美光科技：花旗看好半导体行业前景：买入评级

【8 月 9 日，花旗发布研究报告称】 美国半导体股近期遭遇大幅抛售，原因在于宏观因素，以及市场此前对该板块股份盈利预期较高，但第二季业绩相对逊色，致投资者失望。因模拟半导体库存补充速度不及预期，且占半导体需求 14%的汽车终端市场或存下行风险，格芯、微芯科技及恩智浦等股份表现受拖累。不过，花旗看好 AI 及半导体行业发展前景，期待 DRAM 产能减少推动价格上升，认为当下是投资者入市及加注良机。花旗首选美光科技，并对博通、模拟器件、微芯科技、英伟达及 KLA Corporation 等股给予“买入”评级。

存储之争：美光 vs SK海力士

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

美光成功开发 HBM3E 12 层芯片，即第五代 HBM。

美光是继三星电子和 SK 海力士之后全球第三大内存半导体公司，已成功开发出第五代 HBM——HBM3E 12 层芯片。

美光于9月9日正式宣布推出12层堆栈的HBM3E内存。新产品具有36GB容量，旨在用于AI和HPC（高性能计算）工作负载的前沿处理器，例如英伟达的H200和B100/B200 GPU。

（来源：美光）

美光的12层HBM3E内存堆栈拥有36GB容量，比之前的8层版本（24GB）高出50%。容量增加使数据中心能够在单个处理器上运行更大的AI模型。此功能消除了频繁卸载CPU的需要，减少了GPU之间的通信延迟，加快了数据处理速度。

在性能方面，其可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。据美光称，该公司的HBM3E不仅提供的内存容量比竞争对手高出50%，功耗也低于8层HBM3E堆栈。

其内部包含一个完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，以确保为客户提供更快的产品上市时间和可靠性。该技术可以全速模拟系统级流量，从而对新系统进行全面测试和更快的验证。

美光的HBM3E内存设备与台积电的CoWoS封装技术兼容，该技术广泛用于英伟达的H100和H200等AI处理器封装中。美光已送样给主要合作伙伴，以利用 AI 生态系统验证测试。

该公司还指出了制造人工智能系统的复杂性，HBM3E 并非孤立产品，而是集成在 AI 芯片系统中，这仰赖于内存供应商、产品客户与 OSAT 企业的通力合作，并强调它与全球第一大半导体合约制造商台积电有着长期战略合作伙伴关系，美光是台积电 3DFabric 先进封装联盟的合作伙伴成员。

台积电生态系统与联盟管理处处长 Dan Kochpatcharin 此前表示：“台积电与美光一直保持着长期的战略合作伙伴关系。作为 OIP 生态系统的一部分，我们密切合作，使美光基于 HBM3E 的系统与 CoWoS 封装设计能够支持客户的人工智能创新。”

存储之争

自 2014 年首款硅穿孔 HBM 产品发布至今，HBM 技术已经发展至第五代，分别是：HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代），HBM代际升级主要体现在数据速率和容量密度上，HBM 芯片容量从 1GB 升级至 36GB，带宽从 128GB/s提升至 1.2TB/s，数据传输速率从 1Gbps 提高至 9.2Gbps。

从竞争格局来看，HBM 领域的主要供应商仍是存储器三大巨头 SK 海力士、三星以及美光，为应对全球 GPU 需求持续高增长的趋势。根据 Trendforce 数据，预计 2024 年 SK 海力士在 HBM 市场中的市占率预计为 47-49%，三星电子的市占率为 47-49%、美光的市占率为 3-5%。

SK海力士作为全球领先的半导体制造商，在HBM存储领域具有重要地位。该公司已宣布预计将在2024年9月底实现12层HBM3E内存的量产，这一举措将进一步巩固其在高端存储市场的领先地位。

且该公司的HBM3E内存同样具有高性能、低功耗等特点，且已通过关键的性能测试，确保在高负载下的稳定性。

目前，SK海力士和美光正在向英伟达提供8层HBM3E芯片。

据报道，三星电子已通过英伟达的 HBM3E 8 层产品测试并开始出货，但英伟达和三星均未对此事发表评论，还没有其他芯片制造商正式表示向英伟达供应 HBM3E 12 层芯片。

SK 海力士已向英伟达交付了 HBM3E 12 层样品，预计将于今年第四季度开始出货。三星电子也交付了样品，但据报道仍在进行质量测试。

一些分析师表示，英伟达正试图在 HBM 供应商之间创造竞争。

英伟达首席执行官黄仁勋于 4 月会见了 SK 集团董事长崔泰源。黄仁勋要求 SK 海力士尽快提供产品以及研发订单，显示出与崔泰源的密切关系。3 月，黄仁勋在英伟达开发者大会上来到三星展位，并在 HBM3E 芯片上签名，称三星是一家“非凡的公司”。

从市场策略来看，SK 海力士凭借是目前绑定英伟达 AI GPU 的 HBM3 存储的唯一供应商，确立了在 HBM 存储市场的领导地位，且 2024 年的 HBM 产能可能已被预订满。美光则通过 HBM3E 产品的能效和领先的性能优势，尝试在高端内存市场取得竞争优势，也受到了极大关注和兴趣。

随着 AI 的发展，HBM 需求增长迅速，知名研究机构预测，HBM 存储产品的市场规模预计将从 2024 年的约 25.2 亿美元激增至 2029 年的 79.5 亿美元。在这样的市场前景下，美光和 SK 海力士的竞争将对 HBM 市场的格局产生重要影响，包括市场份额的变化、技术的发展方向以及对下游 AI 产业的支持等方面。

据悉，美光已开始开发其下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E。这些即将推出的内存类型将继续满足AI处理器（包括基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高级内存日益增长的需求。

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