日月光半导体（昆山）申请新型集成电路功率器件专利，能提升整个封装结构的长期可靠性和热循环稳定性
金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，日月新半导体（昆山）有限公司申请一项名为“新型集成电路功率器件“，公开号 CN202410736024.7，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体是一种新型集成电路功率器件，包括有芯片，所述芯片的背部设置有多层金属结构，所述芯片和多层金属结构均设置在金属框架的上端。本发明采用扩散焊接的方式代替了传统焊料焊接，能在较低温度下实现芯片与金属框架之间的固定，显著降低了热应力，减少了芯片裂纹和焊层剥离的风险，从而提升了整个封装结构的长期可靠性和热循环稳定性。
本文源自金融界
日月光半导体（昆山）申请新型集成电路产品专利，显著提高集成电路在高功率应用场合中的热稳定性与可靠性
金融界 2024 年 9 月 19 日消息，天眼查知识产权信息显示，日月新半导体（昆山）有限公司申请一项名为“新型集成电路产品“，公开号 CN202410789825.X，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明涉及封装工艺技术领域，具体是一种新型集成电路产品，包括有芯片，所述芯片的表面设置有连接层，所述连接层的上端设置有阻焊层，所述阻焊层的上端设置有焊料层，所述焊料层为 AuSn 合金。本发明的焊料层采用 AuSn 合金设计，且 AuSn 合金中各材料的质量之比为 8:2，从而不仅具有较低的熔点，同时还拥有高达 57W/m·k 的高导热率，显著优于传统焊接材料，且高导热率还有助于快速有效传递热量，减少芯片工作时的温升，进而提高了集成电路在高功率应用场合中的热稳定性与可靠性。
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