free path 平均自由程
Meandered emitter junction梳状发射极结
Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
Megeto - resistance 磁阻
Mesa 台面
MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
Metallization 金属化
Microelectronic technique 微电子技术
Microelectronics 微电子学
Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子
Misfit 失配
Mismatching 失配
Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率
Module 模块
Modulate 调制
Molecular crystal分子晶体
Monolithic IC 单片IC
MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管
Multiplication 倍增
Modulator 调制
Multi-chip IC 多芯片IC
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块
Multiplication coefficient倍增因子
N
Naked chip 未封装的芯片（裸片）
Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻
Nesting 套刻
Negative-temperature-coefficient 负温度系数
Noise margin 噪声容限
Nonequilibrium 非平衡
Nonrolatile 非挥发（易失）性
Normally off/on 常闭/开
Numerical analysis 数值分析
O
Occupied band 满带
Officienay 功率
Offset 偏移、失调
On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触
Open circuit 开路
Operating point 工作点
Operating bias 工作偏置
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
Optical photon =photon 光子
Optical quenching光猝灭
Optical transition 光跃迁
Optical-coupled isolator光耦合隔离器
Organic semiconductor有机半导体
Orientation 晶向、定向
Outline 外形
Out-of-contact mask非接触式掩模
Output characteristic 输出特性
Output voltage swing 输出电压摆幅
Overcompensation 过补偿
Over-current protection 过流保护
Over shoot 过冲
Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭
Overload 过载
Oscillator 振荡器
Oxide 氧化物
Oxidation 氧化
Oxide passivation 氧化层钝化
P
Package 封装
Pad 压焊点
Parameter 参数
Parasitic effect 寄生效应
Parasitic oscillation 寄生振荡
Passination 钝化
Passive component 无源元件
Passive device 无源器件
Passive surface 钝化界面
Parasitic transistor 寄生晶体管
Peak-point voltage 峰点电压
Peak voltage 峰值电压
Permanent-storage circuit 永久存储电路
Period 周期
Periodic table 周期表
Permeable - base 可渗透基区
Phase-lock loop 锁相环
Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导
Photo diode 光电二极管
Photoelectric cell 光电池
Photoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件
Photolithographic process 光刻工艺
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂
Pin 管脚
Pinch off 夹断
Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）
Planar process 平面工艺
Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体
Plezoelectric effect 压电效应
Poisson equation 泊松方程
Point contact 点接触
Polarity 极性
Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor聚合物半导体
Poly-silicon 多晶硅
Potential (电)势
Potential barrier 势垒
Potential well 势阱
Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管
Preamplifier 前置放大器
Primary flat 主平面
Principal axes 主轴
Print-circuit board(PCB) 印制电路板
Probability 几率
Probe 探针
Process 工艺
Propagation delay 传输延时
Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通
Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制
Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
Punchthrough 穿通
Push-pull stage 推挽级
Q
Quality factor 品质因子
Quantization 量子化
Quantum 量子
Quantum efficiency量子效应
Quantum mechanics 量子力学
Quasi – Fermi－level准费米能级
Quartz 石英
R
Radiation conductivity 辐射电导率
Radiation damage 辐射损伤
Radiation flux density 辐射通量密度
Radiation hardening 辐射加固
Radiation protection 辐射保护
Radiative - recombination辐照复合
Radioactive 放射性
Reach through 穿通
Reactive sputtering source 反应溅射源
Read diode 里德二极管
Recombination 复合
Recovery diode 恢复二极管
Reciprocal lattice 倒核子
Recovery time 恢复时间
