锐科激光申请激光器组件及红光半导体激光器专利，生产成本低，加工难度小，产品良率高
金融界2024年6月25日消息，天眼查知识产权信息显示，武汉锐科光纤激光技术股份有限公司申请一项名为“一种激光器组件及红光半导体激光器”的专利，公开号CN202410266224.0，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种激光器组件及红光半导体激光器，激光器组件包括安装基座、准直结构和聚焦结构；准直结构包括安装至安装基座上的准直透镜，准直透镜用以与激光发射器光路连接，将激光发射器出射的光线准直为平行光；聚焦结构包括安装至安装基座上的聚焦透镜，聚焦透镜对应准直透镜同轴设置，聚焦透镜用以与光纤光路连接，以将准直透镜准直的平行光聚焦至光纤内。在本发明技术方案中，通过将准直透镜和聚焦透镜分别安装至安装基座上，准直透镜与激光发射器光路连接，聚焦透镜与光纤光路连接，同时，准直透镜和聚焦透镜同轴设置用以传递激光光束，通过以上设置方式，代替传统耦合作业，生产成本低，加工难度小，产品良率高。
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华光光电取得一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法专利，实现与偏振无关的红光半导体光放大器
金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，山东华光光电子股份有限公司取得一项名为“一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法“，授权公告号 CN118198865B，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法，属于光电子技术领域。由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第三垒层、第四量子阱、第四垒层、第五量子阱、上波导层、上限制层 A、腐蚀阻挡层、上限制层 B、带隙过渡层和帽层；本发明采用张应变及压应变交替生长的混合多量子阱实现 TE 模式和 TM 模式增益平衡，进而实现与偏振无关的红光半导体光放大器，同时利用垒层交替补偿，平衡有源区应力，避免晶格常数差异对量子阱生长质量的影响。
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