中微公司申请一种半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件的性能
金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法“，公开号 CN202310969082.X，申请日期为 2023 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体的形成方法包括一反应器和一衬底，所述反应器包含反应区域和与反应区域相连通的第一气体分布腔和第二气体分布腔，通过第一气体分布腔向反应区域内通入第一反应气体，通过第二气体分布腔向反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在衬底上进行 P 型层生长；所述第一反应气体至少包含 V 族前驱物和第一载气，所述第二反应气体至少包含 P 型掺杂前驱物、III 族前驱物和第二载气。本发明通过调节第二载气相对于第一反应气体的相对流速或相对密度，使得第二反应气体传输速度更快，传输方向不易改变，P 型层中 P 型掺杂离子的掺杂浓度提升，掺杂更均匀，进而提高半导体器件的性能。
本文源自金融界
中微公司申请一种半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件的性能
金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法“，公开号 CN202310969082.X，申请日期为 2023 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体的形成方法包括一反应器和一衬底，所述反应器包含反应区域和与反应区域相连通的第一气体分布腔和第二气体分布腔，通过第一气体分布腔向反应区域内通入第一反应气体，通过第二气体分布腔向反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在衬底上进行 P 型层生长；所述第一反应气体至少包含 V 族前驱物和第一载气，所述第二反应气体至少包含 P 型掺杂前驱物、III 族前驱物和第二载气。本发明通过调节第二载气相对于第一反应气体的相对流速或相对密度，使得第二反应气体传输速度更快，传输方向不易改变，P 型层中 P 型掺杂离子的掺杂浓度提升，掺杂更均匀，进而提高半导体器件的性能。
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