Rectifier 整流器（管）
Rectifying contact 整流接触
Reference 基准点 基准 参考点
Refractive index 折射率
Register 寄存器
Registration 对准
Regulate 控制 调整
Relaxation lifetime 驰豫时间
Reliability 可靠性
Resonance 谐振
Resistance 电阻
Resistor 电阻器
Resistivity 电阻率
Regulator 稳压管（器）
Relaxation 驰豫
Resonant frequency共射频率
Response time 响应时间
Reverse 反向的
Reverse bias 反向偏置
S
Sampling circuit 取样电路
Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
Satellite valley 卫星谷
Saturated current range电流饱和区
Saturation region 饱和区
Saturation 饱和的
Scaled down 按比例缩小
Scattering 散射
Schockley diode 肖克莱二极管
Schottky 肖特基
Schottky barrier 肖特基势垒
Schottky contact 肖特基接触
Schrodingen 薛定厄
Scribing grid 划片格
Secondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶
Segregation 分凝
Selectivity 选择性
Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散
Semiconductor 半导体
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅
Sendsitivity 灵敏度
Serial 串行/串联
Series inductance 串联电感
Settle time 建立时间
Sheet resistance 薄层电阻
Shield 屏蔽
Short circuit 短路
Shot noise 散粒噪声
Shunt 分流
Sidewall capacitance边墙电容
Signal 信号
Silica glass 石英玻璃
Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅
Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅
Silicon On Insulator 绝缘硅
Siliver whiskers 银须
Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶
Sink 沉
Skin effect 趋肤效应
Snap time 急变时间
Sneak path 潜行通路
Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池
Solid circuit 固体电路
Solid Solubility 固溶度
Sonband 子带
Source 源极
Source follower 源随器
Space charge 空间电荷
Specific heat(PT) 热
Speed-power product 速度功耗乘积
Spherical 球面的
Spin 自旋 Split 分裂
Spontaneous emission 自发发射
Spreading resistance扩展电阻
Sputter 溅射
Stacking fault 层错
Static characteristic 静态特性
Stimulated emission 受激发射
Stimulated recombination 受激复合
Storage time 存储时间
Stress 应力
Straggle 偏差
Sublimation 升华
Substrate 衬底
Substitutional 替位式的
Superlattice 超晶格
Supply 电源
Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力
Subscript 下标
Switching time 开关时间
Switch 开关
T
Tailing 扩展
Terminal 终端
Tensor 张量 Tensorial 张量的
Thermal activation 热激发
Thermal conductivity 热导率
Thermal equilibrium 热平衡
Thermal Oxidation 热氧化
Thermal resistance 热阻
Thermal sink 热沉
Thermal velocity 热运动
Thermoelectricpovoer 温差电动势率
Thick-film technique 厚膜技术
Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体
Threshlod 阈值
Thyistor 晶闸管
Transconductance 跨导
Transfer characteristic 转移特性
Transfer electron 转移电子
Transfer function 传输函数
Transient 瞬态的
Transistor aging(stress) 晶体管老化
Transit time 渡越时间
Transition 跃迁
Transition-metal silica 过度金属硅化物
Transition probability 跃迁几率
Transition region 过渡区
Transport 输运 Transverse 横向的
Trap 陷阱 Trapping 俘获
Trapped charge 陷阱电荷
Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电
Trigger 触发
Trim 调配 调整
Triple diffusion 三重扩散
Truth table 真值表
Tolerahce 容差
Tunnel(ing) 隧道（穿）
Tunnel current 隧道电流
Turn over 转折
Turn - off time 关断时间
U
Ultraviolet 紫外的
Unijunction 单结的
Unipolar 单极的
Unit cell 原（元）胞
Unity-gain frequency 单位增益频率
Unilateral-switch单向开关
V
Vacancy 空位
Vacuum 真空
Valence(value) band 价带
Value band edge 价带顶
Valence bond 价键
Vapour phase 汽相
Varactor 变容管
Varistor 变阻器
Vibration 振动
Voltage 电压
W
Wafer 晶片
Wave equation 波动方程
Wave guide 波导
Wave number 波数
Wave-particle duality 波粒二相性
Wear-out 烧毁
Wire routing 布线
Work function 功函数
Worst-case device 最坏情况器件
Y
Yield 成品率
Z
Zener breakdown 齐纳击穿
Zone melting 区熔法
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