岛内推动半导体课程进高中引争议，有人担心“矫枉过正”

来源：环球时报

【环球时报综合报道】台“教育部”2024学年起正式推动半导体相关课程进高中，共有36所高中参加，结果引发两极反应，有人表示欢迎，有人则担心矫枉过正。

据台湾联合新闻网9月7日报道，作为参与半导体课程进高中项目的学校之一，新竹市建功高中校长林国松表示，目前半导体课程安排在高一的“多元选修课”，且以“试探性”为原则规划课程，从简单的原理到实际的企业参访，最后将引导学生着手应用层面，目的就是让学生可以与产业趋势衔接，通过基础课程了解半导体垂直分工的产业链。林国松透露，校内有近65%的学生家长来自新竹科学园区，所以以学校的区域特质，让学生提早接触半导体产业的应用和分工是重要的。他称，期待课程结束后，学生的好奇心能够得到满足，进而对相关产业产生兴趣。竹北高中老师陈莹琪分享说，作为班导师会鼓励想读材料、电机系的同学选修相关课程，有助于他们将来申请大学。

今年7月，台湾“中央社”就披露了台“教育部”的这一规划。报道称，台“教育部”7月18日和19日在中兴大学附中先举办课程工作坊，共计有26校参与。课程内容涉及电的科学知识、半导体原理、半导体制程、半导体在生活中的应用、电路设计、社会面向六大主题，以及一项实验实作课程。随后台“教育部”发布新闻稿称，高中半导体课程主要目的是引起学生的学习兴趣，课程采用实际操作取代过多的理论讲述，且可加入更贴近生活的主题。

其实在此之前，台积电已进入10所高中开半导体微课程。据台湾《天下》杂志今年4月报道，回顾2022年时成立课程的初衷，台积电人才开发暨招募处处长庄秀华表示，育才是台积电的重点之一，希望该课程能激发学生的兴趣，鼓励他们未来往理工方向发展，为半导体领域及整个产业挹注更多新鲜血液。截至2023年年底，已有建国中学、中山女高、台中女中与雄中等10所高中加入。课堂上使用的教材与教具，全部由台积电找大学教授及高中教师共同设计，并免费提供给学校和学生。值得一提的是，课堂上除了讲授半导体知识，也回应学生对台积电好奇的敏感问题，如是否为吃水用电怪兽、工程师是否爆肝加班，甚至薪水与境外轮调等，讨论气氛相当热烈。

不过，半导体进高中也在岛内引发争议。“全台教师工会总联合会”政策部副主任巫彰玫称，开设试探性课程让学生可以提早接触不同产业是好事，但若未来课程设计比重越来越高，恐有矫枉过正的疑虑。巫彰玫说，半导体课程需要的知识门槛其实很高，若是课程设计的难易程度没有拿捏好的话，很有可能会加重学生的负担。阳明交通大学研发长刘柏村也说，目前规划的半导体课程属于选修课程，如果将半导体课程列入升大学的考科中，就会造成高中生的负担。另外，陈莹琪也提到，如果要推出半导体课程，文科领域是否也能开展一些与大学、产业相关的通识性课程，目前历史、地理及公民学科对应到未来科系的内容比较少，高中生需要对未来有更具体的规划。（陈立非）

快速学习：《半导体基础》课程

《半导体基础（Semiconductor Fundamentals）》课程介绍

《半导体器件基础》

从智能手机到卫星，半导体无处不在。 本课程将物理、化学和电气工程结合在一起，提供了理解晶体管和太阳能电池等设备所需的背景知识。

【半导体基础】课程介绍半导体及其器件的基本原理，包括晶体管、二极管、太阳能电池和发光器件。 该课程侧重于对这些设备的物理和直观理解，而不是数学推导。该材料主要吸引那些对半导体器件在电路和系统中的应用感兴趣的电气工程专业的学生和工程技术人员。

通过课程，学生将了解半导体的基本晶体结构、能带和费米能级、载流子的传输、晶体管和二极管的基本工作原理、太阳能电池原理和设计、以及基本特性和应用 的发光器件。 课程结束时，学生还将完成一个实践项目，以实际应用他们的知识。

