专精特新“小巨人”——成都淮州新城士兰半导体：用“芯”让世界更美好
来源：红星新闻网
红星新闻网（记者刘杰）7月29日报道 2021年7月23日，工信部发布《关于第三批专精特新“小巨人”企业名单的公示》，经过在经济效益、专业化程度、创新能力、经营管理等多个方面的综合评定，全国共有2930家企业上榜。位于成都淮州新城的士兰半导体制造有限公司凭借在制造领域卓越的创新能力和强大的综合实力，在众多制造企业中脱颖而出，与四川省133家优秀企业共同入选。
据悉，成都士兰半导体制造有限公司（简称“成都士兰”）是杭州士兰微电子股份有限公司的控股子公司。成都士兰成立于2010年10月，是由阿坝州人民政府和成都市人民政府于2010年共同引进、第一家落户在成阿工业园区的先进制造企业。目前，公司注册资本为10亿，重点发展用于功率器件芯片的外延片制造，还投资设立了专业从事功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件等产品封装业务的全资子公司——成都集佳科技有限公司。2020年10月，成都士兰获得四川省集成电路和信息安全产业投资基金和阿坝州振兴产业发展股权投资基金合计增资1.9亿元。
成都士兰已获得ISO9001：2015质量管理体系、ISO14001：2015环境管理体系、OHSAS18001：2007职业健康安全管理体系的认证、IATF16949汽车行业质量体系的认证，通过了高新技术企业认证，成都市企业技术中心认定，并于2017年获得“成都市‘五一’劳动奖状”，于2021年7月获工信部专精特新“小巨人”企业称号。
成都士兰是西南地区最具规模的硅外延芯片制造企业，已具备年产各尺寸硅外延片70万片（涵盖5吋、6吋、8吋、12吋全尺寸）的生产能力，满足客户各尺寸硅外延片材料的需求，同时具备全套的外延测试设备，具备外延层厚度，外延层电阻率，外延层电阻率纵向分布，颗粒，平整度等测试能力。
截止到2020年12月，成都士兰获得专利27项，其中发明专利15项。依靠科技创新，加快实现成果产业化进程，大批科技成果应用于生产实践中，大力开展技术攻关和创新产品，使公司整体依然保持了良好、稳健的发展态势。今后，成都士兰将在国家“成渝双城经济圈”战略、成都市“东进”战略的支撑下，持续加大科技和产能投资，持续打造我国西部集成电路“芯”亮点。（图据金堂县委宣传部）
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抢抓新能源市场新机遇 士兰微硅半导体和化合物半导体两翼齐飞
新能源汽车、光伏、风电、算力等新兴市场持续高速发展背景下，功率半导体发展热潮被引燃，在此背景下，国内功率半导体IDM龙头士兰微(600460)拟硅半导体和化合物半导体产线齐头并进，积极抢抓市场新机遇。
硅半导体和化合物半导体两翼齐飞
9月25日晚，士兰微公告，公司于2024年9月24日与厦门半导体、新翼科技、厦门新翼微成投资合伙企业（有限合伙）、厦门产投新翼科技投资合伙企业（有限合伙）共同签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作补充协议》，完成后，士兰微旗下8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生产线项目实施主体厦门士兰集宏半导体有限公司（下称“士兰集宏”）注册资本将由20.6亿元增至42.1亿元，士兰微对其持股比例也将由51.46%降至25.18%，该公司将不再纳入士兰微合并报表范围。
如本次投资事项顺利实施，将为士兰集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目”的建设和运营提供资金保障，为该公司SiC功率器件在8英寸生产线上的产业化提供产能保障，将进一步完善士兰微在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力，有利于抓住当前新能源汽车产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。
此前，2024年5月，士兰微曾公告宣布拟总投资120亿元在厦门市海沧区建设一条以SiCMOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，两期建设完成后，将形成年产72万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
据了解，目前业界SiC半导体最高可量产8英寸产品，士兰微在SiC方面已达到行业最先进水平，除此之外，在传统半导体纯硅（Si）半导体方面，士兰微则正加码业界最高尺寸12英寸产线建设。
