pe半导体 一文看懂氧化镓

一文看懂氧化镓

来源：内容由半导体行业观察

1氧化镓的性能、应用和成本

1.1 第四代半导体材料

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料；第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料；第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料，以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半导体材料。

第四代超宽禁带材料在应用方面与第三代半导体材料有交叠，主要在功率器件领域有更突出的应用优势。第四代超窄禁带材料的电子容易被激发跃迁、迁移率高，主要应用于红外探测、激光器等领域。第四代半导体全部在我国科技部的“战略性电子材料”名单中，很多规格国外禁运、国内也禁止出口，是全球半导体技术争抢的高地。第四代半导体核心难点在材料制备，材料端的突破将获得极大的市场价值。

图：按照禁带宽度排序的半导体材料

注：金刚石、氮化铝衬底/外延工艺难度大（气相法生长，每小时几微米，且尺寸仅毫米级）、成本高等问题，难进入功率器件领域。（Ref：H. Sheoran, et al., ACS Appl. Electron. Mater., 4, 2589, 2022）

1.2 氧化镓的晶体结构和性质

氧化镓有5种同素异形体，分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至一定高温时，其他亚稳态均转换为β相，在熔点1800℃时必为β相。目前产业化以β相氧化镓为主。

氧化镓材料性质：

注：由于日盲紫外器件主要使用氧化镓薄膜，本报告中的氧化镓特指单晶衬底，故主要讨论氧化镓在功率器件、射频器件等领域的应用。

1.3 氧化镓：挑战碳化硅

氧化镓是宽禁带半导体中唯一能够采用液相的熔体法生长的材料，并且硬度较低，材料生长和加工的成本均比碳化硅有优势，氧化镓将全面挑战碳化硅。

1. 氧化镓的功率性能好、损耗低

氧化镓的Baliga优值分别是GaN和SiC的四倍和十倍，导通特性好。氧化镓器件的功率损耗是SiC的1/7，也就是硅基器件的1/49。

2. 氧化镓的加工成本低

氧化镓的硬度比硅还软，因此加工难度较小，而SiC硬度高，加工成本极高。

3. 氧化镓的晶体品质好

氧化镓用液相的熔体法生长，位错（每平方厘米的缺陷个数）＜102cm-2，而SiC用气相法生长，位错个数约105cm-2。

4. 氧化镓的生长速度是SiC的100倍

氧化镓用液相的熔体法生长，每小时长10~30mm，每炉2天，而SiC用气相法生长，每小时长0.1~0.3mm，每炉7天。

5. 氧化镓晶圆的产线成本低，起量快

氧化镓的晶圆线与Si、GaN以及SiC的晶圆线相似度很高，转换的成本较低，有利于加速氧化镓的产业化进度。从日本经济新闻网报道的原文“Novel Crystal Technology在全球首次成功量产以新一代功率半导体材料氧化镓制成的100毫米晶圆，客户企业可以用支持100毫米晶圆的现有设备制造新一代产品，有效运用过去投资的老设备。”来看，氧化镓不像SiC需要特殊设备而必须新建产线，潜在可转换的产能已非常巨大。

1.4 氧化镓的应用领域：功率器件

氧化镓的四大机遇：

氧化镓的目标市场：

氧化镓容易取胜的市场：

图：氧化镓在功率器件的市场预测

（Ref：日本FLOSFIA公司）

1.5 氧化镓的应用领域：射频器件

GaN市场需要大尺寸、低成本的衬底，才能真正发挥GaN材料的优势。

同质衬底上生长同质外延的外延层品质是最好的，但由于GaN衬底价格很高，在LED、消费电子、射频等领域采用相对廉价的衬底，如Si、蓝宝石、SiC衬底，但这些衬底与GaN晶体结构的差异会造成晶格失配，相当于用成本牺牲了外延品质。当GaN同质外延GaN，才能用在激光器这类要求较高的应用场景。

GaN与氧化镓的晶格失配仅2.6%，以氧化镓衬底，异质外延生长的GaN品质高，且无铱法生长6寸氧化镓的成本接近硅，有望在GaN射频器件市场得到重要应用。

图：2英寸带有GaN外延层的Synoptics氧化镓晶体管

（Ref：美国空军研究实验室AFRL，2020）

表：GaN外延的衬底材料对比

（Ref：[1] 日本C&A公司；[2] S. B. Reese, et al., Joule, 3, 899, 2019, 美国可再生能源实验室(NREL)）

1.6 氧化镓行业相关政策

国内的支持政策：

美国禁运，呼唤国产化：

2022年8月12日，美国商务部产业安全局（BIS）对第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石实施出口管制，认为其耐高压特性在军事领域的应用对美国国家安全至关重要。

