三星西安半导体工厂工艺升级 正采购236层NAND芯片生产设备
【太平洋科技资讯】 10月16日消息，韩国的三星电子和SK海力士等公司获得了美国政府的无限期豁免，这意味着他们在中国的工厂可以无需特别许可就可以进口美国的芯片设备。这对于三星来说无疑是一个重大利好，他们在获得豁免后已经开始采取相应的行动。
据外媒报道，三星电子的高层已经决定将其位于西安的NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并已经开始进行大规模的扩张。
由于全球IT市场需求低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的NAND业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。尽管通过减产政策略降低产量后有所改善，但三星仍然需要尽快实现工艺升级。
消息人士透露，三星已经开始采购最新的半导体设备，预计这些新设备将在2023年底交付，并在2024年陆续引进到西安工厂，用于生产第8代NAND的设备。这一举措被业界视为是三星在全球NAND需求疲软，产能下降的情况下，采取的战略步骤。
通过升级最新的第8代NAND产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第8代NAND相比第6代晶圆投入减少约30%，更能平衡市场供应和需求。
据了解，三星(中国)半导体有限公司于2012年在西安高新区设立，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。该工厂在2020年增设了第二期工厂项目，目前已经发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，占据了三星NAND总产量的40%以上。
【知多D】
三星2022年彻底放弃LCD业务，据 TheElec 报道，显示22年 6 月三星将其在美国与 LCD 相关的专利转让给了 TCL 华星。消息人士称，三星显示上个月也将其在韩国的专利转让给了 TCL 华星，其在美国共有 577 项专利被授予。
获“无限期豁免”后，三星西安工厂将升级236层NAND技术！
10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
报道称，在取得豁免后，三星高层已决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。
△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片
报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。这也被业界视为在当前全球NAND Flash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。
根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。其中，三星半导体西安工厂，是该公司唯一的海外內存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NAND Flash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NAND Flash产总量的40%以上。
资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。
编辑：芯智讯-林子
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