长鑫存储取得半导体结构及其形成方法专利
金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，授权公告号CN 115020408 B，申请日期为2021年3月。
本文源自金融界
长鑫存储取得半导体结构及其制备方法专利
金融界 2024 年 9 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号 CN 113948475 B，申请日期为 2020 年 7 月。
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