2氧化镓衬底的长晶与外延工艺

2.1 半导体材料的长晶工艺

熔体法是生长半导体材料最理想的方式，有以下几个优势。

氧化镓是宽禁带半导体中唯一有常压液态的材料，即可用上述熔体法生长。氧化镓生长常用的直拉法为熔体法的一种，需要依赖铱坩埚（贵金属Ir单质），原因是直拉法生长氧化镓需要高温富氧的环境，否则原料容易分解成Ga和O2，影响产物，而只有贵金属铱坩埚能够在这种极端环境下保持稳定。

表：半导体材料的长晶工艺对比

图：直拉法生长氧化镓的示意图

（Ref：Y. Yuan,et al., Fundamental Research, 1, 697, 2021）

2.2 氧化镓的长晶工艺

由于直拉法原料挥发较多，氧化镓的长晶工艺从直拉法逐步演变为有铱盖和模具的导模法，两种方法均需使用铱坩埚，目前导模法已成为主流的氧化镓长晶方法。

然而由于铱坩埚的成本和损耗太高，生长几十炉后就会被腐蚀损耗，需要重新熔炼加工，且长晶过程中，铱会形成杂质进入晶体，产业界有很强的无铱法开发需求。

2022年4月，日本经济新闻网发布了一则消息，日本C&A公司采用一种铜坩埚的直拉法生长出2寸氧化镓单晶，能够将成本降至导模法的1/100。

图：两种有铱法生长氧化镓的示意图及其氧化镓单晶产物：（左）直拉法；（右）导模法

（Ref：K. Heinselman,et al., Cryst. Growth Des., 22, 4854, 2022；Y. Yuan, et al., Fundamental Research, 1, 697, 2021）

图：无铱法制备的氧化镓单晶

（Ref：日本C&A公司，2022）

氧化镓生长的工艺流程从原料在坩埚中熔化和拉晶开始，之后经过切、磨、抛的工序，形成氧化镓单晶衬底。再经过外延工艺，得到同质外延或异质外延结构，最终加工为氧化镓晶圆。

图：无铱法与导模生长氧化镓的工艺流程

（Ref：K. Heinselman,et al., Cryst. Growth Des., 22, 4854, 2022；日本C&A公司）

2.3 有铱、无铱的成本对比

图：有铱法生长氧化镓衬底的成本分析

（Ref：S. B. Reese, et al., Joule, 3, 899, 2019, 美国可再生能源实验室(NREL)）

2.4 氧化镓同质外延

氧化镓外延的速率与衬底的晶面取向相关，(100)面同质外延最难，(001)和(010)面较容易，因此在外延和器件工艺中，基本都是选择(001)或(010)面的氧化镓衬底。熔体法生长的优势面即(010)径向面，但是目前主流的EFG导模法仅可得到狭窄长方形晶片，侧面的(100)面最容易获得大尺寸，为了得到有价值的(001)和(010)面，必须制备大厚度的晶体进行斜角侧切，而大厚度晶体工艺较难实现，仅日本报道了超过10mm厚度的晶体，因此目前仅日本可以供应(001)和(010)面的衬底。

2014年，日本东京农工大学首次在(001)面获得大尺寸的外延薄膜，同时，2012-2015年间，β-Ga2O3大晶圆尺寸提高到了4寸，氧化镓的外延工艺推动了器件的发展，真正开启了氧化镓功率器件的应用。这就要求氧化镓的衬底厂商能够提供多规格晶面的产品。

目前，氧化镓外延工艺有HVPE（卤化物气相外延）和MOCVD（金属有机物化学气相沉积），HVPE设备可沉积厚膜、长膜速度快、设备造价低，但相关设备国外已禁运，我国产业界正在呼唤国产化的能力。日本NCT公司已使用HVPE实现了6英寸的氧化镓外延工艺。

2.5 氧化镓的掺杂与器件应用

与SiC类似，氧化镓也有导电衬底和半绝缘衬底，通过掺杂不同的元素获得，在功率器件中有不同的应用。

图：不同掺杂下的氧化镓单晶（直拉法）

（左）掺Si，N型导通；（中）非故意掺杂，N型高阻；（右）掺Mg，绝缘

（Ref：Z. Galazka, et al, Journal of Crystal Growth, 404(184), 2014）

图：(左)典型的氧化镓SBD垂直结构，采用了Si掺杂的导通衬底；(右)典型的氧化镓MOSFET平面结构，采用了Fe掺杂的绝缘衬底

（Ref：J. Zhang, et al, Journal of Synthetic Crystals, 49(11), 2020；Y. Lv, et al., Journal of Inorganic Mater., 23(9), 2018）

