半导体产业联盟 全球半导体产业联盟四起

全球半导体产业联盟四起

今年以来，

疫情反复无常，

面对严峻的市场环境，

半导体产业联盟四起，

各方共同携手抵御风险，

提升自身实力。

近年来，功率半导体市场发展迅猛，美、欧、日等国家纷纷出台法案，加大对功率半导体行业的扶持力度。而在这些国家相继进军该市场后，韩国望眼一看，为扩大其在半导体领域的影响力，也快马加鞭攻入该领域。

最新消息，据韩媒ETNews 报道，为了开发新一代功率半导体，韩国于4月14日正式推出由其国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”，以应对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（GaO）等迅速增长的全球功率半导体市场。

该研究部门将开发以碳化硅（SiC）为基础的国产功率半导体生态系统，还将培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展，并决定为应对碳化硅半导体市场的增长，组成联盟。

该联盟聚集了LX Semiconductor、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半导体企业，他们将参与材料、零部件、设备用功率半导体的开发。

其中，由LX Semiconductor开发碳化硅半导体、SK siltron公司负责碳化硅衬底、Hana Materials和STI将共同开发碳化硅半导体零件和设备技术、由光云大学、嘉泉大学和韩国国民大学支援碳化硅半导体研究开发基础设施，由韩国国家纳米材料研究所和陶瓷工程技术研究所支援技术。

△图片来源：ETNews

此前3月，TrendForce集邦咨询研究表示，目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。

据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。

面对充满着无限机遇的功率半导体市场，韩国之前也开始早早部署。

美企协力培育先进制造业

4月，据外媒businesswire报道，英特尔（Intel）、美光（Micron）、亚德诺半导体（Analog Devices Inc；ADI）和MITRE Engenuity宣布达成协议，加快半导体研究、开发和原型设计，以打造更坚强的美国半导体工业，在美国培育先进制造业，并在日益激烈的全球竞争中保护知识产权。

英特尔、美光、ADI和MITRE Engenuity将积极寻求来自美国半导体生态系统各个方面的行业和专家的共同参与，包括集成设备制造商（IDM）；无晶圆厂芯片公司（Fabless）；基础设施、设计和制造工具的供应商；以及来自工业界和学术界的技术创新者。

据介绍，由MITRE Engenuity领导的半导体联盟于2021年从工作组发展而来，其原则已发表在《美国创新促进美国增长》（American Innovation for American Growth ）白皮书中，总结了该联盟呼吁采取行动建立一个公平客观的国家半导体技术中心（National Semiconductor Technology Center；NSTC）。

之前1月中旬，美国半导体行业协会（SIA）发布了《2021年美国半导体行业报告》。SIA表示，美国半导体产业的研发占比超过其他任何国家的半导体产业，但优势地带主要集中在EDA和核心IP、芯片设计、制造设备等研发密集型领域。其在芯片制造的份额正在急剧下降，需要更大力度的投资和激励措施。

美国参议院在去年6月通过了《美国创新与竞争法案》（USICA），将划拨520亿美元用于支持芯片制造、研究和设计。此举正是为了强化半导体供应链建设。

欧洲企业力图FD-SOI技术突破

据外媒4月报道，CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半导体（STMicroelectronics）宣布将在下一代FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术上展开合作。

2000年，伯克利的前任教授胡正明发明了FD-SOI技术。相较于体硅技术，FD-SOI可以实现对纳米节点工艺制程下晶体管电流的有效控制和阈值电压的灵活调控。因而，从21世纪伊始，以Leti、Soitec、STM为代表的欧洲半导体科研机构和公司开始投入该技术的研发。

FD-SOI使用的范围广泛，其中，汽车是2xnm FDSOI技术的主要应用领域，包括雷达、供电电池等物联网设备。由于移动IC应用的功耗必须足够低以最大限度的延长电池寿命，因此FD-SOI技术也十分适合移动IC应用。

此前也有联盟成立以求SOI技术突破 。

2007年，SOI联盟（SOI Consortium）成立，之后越来越多的企业和机构开始关注SOI技术。目前，SOI联盟的成员包含科研机构、材料商、设备商、集成芯片制造商、芯片设计商、芯片代工商、供应商等，且贯穿整个产业链。

回首过去几十年，三星、IBM、格芯、意法半导体、CEA等企业一直不断地尝试，将FD-SOI技术向更先进的制程推进，还通过提高SOI晶圆产能和降低成本，以进一步推进该技术市场化。

