斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
金融界2024年5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种具有银浆烧结层的功率模块，包括，基板；金属化陶瓷衬底，设于基板上，金属化陶瓷衬底和基板之间设有锡锑焊片；银浆层，设于金属化陶瓷衬底上；半导体芯片和电阻，设于银浆层上；连接端子，设于金属化陶瓷衬底上，连接端子、半导体芯片和电阻之间通过键合线电连接。本实用新型通过使用银浆烧结的方式将碳化硅材质的芯片进行焊接在金属化陶瓷衬底上，增加功率半导体模块使用的稳定性，增强功率半导体模块的使用寿命，可适用于各种更加极端的环境。
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深圳基本半导体申请一种大功率的功率模块电路专利，降低功率模块的热阻，提高转换效率
金融界 2024 年 8 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，深圳基本半导体有限公司申请一项名为“一种大功率的功率模块电路“，公开号 CN202410605256.9，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种大功率的功率模块电路，包括依次层叠设置的导热覆铜层、中间绝缘电路层和铜箔电路层；所述铜箔电路层包括功率芯片设置区、若干第一栅极辅助电路区和若干第一源极辅助电路区；所述功率芯片设置区设有若干芯片覆铜区，所述第一栅极辅助电路区和所述第一源极辅助电路区内嵌在所述芯片覆铜区内部，所述第一栅极辅助电路区和所述第一源极辅助电路区组合形成“I”形，将所述功率芯片区分割成带有“F”形区域的结构。通过将所述功率芯片区分割成带有“F”形区域的结构解决了功率模块内部热阻较高使得其转化效率低下，进而导致无法提升性能的问题，达到了降低功率模块的热阻，提高转换效率。
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