本课程适合那些想要加深对半导体物理和器件操作的理解的人，特别是电气工程师和物理学家。 完成本课程的学生将全面了解半导体器件及其在电子和光子电路中的应用。

【半导体基础】课程让学生全面了解半导体及其器件，包括基本晶体结构、能带和费米能级、载流子的传输、晶体管和二极管的工作原理、太阳能电池原理和设计、特性和 发光器件的应用。 该课程还设有实践项目，让学生能够实际应用他们的知识。 该课程适合想要加深对半导体物理和器件操作理解的电气工程师和物理学家。

技术用户将了解作为设备基础的半导体物理学。 半导体技术开发人员可能会发现它是深入研究凝聚态物理、统计力学、热力学和材料科学的有用起点。 该课程从电气工程的角度介绍了半导体，但其他领域的人员可能会发现它对过去 50 多年来指导半导体技术发展的方法进行了有用的介绍。

《半导体基础》：材料性质和掺杂

材料性质和掺杂

半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），其性质介于导体（如铜）和绝缘体（如玻璃）之间。半导体最重要的性质是它的导电能力，这归因于存在可移动的载流子，主要是电子和空穴。

电导率是衡量材料导电性能的指标。在半导体中，它是可移动载流子与晶体周期性晶格势能相互作用的结果。在室温下，纯硅的电导率约为10^(-12) S/m，比良好的导体如铜低几个数量级。

为了提高半导体的电导率，需要在晶体结构中引入掺杂剂。掺杂是指有意将杂质引入半导体中以改变其电学性质。杂质是原子或分子，其价电子数比半导体材料本身多或少。有两种类型的掺杂剂：n型和p型。

N型掺杂是指将具有比半导体更少价电子的原子或分子引入晶体结构中。例如，磷是硅中的n型掺杂剂。用磷进行掺杂后，晶体格中的一些硅原子将与磷原子结合，在硅晶体中形成带负电荷的中心，称为受体。这些受体吸引并绑定自由电子，这些自由电子是可移动的，能够传导电流，并在半导体中产生多余的负电荷载流子。自由电子数量的增加导致电导率的增加。

P型掺杂是指将具有比半导体更多价电子的原子或分子引入晶体结构中。例如，硼是硅中的p型掺杂剂。用硼进行掺杂后，晶体格中的一些硅原子将与硼原子结合，在硅晶体中形成带正电荷的中心，称为施主。这些施主吸引空穴，这些空穴是半导体中的带正电荷的粒子，并将它们绑定，在半导体中产生多余的正电荷载流子。空穴数量的增加导致电导率的增加。

在【半导体基础】课程中，学生了解半导体的基本特性以及掺杂如何影响其电学和物理特性。

掺杂是通过添加少量杂质原子来改变半导体电性能的过程。 这些杂质在生长过程中或通过离子注入被引入到半导体晶体结构中。

在掺杂过程中，受主杂质被添加到半导体中，其对电子的亲和力比主体半导体原子更大。 这导致在受主杂质周围形成电子云，该电子云被贡献给半导体的导带。 这种向导带提供电子的行为使半导体的导电性更强，从而成为 N 型半导体。

另一方面，施主杂质被添加到半导体中，其对电子的亲和力比主体半导体原子低。 这导致在半导体的价带中形成空穴，该空穴被贡献给价带。 这种向价带提供空穴的现象使半导体的导电性降低，从而成为 P 型半导体。

通过控制掺杂浓度和类型，可以针对不同的应用精确定制半导体的电性能。 这些知识对于晶体管、二极管、太阳能电池和 LED 等半导体器件的设计和制造至关重要。

《半导体器件基础》

1. 材料特性和掺杂：半导体材料具有特定的电气和物理特性，使其可用于电子设备。 这些特性中最重要的是它们的导电能力和带隙能量。 带隙能量是将电子从基态激发到导带所需的能量，从而使电子能够导电。

掺杂是将杂质原子添加到半导体中以在材料中产生带正电或带负电的载流子的过程。 这样做是为了调整半导体的电性能。 掺杂有两种类型：n 型，其中电子被提供给材料以产生负电荷载流子（电子）；p 型，其中空穴被提供以产生正电荷载流子（空穴）。

