新一轮交锋打响！中荷已谈崩，半导体领域告急，250亿成破局关键
该来的还是来了，荷兰最终还是决定跟随美国对中国展开制裁，光刻机领域迎来危机。关键时刻，中国表明立场，怒砸250亿美元破局，美西方搬起石头砸自己的脚。美荷两国的制裁力度有多强大？中国又是如何破局的呢？
据媒体6日报道，荷兰政府宣布扩大对光刻机的管制范围，虽然没有明确针对哪个国家，但联系到美国近期的举动，显然是直奔中国而来。本月初，拜登政府对荷兰施压，要求荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）停止对中国购买光刻机的维护和维修服务。虽然荷兰对美国的施压手段十分抗拒，但荷兰首相迪克·斯霍夫还是选择了妥协，并向美国提出一个条件，即荷方会配合美国的制裁，但要优先保障ASML的利益。
得到荷兰政府的确认后，9月5日，美国商务部再次发布了一项新的遏华措施，要求对全球范围内计算机和制造先进半导体设备等特定型号产品展开出口管制，并且必须向美国通报所有从事量子计算机开发的外籍人员信息。美国给出的理由是，半导体技术正不断作用于军事领域，有必要提升监管力度，确保这些技术不会用于违反美国“国家安全”。显然，此举又是美国泛用“国家安全”的典型事例，最终目的不过是完整自己对他国的打压制裁。所以说，美荷之间的“互动”，摆明了就是针对中国。
事实上，早在荷兰政府宣布制裁之前，中荷两国就进行过多次协商，但荷兰依旧铁了心的要跟随美国脚步，只为了保障自身利益，那么我国也没必要再客气了。
9月8日当天，我国外交部明确对荷兰的做法表示不满，并直接点名幕后黑手的美国泛用“国家安全”的改变，威逼利诱其他国家跟随美国脚步对半导体技术和设备进行出口管制，这不仅违反了WTO的贸易规则，也让全球半导体产业链陷入不稳定环境，对此中国表示强烈反对。
当然了，“外交抗议一百次不如让轰炸机的翅膀扇动一次”，我国也坚持这一原则，在管制出口和经济收益两方面进行对等反制。
在管制出口方面，我国此前就已经做出反制措施，其中最让美西方头疼的就是限制稀土、镓和锗等半导体生产的核心原材料的出口。中国是全球唯一拥有稀土完整产业链的国家，这是任何国家都无法比拟和取代的优势；同时中国还是全球镓、锗年产量的最大出口国，分别占比98%、60％，在我国宣布制裁后，美国五角大楼都承认，自身缺乏相应的库存，中国的制裁或将让美国半导体和军工产能陷入困境。
除了这些，我国还在石墨、无人机、金属锑等方面发起制裁，荷兰如果坚持配合美国让中国境内1400余台光刻机成为“废铁”，那么中国就让它们连芯片、导弹和战机统统无法生产，看看是谁先坚持不住。
在经济收益方面，美国的制裁让ASML的处境更加艰难。为什么荷兰首相会罕见向美国提条件，要优先保障ASML的利益？是因为中国市场对这家公司太重要的。
诚然，ASML是全球最顶尖的光刻机公司，但再好的东西也得有人消费才能体现出来价值。过去因为美国的威胁，ASML无法对中国出口高精尖的光刻机设备，但中国需求体量太庞大，仅仅是中低端的光刻机设备我国就购入了1400余台，再加上后期的维护和维修费用，已经赚的盆满钵满。
现在美国制裁荷兰要求其不能提供维护和维修服务，这已经违反了中荷之间签署的购买协议，再加上设备出口的管制，让ASML的收益直线下降。根据该公司第二季度的财报显示，中国市场占该公司销售额的49%，而这仅仅是7月份之前的数据。随着光刻机管制出口，市场销售额下跌是必然的，届时美国、日本、韩国等企业就能够反向抢占ASML空缺出来的市场份额，让跟随美国制裁的荷兰成为“冤大头”。
事实上，荷兰内部高层的反应也非常激烈，部分议员对荷兰政府的做法非常不满，在他们看来，荷兰本身就是小国家，应该致力于发展自身经济，就算和美国是盟国，也不应该无视自身利益无底线站队，ASML的处境糟糕将直接影响荷兰政府的核心利益。
与此同时，ASML的前首席执行官也呼吁，现在过度对中国设限很可能成为中方走上自研道路的最大推力，届时ASML失去的就不是短期的利益，而是永久的中国市场。事实也的确如此，2024年上半，我国累计对半导体领域注资250亿美元，全面投资预期超过500亿美元，旨在推动中国本土半导体产业的技术革新，打破西方“卡脖子”的难题，推动产业本土化从而破局。
AML的现任首席执行官克里斯托夫也暗示称，美方以“国家安全”对中国进行出口限制，经济动机已经超过了政治目的。换言之，美国对中国发起制裁的最大目的，是让盟友当炮灰，引发中国怒火被削弱市场份额后，美国能够趁机抢占市场，从而获得大量的经济收益。如果这种猜测被确定为真，那么美国之后想要拉拢盟友遏制中国恐怕没有那么简单了。
珠海镓未来科技取得半导体功率器件专利，改进绝缘区域的介质材料
金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利，授权公告号 CN 221783215 U，申请日期为 2024 年 2 月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及介质叠层，在介质叠层两侧设有源极和漏极，源极和漏极分别穿过介质叠层且与势垒层欧姆接触，在源极和漏极之间的介质叠层内设有栅极和与栅极连接的栅极场板，栅极的下表面与钝化层接触，栅极场板与所述介质叠层之间设有界面阻隔层。本实用新型通过将界面阻隔层提前覆盖到栅场板与功能绝缘层/介质叠层接触的位置，这样，与场板底部接触的绝缘区域，由原来包含多层受到工艺损伤的低质量材料边界面，改进为单一高质量介质材料。
本文源自金融界
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