3氧化镓的学术研究、应用发展

3.1 氧化镓衬底竞赛

SiC从2寸到6寸花了20年（1992-2012），而氧化镓从2寸到6寸仅4年（2014-2018）

图：国内外氧化镓衬底尺寸进度

（注：CZ为直拉法，EFG为导模法，均需要用铱坩埚，贵金属铱的价格约为黄金的三倍。NICT：日本国立信通院；Tamura：日本田村制作所；Namiki：日本精密宝石株式会社；IKZ：德国莱布尼兹晶体生长研究所）

3.2 氧化镓器件竞赛

图：国内外氧化镓SBD器件进展

（Ref：W. Li, et al., IEEE Electron Device Letters, 41(1), 2020；X. Wang, et al., Journal of Synthetic Crystals, 50(11), 2021.

NICT：日本国立信通院；Cornell：美国康奈尔大学）

图：国内外氧化镓MOSFET器件进展

（Ref：S. Sharma, et al., IEEE Electron Device Letters, 41(6), 2020；X. Wang, et al., Journal of Synthetic Crystals, 50(11), 2021.

NICT：日本国立信通院；ARFL：美国空军研究实验室；Buffalo：美国纽约州立大学布法罗分校）

3.3 针对氧化镓材料缺点的研究

1、解决导热率低的问题

尽管氧化镓存在热量方面的挑战，但氧化镓的散热是工程可以解决的问题，并不构成产业化障碍。如下图所示，美国弗吉尼亚理工大学通过双面银烧结的封装方式解决散热问题，能够导走肖特基结处产生的热量，在结处的热阻为0.5K/W，底处1.43，瞬态时可以通过高达70A的浪涌电流。

图：美国弗吉尼亚理工大学的器件结构，采用双面银烧结的封装方式解决散热问题

（Ref：B. Wanget al., IEEE Electron Device Lett., 42(8), 2021）

2、解决P型掺杂

氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制造P型半导体。近期斯坦福、复旦等团队已在实验室实现了氧化镓P型器件，预计将逐步导入产业化应用。如下图所示，斯坦福大学在2022年8月发表了实验室实现氧化镓P型垂直结构的成果，以Mg-SOG镁扩散的方式，形成PN结，开启电压为7V，开关速度109。

图：斯坦福大学的器件结构，在实验室形成疑似pn结

（Ref：K.Zenget al., IEEE Electron Device Lett., 43(9), 2022）

4氧化镓的产业链与市场空间

4.1 氧化镓产业链

氧化镓衬底和外延环节位于功率器件的产业链上游。类比碳化硅产业链，价值集中于上游衬底和外延环节：1颗碳化硅器件的成本中，47%来自衬底，23%来自外延，衬底+外延共占70%。

随着氧化镓的成本进一步降低，衬底占比会比SiC小得多。

图：氧化镓的产业链

4.2 氧化镓在功率器件的市场

日本氧化镓领域知名企业FLOSFIA预计，2025年氧化镓功率器件市场规模将开始超过GaN，2030年达到15.42亿美元（约人民币100亿元），达到SiC的40%，达到GaN的1.56倍。（注：FLOSFIA预测的数据比Yole预测的偏保守，Yole预测2027年碳化硅功率器件市场容量62.97亿美元，FLOSFIA预测2030年38.45亿美元。）

仅就新能源车市场而言，2021年全球新能源车销量650万辆，新能源汽车渗透率为14.8%，而碳化硅的渗透率为9%，随着新能源车的渗透率提高，市场规模将逐步扩大，目前现在SiC、GaN还远未达到能够左右市场的程度，相较而言，氧化镓的发展窗口非常充裕。

图：全球功率器件市场和氧化镓功率器件市场规模（百万美元）

（Ref：日本FLOSFIA公司）

4.3 氧化镓在射频器件的市场

氧化镓在射频器件的市场容量可参考碳化硅外延氮化镓器件的市场。SiC半绝缘型衬底主要用于5G基站、卫星通讯、雷达等方向，2020年SiC外延GaN射频器件市场规模约8.91亿美元，2026年将增长至22.22亿美元（约人民币150亿元）。

