三星取得紫外半导体发光器件专利，专利技术能实现半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极的制作
金融界2024年3月18日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“紫外半导体发光器件“，授权公告号CN110010734B，申请日期为2018年12月。
专利摘要显示，紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
本文源自金融界
长光华芯取得多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法专利，降低发光结构最终的远场发散角
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司取得一项名为“一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法“，授权公告号CN118040474B，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源层之间通过隧道结层连接；每一有源层远离衬底的一侧设置有氧化层，每一氧化层设置有开口区域；P面电极包围的出光区设置有环形凹槽，环形凹槽内覆盖有调制金属层。本申请公开的一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，通过设计环形凹槽并在环形凹槽内形成调制金属层，引入了外延结构之外的损耗层，降低发光结构最终的远场发散角。
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