2.能级到能带：在固体物理学中，能级和能带用于描述固体中电子的量子力学行为。 能级是电子可能具有的能量状态，而能带代表固体中电子允许的能量范围。 带隙是价带顶部和导带底部之间的能量差。

3. 晶体、多晶和非晶半导体：半导体材料可以以三种不同的形式存在：晶体、多晶和非晶。 晶体半导体具有规则的原子排列，赋予其良好的导电性和机械强度。 多晶半导体具有由多个晶体组成的结构，导致电性能和机械强度变化，可能会受到加工条件的影响。 非晶半导体具有不规则的原子结构，缺乏晶体材料的周期性排列，导致电导率和机械强度较低。

4. 米勒指数：米勒指数是一种用于识别晶面在三个维度上的取向的系统。 它以其发明者 William H. 和 Wendell M. Miller 的名字命名，在晶体学中用于描述晶面相对于彼此的取向。

5. 常见半导体的特性：硅 (Si)、锗 (Ge) 等半导体材料以及这些材料的合金具有特定的特性，使其可用于电子设备。 这些特性包括硅的带隙能量为 1.0-1.5 电子伏特 (eV)，锗的带隙能量为 0.6-0.8 eV，这使得它们能够被室温热能激发而导电。 它们还具有高电阻率（可通过掺杂降低电阻率）和低介电常数，使其可用于电容器和绝缘层。

6. 半导体中的自由载流子：自由载流子是半导体中未与任何特定原子或电离杂质结合的电荷载流子。 它们是通过掺杂或其他方式产生的，负责半导体的导电。 自由载流子可以同时存在于导带（自由电子）和价带（自由空穴）中，但它们的浓度在重掺杂半导体中比在本征半导体中高得多。

《半导体基础》课程：量子力学初步

经典力学和量子力学

量子力学是物理学的一个分支，描述了物质和能量在最细小的尺度上的行为。它提供了一个框架，以理解粒子（如电子、质子和中子）以及它们构成的大系统（如原子和分子）的性质和相互作用。在本课程中，我们将介绍量子力学的基本原理以及它们如何应用于半导体。

不确定原理，也称为海森堡不确定原理，是量子力学中的基本原理之一，它限制了对量子系统测量的精度。它指出，对于某些成对的物理属性，例如位置和动量，同时精确测量的基本限制存在。换句话说，不可能同时精确测量某些成对属性的确切值。一个属性被测量的越精确，另一个属性可知的精度就越低。

薛定谔方程是描述电子动态的量子力学模型。这个方程式表达了这样一个事实，即电子在原子中的运动是受波动方程支配的。通过求解薛定谔方程，我们可以得到电子在原子中的分布情况，进而理解电子是如何参与化学反应和电子转移等过程的。

量子力学的重要原理之一是波粒二象性。 该原理由马克斯·普朗克首次提出，指出光和其他粒子既表现为波又表现为粒子。 例如，光在穿过两个或多个狭缝时会表现出干涉图案，表明它表现为波。 然而，当光与物质相互作用时，它充当粒子，称为光子。

量子力学在半导体物理和技术中有许多应用。 例如，在纳米电子学领域，当器件尺寸接近原子尺度时，量子效应变得很重要。 量子点是直径为纳米级的原子或分子簇，具有可用于多种应用的量子力学特性。 在太阳能电池中，量子力学效应描述了光如何被吸收并转化为电能。 此外，量子隧道效应（即粒子隧道穿过势能垒）被应用于隧道二极管和扫描隧道显微镜。

量子限制

1. 波动方程：量子力学建立在薛定谔方程的基础上，该方程将粒子（例如电子）的行为描述为波。 薛定谔方程是一个偏微分方程，它将波函数（粒子量子态的描述）与粒子所经历的势能联系起来。 方程为：

Ψ(x, y, z, t) = Ψ(x, y, z, t)

其中 Ψ(x, y, z, t) 是波函数，V(x, y, z) 是势能。 通过改变 t 并对 x、y 和 z 进行积分，可以求解方程 Ψ(x, y, z, t)。