当前，意法半导体可实现28nm FD-SOI量产，而格芯在德国德累斯顿拥有一家生产设施，采用22nm制程的22FDX工艺。FD-SOI在低功耗应用上具有显著优势，制造工艺也较FinFET简化。

该技术走到22nm之后，特征尺寸已很难继续微缩，所以亟待发展革新技术。技术研究中心CEA-Leti认为，FD-SOI制程可以扩展到10nm以下。

巨头抱团成立UCIe产业联盟

此前3月，英特尔、AMD、Arm、高通、微软、谷歌、Meta（元界）、台积电、日月光、三星十家行业巨头宣布正式成立通用小芯片互联（Universal Chiplet Interconnect Express，UCIe）联盟。该联盟旨在推广UCIe 技术标准，构建完善生态，使之成为异构封装小芯片（Chiplet）未来片上互联标准。

△图片来源：UCIe联盟官网

UCIe是一种开放的Chiplet互连规范，定义了封装内Chiplet之间的互连，以实现Chiplet在封装级别的普遍互连和开放的Chiplet生态系统。

UCIe 1.0规范涵盖芯片到芯片I/O实体层、芯片到芯片协定和软件堆叠，并利用了成熟的PCI Express（PCIe）和Compute Express Link（CXL）高速互连标准。

该标准最初由Intel提议并制定，后开放给业界，共同制定而成。目前，UCIe标准面向全行业开放。

此外，值得一提的是，在该联盟成立没多久，中国大陆的IC设计企业芯原股份以及IP芯片企业芯耀辉科技于4月也宣布正式加入UCIe产业联盟。

文章来源：全球半导体观察 韦思维

美欧日韩等64家企业组半导体联盟，新的“排华组织”？

【文/观察者网 吕栋】“半导体支撑着许多对于我们国家安全和关键基础设施至关重要的技术和系统，不幸的是，美国在这一关键技术上的领导地位正变得岌岌可危（at risk）。”

当地时间5月11日，包括美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾地区等地的64家企业宣布成立美国半导体联盟（Semiconductors in America Coalition，SIAC）。这些企业几乎覆盖整个半导体产业链，而他们组织在一起的第一件事，就是敦促美国国会通过拜登政府提出的500亿美元半导体激励计划。

尽管目前看来，SIAC的首要任务是向美国政府“要钱”，但香港英文媒体《南华早报》还是将此事与中国大陆联系起来，其报道炒作称“SIAC的成立，可能使中国大陆更难摆脱美国主导的全球半导体供应链”。

5月13日，国内半导体咨询机构“芯谋研究”企业定制项目一部研究总监王笑龙就此事向观察者网分析指出，SIAC的成立目前来看更多还是出于商业利益的考量，这些企业聚集在一起，显示出美国对半导体产业的主导地位，更有利于企业在产业补贴方面游说美国政府。另一方面，中国大陆也是这些企业的重要市场，组成联盟在游说美国政府放开对华出口管制方面也更有利。至于是不是所谓的半导体“排华联盟”，还有待观察。

SIAC官网截图

SIAC官网发布的新闻稿指出，该组织是一个由半导体企业和半导体下游用户组成的联盟。

目前，SIAC有64家成员，包括亚马逊、苹果、AT&T、思科、通用电气、谷歌、威瑞森等科技巨头，AMD、亚德诺半导体、博通、英伟达、高通等芯片设计公司，格芯、IBM、英特尔、镁光等芯片制造商，以及应用材料、楷登电子、新思科技等半导体上游IP、电子设计自动化（EDA）软件和设备供应商等等。

值得注意的是，SIAC成员中还包括不少日韩、欧洲、中国台湾等地的半导体公司。例如，芯片制造商台积电、三星、SK海力士、英飞凌，设备厂商尼康、阿斯麦，东京电子，芯片IP巨头ARM等。

成立当天，SIAC成员联合致信美国众议院议长佩洛西、参议院多数党领袖舒默、参议院少数党领袖麦康奈尔、众议院少数党领袖麦卡锡。信中提到，“我们呼吁国会领导人拨款500亿美元用于国内芯片制造激励和研究计划。SIAC的使命是推动促进美国半导体制造和研究的联邦政策，以加强美国的经济、国家安全和关键基础设施”。