据士兰微9月12日公告，该公司拟与厦门半导体以共同出资16亿元认缴关联参股公司厦门士兰集科微电子有限公司（下称“士兰集科”），其中士兰微出资8亿元，本次增资完成后，士兰集科的注册资本将由38.28亿元变更为约53.1亿元，厦门半导体、士兰微、国家大基金二期将分别持有士兰集科61.987%、27.447%、10.566%股权。
2017年，士兰微曾与厦门市海沧区人民政府签约，规划总投资220亿元建设两条12英寸特色工艺芯片生产线以及先进化合物器件生产线。2018年，士兰微电子12英寸特色工艺芯片制造主体士兰集科正式成立，并于2020年底通线投产。随着厦门12英寸线和化合物产线的落子，士兰微基本完成了生产基地布局，拥有了杭州、成都、厦门三个生产基地。
相较于8英寸晶圆芯片制造，12英寸晶圆芯片制造在技术、成本和未来发展方面均有更大的优势。据国信证券统计，从8英寸到12英寸晶圆，晶圆面积增加了2.25倍，单片切割芯片数量翻倍，前道成本将降低20%—30%左右。目前，台积电、英特尔、中芯国际、华虹半导体等国际巨头均已布局12英寸产能。
士兰微表示，如本次增资事项顺利实施，将进一步增加士兰集科的资本充足率，为士兰集科12吋集成电路芯片生产线的建设和运营提供资金保障，有利于进一步提升士兰集科的生产能力，为士兰微提供产能保障。本次投资符合公司发展战略规划，对公司的经营发展具有长期促进作用。
抢抓市场新机遇
随着近几年汽车“新四化”的持续推进与风电、光伏、储能、算力等新兴市场的快速发展，硅半导体和碳化硅半导体分别作为第一代传统半导体和第三代半导体的典型代表，可广泛应用于下游新能源汽车、工业、手机等半导体产品制造。
士兰微作为国内功率半导体IDM龙头，长期专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件（LED芯片和成品，SiC、GaN功率器件）产品，且这些产品已经可以协同、成套进入整机应用系统，市场前景广阔。
2024年上半年，士兰微分立器件产品的营业收入为23.99亿元，较上年同期增长约4%。士兰微相关人士表示，“公司的分立器件和大功率模块除了加快在大型白电、工业控制等市场拓展外，已开始加快进入电动汽车、新能源、算力和通讯等市场，预期今后公司的分立器件产品营收将继续较快成长。”
2024年上半年，士兰微IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入已达到7.83亿元，较去年同期增长30%以上。
士兰微披露，2024年上半年，基于该公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；该公司用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货，用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，士兰微应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。
“士兰微非常看好新能源汽车行业，所以投入了很多精力以及工业制造方面资源，去开发主驱应用等。”在士兰微看来，光储赛道整个市场也处在增量过程中，同时也有国产替代需求，这对于士兰微而言是一个非常好的机遇。
“士兰微当前已按最高的性能和可靠性要求设计制造功率器件产品，满足风光储应用要求。目前我们在这一赛道的合作已经涵盖了很多细分市场，包括分布式户用和工商业光储，还有地面电站，以及集中式光储，我们和很多的Top级厂商也都有合作。”士兰微相关人士表示。
据了解，士兰微多年来坚持走“设计制造一体化”（IDM）道路，已打通“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了芯片生产线从5英寸到12英寸的跨越，同时在功率半导体、MEMS传感器、光电产品和第三代化合物半导体等领域构筑了较强的核心竞争力。
展望未来，士兰微董事长陈向东近日表示，目前国内产业环境竞争非常激烈，士兰微在产品的技术研发、市场拓展等方面较为成功，成果体现在公司持续的营收成长上、体现在公司在一些细分市场上的市场份额上，如汽车的主驱模块、汽车OBC产品、SiC主驱模块产品、白电的IPM模块、MEMS惯性传感器、车规级功率半导体器件等，以及各个高门槛细分市场的头部客户的份额等，“今后我们将继续在技术开拓上一马当先，拓展市场”。
日前举行的2024年三季度电子信息制造业发展形势分析座谈会也指出，当前电子信息制造业处于转型升级的关键阶段，促进电子信息制造业平稳增长对工业经济稳增长具有重要意义，社会各界要努力巩固增强电子信息制造业平稳向好态势，围绕科技创新和产业创新融合发展，完善产业生态，提升产业链供应链韧性和安全水平，深挖国内市场潜力，加快培育新增长点。
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