2. 量子限制：当粒子被限制在小于德布罗意波长的空间时，就会发生量子限制。 在这种情况下，颗粒的量子力学行为与在块状材料中观察到的发生了变化。 量子限制可用于创建量子阱（其中粒子被限制在一个方向）和量子点（其中粒子被限制在二维或三维）。

3. 量子隧道和反射：量子隧道是粒子穿透势能屏障的能力。 这种行为无法用经典力学来解释，但它是理解晶体管中电子传输等现象的关键概念。 当粒子遇到势垒并沿相反方向反弹时，就会发生反射。

4. 晶体中的电子波：在晶体固体中，电子在原子排列产生的周期性电势中移动。 这种周期性电势调制电子波，产生允许的能级带，称为能带。 电子可以在这些带（导带）内自由移动或保持局限于特定的原子位点（价带）。

5. 态密度：态密度 (DOS) 是给定能级下电子可用态数的度量。 在结晶固体中，DOS 具有特征能带结构，允许电子在特定条件下（例如，吸收光子）在能带之间跃迁。 DOS 对于理解材料的电学和光学特性以及电子在不同外部刺激下的行为非常重要。

《半导体基础》课程：平衡载流子浓度

载子浓度和Fedrmi能级

在半导体物理学中，平衡载流子浓度是指热平衡时半导体中载流子（电子和空穴）的浓度。 这些载流子的浓度由材料的费米能级决定，费米能级是粒子同样可能出现在导带（对于电子）或价带（对于空穴）中的能级。在热平衡条件下，导带电子和价带空穴的浓度是相等的，它们共同决定了半导体的许多重要性质，包括电导率、热导率、光学吸收等。

在本征半导体中，费米能级位于导带和价带之间的中间，导致载流子浓度近似为零。 在 n 型半导体中，费米能级比价带更接近导带，导致电子浓度高于空穴浓度。 在 p 型半导体中，费米能级比导带更接近价带，导致空穴浓度高于电子浓度。

费米-狄拉克分布描述了在热平衡中找到处于特定能级的粒子的概率。 对于远高于绝对零温度的温度，费米-狄拉克分布接近麦克斯韦-玻尔兹曼分布，后者描述了在特定能级找到粒子的概率，而与自旋状态无关。

总载流子浓度可以使用玻尔兹曼分布来计算，该分布描述了在热平衡中找到处于特定能级的粒子的概率。 玻尔兹曼分布由下式给出：

f(E) = A*exp(-E/kT)

其中 E 是载流子的能量，k 是玻尔兹曼常数，T 是绝对温度中的温度，A* 是归一化常数，确定 f(E) 从某个较低能量截止到无穷大的积分等于 每单位体积的电荷载流子总数。 然后可以通过总结导带和价带内所有能级的贡献来计算总载流子浓度。

根据费米分布函数，电子和空穴的浓度由能带结构、温度和费米能级决定。对于本征半导体，费米能级位于禁带中央，电子和空穴的有效质量相等，因此它们的浓度相等。

态密度是另一个重要的物理量，它描述了能带中允许的量子态密度。对于自由电子，态密度与能量的关系为g(E) = 4π(2m)3/2h3E。对于半导体中的电子和空穴，其有效态密度分别为gc(E)和gv(E)，它们与自由电子的态密度相同，但需要考虑有效质量和能量之间的关系。

在热平衡条件下，电子和空穴的分布满足费米分布函数f(E) = 1/(1 + e^(E-EF)/kT)，其中EF是费米能级，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。由于费米分布函数和1-费米分布函数关于费米能级对称，所以当电子和空穴的有效质量相等时，费米能级位于禁带中央，电子和空穴的浓度相等；当电子和空穴的有效质量不等时，费米能级将从禁带中央轻微移动，以保持电子和空穴浓度相等。

载子浓度计算

1. 费米函数：费米函数是一种概率函数，描述给定温度和化学势下系统中粒子（例如电子）的分布。 写为：

f(E) = 1/({exp[(E-μ)/kT]+1}) 对于 E≤μ

f(E) = 1/({exp[(μ-E)/kT]+1}) 对于 E>μ

其中E是粒子的能量，μ是化学势（可以解释为“费米能级”），k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。 费米函数描述了不同能级的粒子如何在系统内分布。

