半导体展 第六届深圳国际半导体展开幕

小编 2024-10-06 生态系统 23 0

第六届深圳国际半导体展开幕

图为第六届深圳国际半导体展现场。主办方 供图

中新网广东新闻6月26日电 (记者 陈文)6月26日,SEMI-e第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心开幕,展会现场815家展商汇聚,观众达2万余人。

本届展会特设三馆六大区,覆盖包括芯片设计、晶圆制造与封装,半导体专用设备与零部件,先进材料,第三代半导体/IGBT,汽车半导体为主的半导体产业链。

作为行业内专业半导体展会平台,多家企业亮相,包括华天科技、上海华力、中环领先、通富微电、华进半导体等,全方位展示半导体行业的新技术、新产品。

除了展览,还将举行多场主题峰会。其中包括“半导体产业技术高峰会”“第三代半导体产业发展高峰技术论坛”“2024中国汽车半导体大会”。

来自华为、天科合达、英诺赛科、北方华创、华进、上海贝岭等半导体领域的专家、企业高管,将分享半导体先进制造和封装技术,以及SiC最新的应用解决方案。(完)

圆满收官丨中恒微闪耀慕尼黑上海电子展

7月10日,2024年慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满收官。中恒微半导体作为专业的功率模块生产商,携最新产品和应用解决方案参加了此次盛会。

慕尼黑上海电子展是全球电子行业的盛会,本次展会汇聚了国内外1600余家优质电子企业,覆盖从产品设计到应用落地的整个产业链。展会的主题聚焦于新能源汽车、储能、智能驾驶、卫星通信、机器人、智慧电源、第三代半导体等领域,将行业内的新技术、新产品、新应用汇聚一堂,打造专业展示平台。

依托于在高可靠性和高性能功率模块上的持续投入,中恒微集中展示了丰富的产品组合和成熟应用,彰显了深厚的技术积累和产品储备。展会现场吸引了众多客商的驻足围观,参观者络绎不绝,现场工作人员也积极为大家详细讲解各个产品的参数特性,匹配合适的产品以及展示它们在不同领域中的应用方案。

工业功率模块

一直以来,中恒微与工业、新能源汽车、光伏储能等领域主流客户持续开展深度合作,构建了长期稳健的供需关系,蓄力放大协作效应。以工业应用解决方案展示为例,中恒微功率模块着力展示芯片技术的优势。目前在芯片技术层面,中恒微已达国际先进的IGBT7技术水平,采用最新型微沟槽栅技术,极大程度上降低了模块的导通损耗和开关损耗。由于芯片体积缩小了约25%,现有功率模块封装能够纳入更高的标称电流,在应用中能够增加最大输出功率和功率密度,实现更低的系统成本;在封测技术层面,中恒微采用先进的封测技术,如:焊片焊接、铝线键合、超声波焊接、多芯片并联均流等工艺,提高了功率密度,增加了导通能力,降低了开关损耗,提升了模块可靠性。

产品电压: 650V/1200V/1700V

产品电流: 15A-800A

产品特点:

l第七代IGBT芯片技术

l焊片焊接,低空洞率,寿命长

l铝线键合,灵活性高,通用性强

l端子超声波焊接,可靠性高

l端子自动插接,自动化高

典型产品:

新能源汽车功率模块

在新能源汽车应用解决方案的展示中,中恒微的功率模块产品,在A00-A0级/轻卡(25KW-120KW),B-C级/物流车、商用车(120KW-220kw)以及220KW以上功率段应用中展现出技术优势,模块的性能、长期可靠性、质量得到了行业龙头企业客户的积极认可,目前已被大量采用。另外,在本次展会上发布的DriveZM1(DCM)和DriveZM2(T-PACK)系列封装产品,具有高功率密度、高可靠性、低导通电阻、低动态损耗等特性,与采用第七代IGBT芯片技术的DriveZ62系列产品形成明星产品矩阵,闪耀慕尼黑电子展,受到众多客户追捧。

产品电压: 650V/750V/1200V/1700V

产品电流: 200A-1000A

产品特点:

l焊片焊接,低空洞率,寿命长

l铜线键合,载流能力强

l端子超声波焊接,可靠性高

lPin-fin底板使用,散热能力强

典型产品:

光伏储能功率模块

在光伏储能方面,中恒微带来的整体解决方案,包含IGBT功率模块、SiC功率模块以及混合模块的产品组合。丰富的系列产品类型覆盖微型逆变器、组串式逆变器、储能变流器、APF、SVG等大中小功率段应用,可以完美替代国外进口品牌产品。

产品电压: 650V/1000V/1200V/1700V

产品电流: 50A-800A

产品特点:

l焊片焊接,低空洞率,寿命长

l铝线键合,灵活性高,通用性强

l端子超声波焊接,可靠性高

l端子自动插接,自动化高

典型产品:

SiC系列功率模块

在第三代半导体领域,中恒微自2020年以来完成了在多种通用封装上的SiC模块开发,并在新能源汽车、光伏储能、工业控制、电力装备等行业实现了SiC产品的普遍应用,产品具有高可靠性、低开关损耗、低导通电阻、低杂散电感等特性。同时针对相同性能下的低成本方案,中恒微提供SiC和IGBT融合的混合模块产品,得到客户的广泛肯定和喜爱。

产品电压: 1200V/1700V

导通电阻: 2mΩ-22mΩ

产品特点:

l焊片焊接,低空洞率,寿命长

l纳米银烧结,导电/机械性能高

l端子超声波焊接,可靠性高

l铜线键合,载流能力强

典型产品:

本次成功参展,充分展现了中恒微的产品优势与行业应用方案,加深了与客户和合作伙伴的互动,拓宽了市场渠道,提升了中恒微在行业内的知名度和影响力。也为中恒微未来的发展和合作奠定了坚实的基础。

笃行不怠,驰而不息。中恒微半导体将继续锚定目标,致力于提高国产模块的功率密度与长期可靠性,从更高功率、更高效率、更高可靠性等多维度全面发力,打造属于我们自己的IGBT和SiC功率模块特色工艺技术,为客户提供更优质的产品和行业应用解决方案,推动功率半导体行业的持续发展。

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