浙江驰拓申请半导体器件相关专利，减少刻蚀过程中的反溅问题和污染
金融界2024年9月27日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器”的专利，公开号CN 118695768 A，申请日期为2023年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器，该半导体器件制备方法通过在衬底上依次沉积低电阻率的第一金属层、和高电阻率的第二金属层，之后一起刻蚀第二金属层和第一金属层，形成多根底部金属连线，再旋涂填充物后刻蚀填充物和第二金属层，以在每根底部金属连线上形成多个相互分离的底电极。同时，还使底电极上表面与底部金属连线上表面之间的高度差小于第二金属层的厚度，且大于设定阈值。从而后续在制备磁性隧道结的刻蚀过程中，即使需要过刻蚀，也不会刻蚀到低电阻率的第一金属层，从而减少刻蚀制备磁性隧道结过程中的反溅问题，减少污染。同时降低底部金属连线的线阻。
本文源自金融界
制造过程中对半导体的污染有哪些？丨半导体行业
由于半导体工业所制作的集成电路元件尺寸越来越小，在一块小小的晶片上集成了许许多多的小元器件，因此，在制作过程中就必须防止外界杂质污染源的污染，因为这些污染源可以造成元器件性能的劣化以及电路产品不良率的上升和可靠性的下降。污染问题是芯片生产工业必须慎重对待并且要花大力气解决的首要问题。污染不仅来源于大规模集成电路的生产过程，还包括提供的超净间专用化学品和材料，甚至建造超净间的建筑材料和建造手段也会引入污染。
一般的污染源包括颗粒污染物、金属离子和化学物质等。
1.颗粒污染物
污染物的相对尺寸(源自《混合微电路技术手册》1988 :281)
颗粒包括空气中所含的颗粒、人员产生的颗粒、设备和工艺操作过程中使用的化学品产生的颗粒等。在任何晶片上，都存在着大量的颗粒。有些位于器件不太敏感的区域，不会造成器件缺陷，而有些则属于致命性的。根据经验得出的法则是：颗粒的大小要小于器件上最小的特征图形尺寸的1/10，否则，就会形成缺陷。
2.金属离子
在半导体材料中，以离子形态存在的金属离子污染物，称为可移动离子污染物（MIC）。这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动性，即使在该器件通过了电性能测试并且从生产厂运送出去，金属离子仍可在器件中移动从而造成器件失效。遗憾的是，绝大部分化学物质中都有能够引起器件失效的金属离子。最常见的可移动离子污染物是钠。钠离子同时也是在硅中移动性最强的物质，因此，对钠的控制成为硅片生产的首要目标。MIC的问题对MOS器件的影响更为严重。有必要采取措施研制开发 MOS 级或低钠级的化学品。这也是半导体业的化学品生产商努力的方向。
3.化学物质
化学物质指半导体工艺中不需要的物质。这些物质的存在将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件上生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过程。最常见的化学物质是氯。在工艺过程用到的化学品中，氯的含量受到严格的控制。
4.细菌
细菌是第四大类的主要污染物。细菌是在水的系统中或不定期清洗的表面生成的有机物。细菌一旦在器件上形成，会成为颗粒污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子。
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