2. 费米-狄拉克积分：费米-狄拉克积分是一种计算给定能级下系统中粒子数量的方法。

写为：∫f(E)dE = N

其中 N 是系统中粒子的总数。 费米-狄拉克积分可用于计算半导体中的载流子浓度，即每单位体积的载流子数量。

3. 载流子浓度与费米能级：载流子浓度取决于费米能级，可以通过掺杂或施加电场来调节。 当费米能级升高（通过掺杂或施加正电压）时，载流子浓度增加，当费米能级降低（通过掺杂或施加负电压）时，载流子浓度降低。

4. 载流子浓度与掺杂密度：掺杂密度是指半导体中每单位体积的掺杂剂原子的数量。 载流子浓度随着掺杂密度的增加而增加，因为存在更多的掺杂原子充当载流子。 然而，通过掺杂可以增加的载流子浓度有多高是有限的，因为掺杂剂原子被电离成自由电荷载流子的概率也是有限的。

5. 载流子浓度与温度：载流子浓度随温度变化，因为它取决于费米-狄拉克分布内粒子能量状态的分布。 随着温度升高，粒子更倾向于在分布曲线内填充更高的能态，从而导致载流子浓度增加。 然而，载流子浓度通过温度增加的高度是有限的，因为较高的温度也会导致晶格振动和其他过程，这些过程可以将载流子电离成自由载流子或导致载流子与空穴复合。

《半导体基础》课程：载流子运输、产生与复合

载流子运输

在半导体的基本概念中，载流子是运载电荷的粒子，如电子和空穴。对于本征半导体，内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。当加正向电压时，即P型半导体加到N型半导体或N型半导体加到P型半导体，多数载流子扩散运动。

在半导体中，载流子传输、产生和再结合是决定半导体器件性能的重要物理过程。

载流子传输是半导体中电子和空穴的输运过程，它由半导体的能带结构和载流子的有效质量决定。在半导体中，电子和空穴具有不同的有效质量和散射机制，这使得它们的输运性质略有不同。电子和空穴的输运性质通常可以通过漂移-扩散模型或量子力学模型来描述。

载流子的产生是通过非平衡态的粒子数分布来增加载流子浓度的一种方式。在半导体中，热辐射和光学激发是最常见的产生方式。当光子能量大于半导体材料的禁带宽度时，光子被吸收并导致电子从价带跃迁到导带，产生一个电子和一个空穴。由于非平衡态的粒子数分布，这些载流子的浓度高于热平衡时的浓度。关于载流子的产生和复合，可以了解半导体的热平衡状态，即在没有外部电场作用时，半导体内部的载流子分布是均匀的。然而，当加正向电压时，即P区与N区之间的电场方向从N区指向P区，电子会从N区流向P区，空穴则从P区流向N区。随着电场强度的增强，载流子的扩散运动增强。

载流子的再结合是指电子和空穴在半导体中相遇并结合成为声子的过程。在半导体中，由于存在各种散射机制，电子和空穴的寿命是有限的。当它们在半导体中相遇时，它们可以结合并释放出能量，这个能量通常以热或光的形式散发出去。

在半导体器件中，载流子的传输、产生和再结合是相互关联的。例如，在太阳能电池中，光子的吸收会激发电子和空穴，然后它们可以通过扩散或漂移传输到电极端，并在电极端收集起来产生电流。同时，电子和空穴也可能在传输过程中再结合并释放出热或光能。因此，对于半导体器件的性能优化，需要深入理解这些物理过程的相互关联和限制因素。

载流子的产生与复合

1. 兰道尔方法：兰道尔方法是研究纳米级系统中传输现象的理论框架。 它专注于系统内不同状态或区域之间电荷载流子的量子力学散射。 兰道尔方法可用于描述电导和电流方面的传输，尤其与纳米级器件中的电子传输相关。

