共享基经丨读懂主题ETF（三十八）： 半导体材料、半导体设备、芯片设备的主题ETF，这些区别你都知道吗？
每经记者：黄小聪 每经编辑：赵云
今日，半导体板块表现抢眼，多只主题ETF涨幅居前。此前，我们已经对半导体、芯片主题的ETF进行过对比。
但这两年半导体领域的投资更加细分，半导体材料、半导体设备、芯片设备等方向纷纷成立主题ETF，那么这几个主题的ETF都有什么区别？它们又都跟踪什么指数？
1、7只半导体材料、半导体设备、芯片设备、半导体产业主题ETF
Wind数据显示，目前以“半导体材料”“半导体设备”“芯片设备”“半导体产业”为主题的ETF共有7只，不过整体规模都不大，其中有3只ETF规模超过2亿元。
从这7只ETF跟踪的指数来看，主要是中证半导体材料设备主题指数和中证半导体产业指数。
2、平均流通市值不同
具体对比这两个指数，中证半导体材料设备主题指数是选取40只业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，个股的平均流通市值约为131亿元。
中证半导体产业指数则是从上市公司中，选取不超过40只业务涉及半导体材料、设备和应用等相关领域的上市公司证券作为指数样本，个股的平均流通市值约为174亿元。
总的来说，两个指数成份股数量一样，不过中证半导体产业指数的个股平均市值大于中证半导体材料设备主题指数。
3、前十大权重占比不同
再看前十大权重股方面，中证半导体材料设备主题指数前十大权重的累计占比约为64.33%，其中中微公司、北方华创的占比均超15%，这两只个股的累计占比超30%。
再看中证半导体产业指数，前十大权重的累计占比为76.11%，其中中微公司、北方华创的占比也都超过15%。
整体而言，两个指数的前十大权重股有较多重合，不过个股权重占比不同，且中证半导体产业指数前十大权重的累计占比更高，集中度更突出。
4、过往表现不同，中证半导体产业指数更优
再从两个指数过往的表现来看，中证半导体产业指数在多个时间维度的表现都好于中证半导体材料设备主题指数，尤其是今年以来，跌幅明显更小。
5、估值处于历史较低分位
最后从两个指数的估值情况来看，wind数据显示，中证半导体材料设备主题指数目前的市净率水平处于历史20%分位以下，中证半导体产业指数目前的市净率水平处于历史30%分位以下。
整体而言，都属于历史较低估值的位置。需要注意的是，不管是哪个指数，过往的波动都非常大，不太适合一直拿着不动，而且投资时也要关注半导体的大周期。
每日经济新闻
硬件百科：半导体原材料有哪些？
这些年整个集成电路行业都陷入了瓶颈，处理器工艺制程难以精进，摩尔定律似乎已经走向了没落，半导体行业一直想要找出可以替代硅（Si）的半导体材料，但尝试了各种后发现还是硅（Si）好挣钱。
虽然硅（Si）在集成电路芯片制造上目前无法被替代，但经过了这么多年的发展，每一个成熟的半导体材料自己都可以带动一个行业的发展，那么目前行业里有哪些半导体材料呢？
第一代半导体：
业界将半导体材料进行过分类，前面提到的硅（Si）和锗(Ge)是第一代半导体材料。
硅（Si）：前面提到的硅（Si）是目前应用最广泛的半导体材料，集成电路基本都是由硅（Si）制造。硅（Si）被大家广为熟知是因为它是CPU的材料，英特尔和AMD的处理器都是基于硅（Si）所打造的，当然除了CPU，GPU芯、存储闪存也都是硅（Si）的天下。
锗（Ge）：锗（Ge）是早期晶体管的材料，可以说正是硅（Si）出现之后锗（Ge）才走向了没落，不过也只是锗（Ge）并没有被硅（Si）完全取代，作为重要的半导体材料之一，锗（Ge）依旧活跃在一些光纤、太阳能电池等通道领域。
第一代半导体材料的不管是技术开发还是还是成本把握都最为成熟，所以即使后面的第二、第三代半导体材料在某些特性表现方面完全超越了硅（Si），却也没有办法商用取代硅（Si）的价值，无法带来硅（Si）这样的高收益才是关键。
第二代半导体：
第二代半导体材料与第一代半导体有本质的不同，第一代半导体的硅（Si）和锗（Ge）属于单质半导体，也就是由单一物质构成。而第二代属于化合物半导体材料，由两种或两种以上元素合成而来，并且拥有半导体特性，第二代半导体常见的是砷化镓（GaAs）和磷化铟 (InP)。
砷化镓（GaAs）：砷化镓（GaAs）是第二代半导体材料的标志性产物之一，我们经常听说的的LED发光二极管，就有砷化镓（GaAs）参与。
砷化镓（GaAs）
磷化铟 (InP)：磷化铟 (InP)由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制作，特点是耐高温、高频率和高速率，因此在通讯行业被广泛应用，用于制作通信器件。
第二代半导体可以说是4G时代的基盘，很多4G设备使用的材料都是基于第二代半导体材料打造。
第三代半导体：
第三代半导体同样属于化合物半导体材料，特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等，代表产品是，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
碳化硅（SiC）：碳化硅（SiC）的特性有耐高温、耐高压，非常适合是做功率器件开关，如很多主板上高端MOSFET就是由碳化硅（SiC）制作的。
MOSFET
氮化镓（GaN）：氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）一样都是高禁带宽度半导体，特性是能耗低、适合高频率，适合打造5G基站，唯一的缺点就是技术成本过高，很难在商用领域看到。
目前国内比较流行推广第三代半导体的发展，原因是国内外起点差距小，还有竞争的机会。
注意事项：
虽然这些半导体材料被认为划分到为第一代、第二代，听起来也像是迭代的产品，但其实这些第一代、第二代、第三代半导体材料并不是替代关系，它们的特性不同，应用的场景也不一样，一二三代只是行业一种区分标识，只是根据材料进行了划分，有些场景化甚至会同时应用在一起。
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