佛山市国星半导体技术有限公司申请 LED 芯片分选方法和系统专利，可对同一晶圆上不同等级 LED 芯片实现不同间距分选
金融界 2024 年 9 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“LED 芯片分选方法和系统”的专利，公开号 CN 118681816 A，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 LED 芯片分选方法和系统，涉及发光二极管技术领域。其中，LED 芯片的分选方法包括：提供晶圆和多个转移载体，所述晶圆包括多个分割后的 LED 芯片；测试所述 LED 芯片，并根据测试信息将所述 LED 芯片分级；将 LED 芯片转移到转移载体上，其中，相同等级的 LED 芯片转移到同一转移载体上，不同等级的 LED 芯片转移到不同转移载体上；转移后不同转移载体上的 LED 芯片之间的间距不同。实施本发明，可对同一晶圆上的不同等级的 LED 芯片实现不同间距的分选，可更好地满足后续的生产要求。
本文源自金融界
佛山市国星半导体技术取得一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法专利，芯片翘曲度低，良率和稳定性高
金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司取得一项名为“一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法“，授权公告号 CN109755365B，申请日期为 2019 年 1 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种垂直结构 LED 芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。相应地，本发明还提供了一种垂直结构 LED 芯片的制作方法。
本文源自金融界
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