2. 当前从纳米尺度到宏观尺度：纳米级器件中的电流可以在不同的描述水平上进行研究，从单个电荷载流子的量子力学水平到经典电路模型的宏观水平。 在纳米尺度上，载流子由波函数和量子力学运动方程描述，而在宏观尺度上，电流由经典漂移扩散方程描述。 从纳米尺度到宏观尺度的转变涉及弥合这些不同层次的描述。

3. 漂移扩散方程：漂移扩散方程是一个经典的输运方程，描述了半导体中电荷载流子在电场和扩散影响下的运动。 写为：

∂ρ/∂t = div(ρvE) +∇⋅(D∇ρ)

其中 ρ 是载流子密度，v 是平均载流子速度，E 是电场，D 是扩散系数。 漂移扩散方程描述了在指定电场和温度条件下半导体内载流子密度如何随时间和位置变化。

4. 载流子重组：当自由电子与空穴以辐射或非辐射方式重新结合以再次形成中性原子时，就会发生载流子复合。 复合过程在半导体中很重要，因为它们决定了电荷载流子保持自由状态并能够贡献电流的时间。 复合过程在确定半导体的光学特性（例如带隙能量和吸收系数）方面也发挥着重要作用。

载流子运输、产生与复合

5. 载波生成：当外部能源（例如光或电偏压）产生电子和空穴时，就会产生载流子。 在半导体中，载流子的产生可以通过各种机制发生，包括光激发（光泵浦）和碰撞电离（注入）。 载流子生成在太阳能电池和发光二极管等光电器件中非常重要，必须保持载流子生成和载流子复合之间的平衡才能实现最佳性能。

《半导体基础》课程：半导体方程

半导体方程

半导体是一种材料，其导电性介于导体和绝缘体之间。这种材料在电子和通信设备中有广泛的应用，如晶体管、集成电路、太阳能电池等。

一般来说，半导体方程可能涉及以下几个方面的内容：

以下是可能的几个半导体方程：

这些方程是半导体物理的基础，对于理解半导体的性质、设计和应用具有重要的作用。

Fermi-Dirac统计

在半导体中，电子的传导主要受到两种力的影响：电场和磁场。在电场的作用下，电子会受到推动力，而在磁场的作用下，电子会受到洛伦兹力的作用。这些力会影响电子的传导性和运动轨迹。在半导体科学和工程领域，有许多复杂的物理和数学模型用于描述半导体的性质和行为，这些模型可能涉及到量子力学、电动力学、热力学等多个学科领域。

1. 数学公式：半导体方程的数学公式涉及使用偏微分方程来描述半导体材料中电荷载流子的行为。 漂移扩散方程是用于此目的的常用方程，它描述了电荷载流子在电场和扩散影响下的传输。 可以添加其他方程来考虑载流子相互作用、载流子倍增和其他过程的影响。

2. 能带图：能带图用于可视化半导体材料中电子的能态。 它们显示了电子能量与波矢之间的关系，可用于识别材料中电子的允许带和禁带。 能带图对于理解半导体的光学特性（例如光的吸收和发射）特别有用，并且它们还可以提供有关载流子限制和载流子倍增过程的信息。

3. 准费米能级：准费米能级是费米能级概念的延伸，用于描述非平衡态半导体中载流子的分布。 它们用于描述载流子生成、重组和注入过程在相似时间尺度上发生的设备中的载流子群体。 准费米能级在光电器件中特别重要，可用于描述光泵浦或电注入期间载流子生成和载流子复合过程之间的平衡。

4. 少数载流子扩散方程：少数载流子扩散方程描述了在电场和扩散的影响下半导体中少数载流子的传输。 少数载流子是半导体材料中不属于多数载流子类型的载流子，它们的扩散方程通常通过电荷守恒方程与多数载流子类型的漂移扩散方程耦合。 少数载流子扩散方程对于发生少数载流子传输和倍增过程的器件（例如太阳能电池和发光二极管）非常重要。