图：碳化硅外延氮化镓器件的市场规模（百万美元）

（Ref：YOLE）

5氧化镓的竞争格局与产业化进展

日本：IDM全产业链领跑全球

国际上只有日本形成量产并开始产业化的应用，主要应用领域为工业电源、工业电机控制等，产业方以安川电机、佐鸟电机为主要代表。日本预计将在2023年量产氧化镓功率器件：

图：日本FLOSFIA公司的氧化镓功率器件市场战略

美国：氧化镓器件研究最为先进

美国目前仅Kyma公司有1寸衬底产品，单晶尺寸上落后于中国，产业链也较为空白。器件成果非常突出，创新能力强大，各种创新的结构和工艺极大地推动了氧化镓器件的进步。

中国：衬底环节紧追日本

我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。不过，我国氧化镓器件的研发处于世界Top3，在IP方面，扭转了在SiC领域的被动局面。目前的氧化镓的产业阶段类似SiC在特斯拉Model 3推出之前的状态，技术储备已经完成，等待标志性事件引爆市场。

总的来说，在未来10年，氧化镓器件将有可能成为直接与碳化硅竞争的电力电子器件，但作为半导体新材料，氧化镓市场规模的突破取决于成本的快速降低。未来几年是日本开始大规模导入氧化镓的关键阶段，中国能否紧跟业界脚步，需要国内氧化镓产业界携手努力。

数据参考：

《β-Ga2O3-N型氧化镓单晶片规范》，中华人民共和国电子行业标准SJ 21444-2018，中电46所

《日本新兴企业量产EV半导体，续航增1成》，日本经济新闻网，2022/08/25

《日企要量产氧化镓晶圆，成本降至1/3》，日本经济新闻网，2022/08/17

《日企在全球首次量产100毫米氧化镓晶圆》，日本经济新闻网，2021/06/16

《氧化镓：宽禁带半导体新势力》，中国电子报，2022/04/22

日本NCT公司：https://www.novelcrystal.co.jp/eng/

日本FLOSFIA公司：https://flosfia.com/

日本C&A公司：https://www.c-and-a.jp/

美国Kyma公司：https://www.kymatech.com/

果壳硬科技

36氪

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半导体估值，砍了：我愿意接受平轮

4月底，一位半导体创始人找我们聊起了最近的遭遇。

刘海林，一家基带芯片创业公司创始人。过去三年，他带领的团队备受VC/PE机构青睐，几乎保持一年完成一轮融资的节奏，投后估值更是每轮翻番。成立至今，公司身后集结了多家知名VC。

今年春节后，他像过往一样开始筹备新一轮融资，但市场情况出乎意料。“带着40亿的估值拜访了一圈投资人，却都反馈要再等等。再加上疫情影响出差，难以拜访更多新的投资机构。”这次他找过来，想打听国内一家头部VC的近况。

研发投入极度烧钱，融资进度不能再拖下去。刘海林已经在考虑，这一轮愿意接受平轮，不涨估值。

这并非偶然。北京某知名硬科技VC合伙人王平透露，最近接触几个半导体项目或多或少开始降了估值。“去年大家不托关系都投不进去，结果现在好几位创始人主动找上门，说估值好商量。”

下调估值的一幕，终于在半导体上演了。

半导体罕见一幕：天价估值降了

创始人放低姿态

无VC不投半导体的画面，仿佛就在昨天上演。

从2019年开始，中国半导体投资迎来了前所未有的热闹景象——过亿元天使轮融资应接不暇，估值暴涨成为了家常便饭，一度连投消费的VC都改行看起了半导体。元禾璞华管理合伙人陈大同去年曾向投资界感叹，“几乎所有的VC都在看半导体。”

这样的一幕我们并不陌生。去年2月，GPU创业公司摩尔线程完成Pre-A轮融资，创立仅100天就跻身独角兽行列，创下了最快独角兽速度；到了11月，摩尔线程又完成了一笔20亿元A轮融资，估值跳到了20亿美元级别。

还有自动驾驶芯片独角兽地平线。投资界去年6月曾独家获悉，彼时地平线完成高达15亿美元大C轮融资。这一轮融资金额已经远远超过大多数知名公司的IPO，估值也涨至50亿美元（约合人民币320亿元）。

“第一次听说竟然还有C7轮。” 参与地平线大C轮融资的某合伙人感慨。这一次融资争抢激烈程度是创投圈历年罕见。正如某位投资人彼时感叹，“这一轮已经不是靠抢就能进，企业对投资方要求很高”。到了后面，纯金融资本很难进，“能投进去就赢了”。

