中科无线半导体申请一种耗尽型GaN的开关电源结构专利，实现芯片供电功能从而省掉辅助绕组简化系统电路
金融界2024年9月27日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种耗尽型GaN的开关电源结构”的专利，公开号CN 118694147 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种耗尽型GaN的开关电源结构，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中不能很好控制耗尽型GaN开关速度和需要串接NMOS管耐压过高的问题。本发明提出一种通过调节NMOS管驱动电流的方式来驱动耗尽型GaN源极电压，从而实现功率管的开关速度可控的耗尽型GaN驱动方法。利用耗尽型GaN和NMOS管串接的中间节点可以实现信号检测，简化系统谷底检测电路。同时利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片上电取电功能，从而简化系统的上电电路，降低系统待机功耗。进一步的可以利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片供电功能，从而省掉辅助绕组Laux和二极管D8，简化系统电路，降低成本。
本文源自金融界
北京中科新微特申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件的可靠性
金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号 CN202411095347.9，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括如下步骤：在外延层的一侧形成沟槽，沟槽包括底壁和侧壁，侧壁包括第一区域和第二区域，第一区域位于第二区域和底壁之间。在沟槽内形成牺牲层，牺牲层覆盖底壁以及第一区域。至少在第二区域的表面形成第一掩膜层。去除牺牲层，并在底壁以及第一区域形成第一氧化部。去除第一掩膜层，并在第二区域形成第二氧化部，第一氧化部的厚度大于第二氧化部的厚度，第一氧化部和第二氧化部形成栅极氧化层。
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