toshiba半导体 东芝新12英寸功率半导体厂完工,MOSFET和IGBT产能将提升25倍

小编 2024-10-09 设计资源 23 0

东芝新12英寸功率半导体厂完工,MOSFET和IGBT产能将提升25倍

日本东芝电子元件及存储装置株式会社(TOSHIBA)于5月23日正式宣布,旗下的12英寸功率半导体制造工厂和写字楼完工。

东芝在新闻稿中表示,该12英寸晶圆厂现阶段正在进行安装相关设备,力拼能在2024财年的下半年开始量产。一旦工程完工进入全面量产阶段,以MOSFET和IGBT为主的东芝功率半导体产能,预计将达到2021财年产能的2.5倍规模。至于该晶圆厂第二期工程建设和开始运营时程,则将根据市场情况再进一步进行决定。

东芝表示,该新晶圆厂具有吸收地震冲击的隔震结构和电源供应功能,将遵循东芝的业务连续性计划(BCP),并将为东芝的业务连续性计划做出重大贡献。而在整体工厂投入量产之后,通过可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源,将可以让该设施能够通过可再生能源满足100%的电力要求。

编辑:芯智讯-林子

中国机会|东芝:中国功率半导体需求持续增长,市场潜力最大

“东芝已连续六年参加这一全球经贸盛会。我们深刻感受到进博会的影响力越来越大,东芝对中国市场的活力和韧性充满信心。”11月5日第六届进博会开幕首日,东芝(中国)有限公司董事长兼总裁八木隆雄对澎湃新闻说道。

八木隆雄表示,正式出任上述职务四个多月以来,他在密集访问东芝在华工厂和拜会中国客户的过程中更直观地感受到中国市场规模之大、发展速度之快。“我个人尤其关注三大趋势,中国可再生能源领域的高速增长、智能制造的雄厚实力及老龄化趋势下对医疗健康的需求变化。”

为此,东芝将与上述商机息息相关的产品搬上第六届进博会,包括可实现远距离传输或海底传输可再生能源电力的柔性直流输电系统HVDC、大功率器件IEGT、新一代碳化硅(SiC)功率器件、SCiB™锂离子电池,面向生产现场的AI图像检测技术,重离子癌症放射治疗系统等等。

功率半导体是工业控制及自动化领域的核心元器件,相当于电力电子行业的CPU。按照电压等级不同,低压、中压和高压IGBT广泛应用于消费电子、新能源汽车、可再生能源发电、轨交及电网等领域。这些晶体管就像设备中的开关一样,允许电流在“开”状态下流动并在“关”状态下停止。

作为全球功率半导体的主要供应商,东芝看好中国该领域的增长潜力,“市场规模绝对是最大的。”

“从全球来看,东芝在功率半导体器件方面拥有很高的市场份额。”八木隆雄向澎湃新闻介绍,东芝在车载半导体领域的产品线全面,面对不断扩大的市场需求,其12英寸(300毫米)晶圆生产线已投入运行。在工业领域,能够提供6500伏的IEGT产品、3.3千伏的SiC产品及低耐压MOSFET等。“今后在中国,不光是可再生能源方面的需求,整体对于半导体的需求会有非常大的增长,我们会在功率半导体器件上持续发力,以扩大在中国市场的影响力。”

自1972年进入中国市场以来,东芝在中国的发展已有50余年。近几年来,东芝的重组进展备受外界关注。今年9月,东芝宣布以日本国内基金“日本产业合作伙伴”(JIP)为主的财团完成对其要约收购,这为东芝私有化退市扫清了障碍。

八木隆雄就此向澎湃新闻回应称,具体的退市时间还需与JIP进一步协商后才能决定。去年6月,东芝曾宣布以能源、基础设施、电子元器件为核心的未来发展战略。“目前仍在围绕这一战略目标推进,这些调整对中国业务不会产生特别大的影响。”

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