半导体电路 半导体,集成电路,芯片到底是什么?它们有什么联系和区别呢?

小编 2024-10-10 设计资源 23 0

半导体、集成电路、芯片到底是什么?它们有什么联系和区别呢?

日常生活中常常听到半导体、芯片、集成电路,但是你一定不清楚它们到底有什么区别和联系。

定义

半导体:顾名思义,在常温下导电性既不像导体那样导电性很好,也不像绝缘体那样导电性那么差,就是介于二者之间。常见的有硅、锗、砷化镓。

半导体主要由四个组成部分组成:

集成电路、光电器件、分立器件、传感器。 同时形成了三代产品。

第一代:以硅、锗为代表

从1954年5月第一颗硅晶体管到今天的微处理器,已有近70年的历史。硅引领了半导体行业的迅速发展,其技术成熟、性价比高,被广泛地应用在集成电路领域。

我国在2000年后,才开始大力发展半导体行业。中兴、华为事件之后,彻底转变了思路,开始走上自主研发之路。

第二代:以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)为主

砷化镓具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

锑化铟制造的晶体管具有相对较高的电子迁移率,运算速度将提升50%,消耗功率也将明显下降。

磷化铟具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点。

砷化镓磷化铟可以制作集成电路衬底、红外探测器、光通信的关键器件等。而磷化铟比砷化镓优势更强,可以开展光纤及移动通信的新产业,同时可以推动卫星通信业向更高频段发展。

第三代:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表

第三代半导体普遍拥有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

这个特点,使其可以用在5G、光伏、新能源汽车、快充等多个领域。

第三代半导体兴起于本世纪,各国的研究水平相差不远,我国处于相对领先地位,如果持续地加大研发投入,或可弯道超车。

集成电路就是把电路小型化的方式,英文名字是integrated circuit,简称IC。 这种方式主要应用在半导体设备上,也包括一小部分被动组件。

其主要是利用光刻、刻蚀技术将晶体管、微型电容、电阻、电感及线路布局在一小块晶圆上,最后进行封装。

集成电路按产品种类分为四大类:微处理器,存储器,逻辑器件,模拟器件。按照电路属性分:模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。

芯片:又称微电路、微芯片、集成电路,是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是手机、电脑等电子设备的一部分。

可以说芯片是集成电路的载体也是集成电路的主要表现方式。 在谈起CPU、GPU、存储器时,我们常把集成电路称作芯片。

集成电路和芯片的区别

1、二者表达侧重点不同。

集成电路侧重于电子电路, 是底层布局,而且范围更加广泛。

我们将几个二极管、三极管、电容、电阻混连在一起,就是集成电路。这个电路可以是模拟信号转换,或者具有放大器功能,也或者是逻辑电路。

芯片更为直观 ,就是我们看到的指甲块大小的、长着几个小脚、正方形或者长方形的物体。

芯片更侧重功能 ,比如:CPU用来信息处理、程序运行;GPU主要是图片渲染;存储器顾名思义,就是用来存储数据的。

2、制作方式不同

芯片制造的原材料是晶圆(硅、砷化镓),然后光刻、掺杂、封装、测试,才能完成芯片的制作。

芯片制造必须要使用到光刻机、刻蚀机等先进的设备。

集成电路所使用的原材料和工艺更加广泛,它只要将完整的电路(包含晶体管、电阻、电容和电感等元件)微缩,通过布线连在一起,制作在半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内。

对于集成电路来说,光刻机、刻蚀机并不是必需品。

3、封装不同

芯片的封装最常见的是DIP封装,也叫双列直插式封装技术,双入线封装。这种封装的引脚数量一般不超过100,间距为2.54毫米。

集成电路被放入保护性封装中,以便于处理和组装到印刷电路板上,并保护设备免受损坏,存在大量不同类型的包。

简单来说,芯片的封装更加规则,方式也更加集中。而集成电路封装大小、形状不同,方式方法也更多。

4、作用不同

芯片是为了封装更多的电路,这样可以增加单位面积晶体管的数量,从而增强性能,增大功能。

集成电路中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

二者都适用摩尔定律。即:价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

写到最后

半导体的范围十分庞大,它不仅包含了集成电路、芯片,也包含所有的二极管、三极管、晶体管等。

集成电路的范围要大于芯片。尽管很多时候我们把集成电路称作芯片。

总的来说:半导体>集成电路>芯片。

我是科技铭程,欢迎共同讨论!