殊不知，2021年全球天使轮估值最高的项目就是来自中国，一家自动驾驶芯片企业。过去两年，半导体估值暴涨现象成为了不少投资人刻骨铭心的记忆，“太贵了，下不去手”。

转折点是在2022年。随着VC/PE出手放缓，半导体估值开始悄悄出现松动。

黄伟，北京一家PE合伙人，他感慨过去两年遇见的半导体项目，估值没有最高只有更高，但结合营收利润来看，这账根本算不过来。“但是，今年创始人都找过来融资，主动表示可以在上一轮估值基础上加一点点，甚至平轮。 ”态度友好，少了之前的咄咄逼人。

最先感受到寒冷信号的，往往是那些冲在第一线的创业者们。 黄伟向投资界透露，最近几个月，不只一家被投企业的创始人找他沟通估值定价，“企业之前跑得太猛，创始人态度强势，现在开始听得进投资人给出的建议了。”

这是以往不会出现的一幕。

过去三年，不少半导体创始人认为估值喊得越高越好，并没有静下来认真考虑融资节奏的可持续性。“现在变化很明显，一些创业者主动冷静下来，不那么纠结估值。 ”黄伟感叹，企业核心竞争力永远是技术创新，而不是估值，但这样朴素的道理在过去几年浮躁的环境下却显得违和，如今是时候回归常识了。

所有人都在争抢融资窗口。北京一位资深FA透露，他们所服务的半导体项目中，已经敲定估值的都已经抓紧在3月之前完成了融资，避免夜长梦多。

其实估值下调序幕才刚刚拉开。深圳一位半导体投资人坦言，相比新消费，半导体估值下调才刚刚开始，一些头部项目依然抢手，好项目估值并没有明显下降。

但随着各种因素叠加，未来几个月肯定会有一批半导体创业公司降估值。“目前大部分半导体创业公司还没有造血功能，如今一级市场集体放缓，盲目坚持估值只会影响融资进展。”

中一签亏1.2万元

半导体破发潮传至一级市场

事实上，半导体估值回调在二级市场已经愈演愈烈。

数据显示，从2021年11月开始，国内A股半导体板块持续下挫，截至今年4月27日，板块指数跌幅已超过30%。破发情况更是不容乐观。据投资界不完全统计，进入2022年，已有14家半导体公司IPO，仅有拓荆科技与纳芯微上市首日没有破发，投资者们往日的中签“吃肉”变成了“割肉”。

其中，4月12日上市的唯捷创芯当日收盘跌幅更是超过36%，创下首日跌幅之最。据悉，唯捷创芯此次IPO发行价为66.6元/股，按照中一签500股计算，中签股民中一签亏超12000元，“以前打新是中奖，现在打新是踩坑。 ”还有今年1月份上市的翱捷科技，由芯片老将戴保家掌舵，即便头顶“基带芯片第一股”光环依然难逃破发。

究其原因，二级市场对于尚属亏损的半导体公司更加谨慎，即便前景看好也未必给予过高估值。

以翱捷科技为例，2018年至2020年及2021年1-6月，公司分别亏损约5.37亿元、5.84亿元、23.27亿元、3.72亿元，未能实现盈利。此外，翱捷科技目前在售产品仍以2G到4G产品为主，面临着诸多国际巨头的激烈竞争。在这种情况下，IPO发行采用高定价，破发也就在所难免。

而今年“超募王”纳芯微，去年一度传闻发行市值高达500亿，但今年出于谨慎考虑，最后公司发行市值200多亿，采取了更为合理的定价策略。

王平是唯捷创芯背后的投资方之一，他对于半导体在二级市场的表现已经做足了心理准备，“准确地说，半导体估值在今年遭遇回调是意料之中的事情，只不过一些客观因素加速了这一现象到来。”

王平直言，在一级市场，很多半导体企业在Pre-IPO轮时估值往往以当时的营收水平、毛利率等指标来判断，实际上这已经到达了高点， 甚至用天价来形容都不为过。而为了让参与较晚的投资方也有钱可赚，这些企业在上市时大部分会冒险地采取高定价发行的策略，缔造了一个个市值神话。

但现在，情况变了。“二级市场的投资者不傻，如今他们更关注企业产品的核心壁垒，看的是企业能否在国际市场立足，能否真正实现国产替代。一旦被发现竞争能力没那么强，二级市场不会再买账， 企业自然也就逃不过破发。”而且，随着半导体行业日趋稳定，大多数芯片项目的PE倍数也会有所回落