《半导体基础》课程的学习目标

《半导体基础》课程的参考学习书籍推荐（下载地址：http://www.cloudioe.com/）

《半导体器件原理（Principles of Semiconductor Devices ）》

想要真正理解和掌握半导体基础领域，建议读者阅读《半导体物理（Physics of Semiconductors）》、《半导体物理导论（）》等教材。 这两本书全面介绍了半导体的基本原理和物理性质，包括半导体材料、晶体结构、能带结构、载流子输运、复合等基础知识。 读者可以深入了解半导体的基本原理，为该领域的进一步研究和开发打下坚实的基础。 此外，读者还可以阅读相关综述文章和专著，加深对半导体基础原理和相关研究进展的理解。

《半导体基础》课程的参考学习书籍

我会推荐以下书籍供读者学习半导体基础知识：

1. Dimitrijev, Sima的《半导体器件原理（Principles of Semiconductor Devices ）》：这本教科书全面介绍了半导体器件，包括二极管、晶体管和集成电路。 它实现了理论与实际应用之间的平衡，使读者对设备操作和行为有一个扎实的了解。

2. Mykhaylo Evstigneev的《半导体物理导论（Introduction to Semiconductor Physics and Devices）》：这本经典教科书探讨了半导体物理，包括能带结构、载流子传输和半导体-半导体跃迁。 它为理解半导体的电气特性及其各种应用奠定了基础。

3. Chenming Hu 的《Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits》：这本教科书深入研究了现代半导体器件，包括 CMOS、BJT、JFET 和 MESFET。 它深入研究了设备物理、设计和性能优化，并包括加强理解的实际示例和练习。

4.A. S. Grove 的《半导体器件物理与技术（Physics and Technology of Semiconductor Devices）》：这本教科书全面介绍了半导体器件，包括二极管、晶体管、集成电路和光电子学。 它概述了器件物理、材料和制造工艺，同时强调了实际应用和当前趋势。

这些书籍对半导体基础知识领域进行了精彩的介绍，适合寻求加深对半导体及其器件的理解的学生、工程师和研究人员。

相关问答

半导体技术所需学习的专业课程?

半导体技术基础:先进本科学物理和化学,再以电子物理读研;找到厂商耐心学习实际事务才能形成专业应用课程;半导体技术基础:先进本科学物理和化学,再以电子物理...

半导体物理考研科目..._考研_帮考网

半导体物理是考研中的一个重要科目,属于电子信息类专业的必修课程之一。其主要内容包括半导体物理基础、半导体器件原理、半导体器件制造工艺等方面...

...一个半导体行业的贸易公司，可以学习什么行业的课程_会计学堂

[回答]一样的学习制造行业的课程

华东理工大学光电材料学些什么课程?

华东理工大学光电材料学专业的课程设置主要包括以下方面:光学基础、半导体物理、材料科学基础、光电材料制备与测试技术、光电材料的性能与应用、光电材料工程...

网上看好一位老师的网课，想投资他的课程，请问要怎样操作?

2、科创客的模式本质上就是把产权共享应用到在线课程上,实现了讲师课程产权由讲师独享变为多人共享,这样既可以满足用户对优质课程的投资需求,又大大激励了优...

通信工程的基础课程是哪些?-jk8UmhqTE5m的回答-懂得

原发布者:任鑫00通信工程主要课程详解1、课程名称:电路分析课程简介:本课程主要介绍集总电路中电压、电流的约束关系;独立电流、电压变量的分析方法...

微电子学学些什么?适合什么样的人学?有没有什么特殊要求?申请方

微电子学其实是很大的学科,它里面包括主要两大类:设计电路和制造工艺。设计主要分为模拟电路和数字电路,前者需要较强的知识根基,而后者相对要求低...

电气工程师美国大学课程..._电气工程师_帮考网

以下是美国大学电气工程师课程的一些例子:1.电路分析:这门课程涵盖了基本的电路分析概念,包括电阻、电容和电感等基本元件的特性、电路分析技术和...

计算机专业主要学哪些课程-ZOL问答

1.计算机数学基础本课程4学分,课内学时72,开设一学期。课程的主要内容:线性代数、概率基础、数理统计基础等。2.计算机电路基础(1)本课程4学...

电子科学与技术专业到底是做什么的?申请方

主干课程:电子线路、计算机语言、微型计算机原理、电动力学、量子力学、理论物理、固体物理、半导体物理、物理电子与电子学以及微电子学等方面的专...