SIAC成员名单

SIAC新闻稿表示，该联盟的重点是为《美国芯片制造法案》（CHIPS for America Act）争取资金，该法案在今年早些时候公布，批准了美国所需的半导体制造激励措施和研究计划，但尚未提供资金。这一举措得到美国总统拜登的大力支持，他已呼吁为《美国芯片制造法案》拨款500亿美元。

在给国会领导人的信中，SIAC强调了这500亿美元的重要性，“美国建造并运营晶圆厂的成本相较海外高出20-40%，导致美国在全球半导体制造产能中的份额已从1990年的37%降至目前的12%。美国在吸引新的半导体制造设施或晶圆厂建设方面正处于竞争劣势。联邦政府在半导体研究方面的投资占GDP的比例长期持平，而其他国家的政府则大举投资于这些研究计划，以加强本国的半导体能力”。

而美国半导体行业协会（SIA）总裁兼CEO约翰·诺弗尔（John Neuffer）提到，半导体是推动美国经济增长、国家安全、数字基础设施和全球技术领先地位的系统和技术的大脑。来自美国经济各个关键领域的领导人，以及华盛顿一个由两党决策者组成的大型团体，都认识到半导体对美国当前和未来实力的重要作用。

“SIAC期待与国会和拜登政府合作，为国内半导体制造和研究提供必要的联邦投资，这样我们国家需要的更多芯片就会在本土生产。”他表示。

上周，美国汽车行业团体曾向拜登政府施压，要求其确保汽车工厂的芯片供应。美国汽车政策委员会（AAPC）、美国汽车和设备制造商协会（MEMA）以及美国汽车工人联合会（UAW）给国会写信，建议“为半导体设施提供专项资金，以便将其部分产能用于汽车级芯片的生产”。但SIAC在信中反对为某个特定行业留出新的产能，“当行业努力纠正目前造成短缺的供需失衡时，政府应避免干预”。

美国总统拜登（资料图）

从以上报道可以看出，SIAC成立的首要任务是寻求国会拨款补贴。但《南华早报》在报道此事时，却以“台积电加入美国芯片联盟，再次打击中国大陆的自给自足努力”为标题。

该报道援引分析人士称，SIAC表面上是为在美国进行游说而成立，但也展示了美国在全球化半导体供应链中的影响力，可能使中国为减少对美国技术依赖而进行的努力复杂化。“台积电加大投资并在美国建立先进的5nm工厂可能会加大对中国大陆的压力，因为这家台湾企业似乎不会在中国大陆做同样的事情。”

《南华早报》报道截图

关于台积电在美建厂一事，观察者网梳理发现，台积电2016年一季度在台湾岛内量产16nm，台积电南京厂2018年底量产16nm，南京厂当时大概落后台湾岛内3年；该公司2020年上半年在台湾量产5nm，计划2024年在亚利桑那量产5nm，美国厂大概落后台湾岛内4年半；2021年至2029年，该公司将在亚利桑那厂项目上支出（包括资本支出）约120亿美元，而该公司2021年一年的资本支出预期，就达到300亿美元。

针对美国提出的半导体回流政策，“芯谋研究”王笑龙向观察者网分析指出，先不谈论拜登政府500亿美元的补贴计划够不够联盟中的64家企业分，事实是美国现有的产业环境并不适合芯片制造，不仅上下游产业链配套方面有缺失，工人的效率也拖后腿。他补充称，考虑到建厂的效率和成本问题，台积电在美国建厂规模并不大，这一计划与台积电在中国大陆的投资相似，显示出它想在中美之间寻求一种平衡。

今年4月21日，台积电创始人张忠谋在台湾演讲时指出，美国晶圆制造条件与台湾比较，土地绝对是占优势，水、电也占优势。但是人才（工程师、技工、领班和作业员）、台湾派遣人员在美国的经营、管理能力和大规模制造业人员调动能力不行，企业单位成本较台湾显著提高，仅仅有短期补贴还不够。

5月11日，路透社援引知情人士报道，美国商务部长吉娜·雷蒙多正计划于5月20日筹备一场峰会，邀请受全球芯片短缺影响的公司——包括最大芯片制造商和美国汽车制造商一同出席。美国商务部在邀请函中表示，会议目的是建立和维持“关于半导体和供应链问题的公开对话机制”，并希望将芯片供求双方聚到一起。

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没有什么底气,自己手中叫硬东西太少了,顶一下,也算是发一点皮气,垂死挣扎,老美玩韩国,太轻松了,所有盟国,根本就没有筋骨,站不直没有什么底气,自己手中叫硬东...