硬件百科:半导体原材料有哪些?

这些年整个集成电路行业都陷入了瓶颈,处理器工艺制程难以精进,摩尔定律似乎已经走向了没落,半导体行业一直想要找出可以替代硅(Si)的半导体材料,但尝试了各种后发现还是硅(Si)好挣钱。

虽然硅(Si)在集成电路芯片制造上目前无法被替代,但经过了这么多年的发展,每一个成熟的半导体材料自己都可以带动一个行业的发展,那么目前行业里有哪些半导体材料呢?

第一代半导体:

业界将半导体材料进行过分类,前面提到的硅(Si)和锗(Ge)是第一代半导体材料。

硅(Si):前面提到的硅(Si)是目前应用最广泛的半导体材料,集成电路基本都是由硅(Si)制造。硅(Si)被大家广为熟知是因为它是CPU的材料,英特尔和AMD的处理器都是基于硅(Si)所打造的,当然除了CPU,GPU芯、存储闪存也都是硅(Si)的天下。

锗(Ge):锗(Ge)是早期晶体管的材料,可以说正是硅(Si)出现之后锗(Ge)才走向了没落,不过也只是锗(Ge)并没有被硅(Si)完全取代,作为重要的半导体材料之一,锗(Ge)依旧活跃在一些光纤、太阳能电池等通道领域。

第一代半导体材料的不管是技术开发还是还是成本把握都最为成熟,所以即使后面的第二、第三代半导体材料在某些特性表现方面完全超越了硅(Si),却也没有办法商用取代硅(Si)的价值,无法带来硅(Si)这样的高收益才是关键。

第二代半导体:

第二代半导体材料与第一代半导体有本质的不同,第一代半导体的硅(Si)和锗(Ge)属于单质半导体,也就是由单一物质构成。而第二代属于化合物半导体材料,由两种或两种以上元素合成而来,并且拥有半导体特性,第二代半导体常见的是砷化镓(GaAs)和磷化铟 (InP)。

砷化镓(GaAs):砷化镓(GaAs)是第二代半导体材料的标志性产物之一,我们经常听说的的LED发光二极管,就有砷化镓(GaAs)参与。

砷化镓(GaAs)

磷化铟 (InP):磷化铟 (InP)由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制作,特点是耐高温、高频率和高速率,因此在通讯行业被广泛应用,用于制作通信器件。

第二代半导体可以说是4G时代的基盘,很多4G设备使用的材料都是基于第二代半导体材料打造。

第三代半导体:

第三代半导体同样属于化合物半导体材料,特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等,代表产品是,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

碳化硅(SiC):碳化硅(SiC)的特性有耐高温、耐高压,非常适合是做功率器件开关,如很多主板上高端MOSFET就是由碳化硅(SiC)制作的。

MOSFET

氮化镓(GaN):氮化镓(GaN)碳化硅(SiC)一样都是高禁带宽度半导体,特性是能耗低、适合高频率,适合打造5G基站,唯一的缺点就是技术成本过高,很难在商用领域看到。

目前国内比较流行推广第三代半导体的发展,原因是国内外起点差距小,还有竞争的机会。

注意事项:

虽然这些半导体材料被认为划分到为第一代、第二代,听起来也像是迭代的产品,但其实这些第一代、第二代、第三代半导体材料并不是替代关系,它们的特性不同,应用的场景也不一样,一二三代只是行业一种区分标识,只是根据材料进行了划分,有些场景化甚至会同时应用在一起。

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