估值体系变了，一级市场的投资策略也需要发生改变。以王平所在的投资机构为例，他们内部建立了一套完整的价值判断体系，重点发掘半导体国产替代创新，更看重被投企业的预期成长空间，而不是跟风热门项目，寻求所谓的快进快出。

二级市场情绪不高，创业者也看在眼里。刘海林并不掩饰，原本他创立的这家基带芯片公司在圈内小有名气，但随着“老大哥”翱捷科技的破发，VC开始对同类型的创业公司打起了问号。

他有几位做芯片的朋友身处上海，疫情原因导致供应链受到了影响，“他们现在都不敢保证BP上写着的营收目标能完成，如果后续想要融资，估值势必也要打折了。”

给创业者敲响警钟：

先拿钱再说，赶紧多备粮草

拒绝幻想，认清现实，这是一场席卷整个创投圈的寒冬。

这几天，一个段子在朋友圈流传甚广：每当创投行业身处困境，就会有张颖同志内部发言流出，易凯王冉同志发文跟上，华兴包凡同志总结陈词，其他同志默默转发。同行给他们取了一个组合名字：岁寒三友。

调侃归调侃，但投资人比创业者更早感知变化。不久前，清科研究中心公布了一组看着揪心的数据——今年一季度市场明显放缓节奏，投资案例数和金额分别同比下降27.5% 和47.1% ，换言之，今年投出的钱比去年同期少了近一半，堪称腰斩。

现实情况是，估值下调不只发生在半导体。除了我们众所周知的新消费，还有创新药、SAAS领域，这无疑给所有创始人敲响了警钟。

但依然有着火爆的赛道，比如新能源。此前在一家专注于硬科技行业FA工作的刘亚丽，服务过最多的项目便是半导体创业公司。最近她对投资界透露，已经跳槽至一家年初刚完成天使轮融资的储能公司。

新能源估值暴涨一如过去的半导体。以一家成立5年的固态电池企业为例，在创立初的前两年完成了几轮融资后，此后很长时间都没有融资官宣。直到2021年，VC/PE开始排队登门，包括小米、华为在内的产业资本纷纷出手，该公司仅一年时间估值就从20亿元喊到了150亿元。

一位不愿具名的VC坦言，很多新能源创业公司刚成立没多久，产品谈不上商业落地，但估值已经翻番的喊，“如今半导体的境况会不会在日后新能源上重演？常识告诉我，会的。”任何一个风口都会经历估值暴涨到回归理性的路径，无一例外。

正如此前国中资本施安平所说，“一个明明A轮的企业，却要了B轮甚至C轮的钱，提前把生命透支，后边没人敢接了。这对于一个爬坡阶段的创业公司来说，无疑是致命的打击，没有持续的融资，企业就没有现金流，就意味着死亡。”

“创始人要能屈能伸，该下调估值就果断出手，先拿钱再说。”面对不确定性，多家投资机构老大已在内部紧急提醒被投企业。

投资界从多家头部机构获悉，他们从今年1月开始要求投后同事集中服务被投企业的融资事宜，劝说创始人能拿钱赶紧拿，不要太在意估值，赶紧多备粮草。

历史经验告诉我们，所有伟大的企业家都有一个共同的特质，就是危机意识特别强。包括华为任正非，他每天思考的是失败而不是成功，所以写《华为的冬天》，比尔·盖茨常说微软离破产只有18个月。

敬畏周期，剩者为王。回想2008年金融危机，红杉资本给所有被投CEO发了一封著名的信，提到一句：“Cash is important than your mother ”（现金比你妈妈更重要）。2018年秋天，同样是一个艰难时期，达晨财智执行合伙人、总裁肖冰坦言2019年的目标是——活下去。

如今看来，依然应景。

*文中出现的刘海林、黄伟、王平、刘亚丽皆为被访人化名。

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pe板材之工艺流程及应用领域你知道么?

[回答]pe板材属于工程塑料板材的一种,其主要工艺流程如下:原料检验,选用与均化配料→球磨→除铁过筛→喷雾干燥,造粒→粉料陈腐,除铁→成型→烘干→印花→...

四川猛犸半导体怎么样?

四川猛犸半导体是一家很不错的公司。四川猛犸半导体科技有限公司成立于2019年11月,是一家专业从事半导体器件和太阳能电池专用设备研发、制造和销售的公司。...