教程推荐｜半导体器件原理（复旦大学版）

以前向大家推荐过揭秘集成电路制造过程的视频，相信看过的朋友会对其制造过程有一个直观的了解。今天向大家推荐一门从事半导体设计或制造所必不可少的基础课：半导体器件原理。

看点

半导体器件是微电子学的基础课程，在对半导体物理的基本原理有一定了解后，了解和掌握半导体器件的基本理论和物理模型对于微电子学及相关专业人员是非常必要的。本系列课程由复旦大学蒋玉龙老师为我们讲解，蒋玉龙老师系统的介绍了集成电路中的半导体器件的工作原理，着重讲解了半导体器件的物理概念及物理模型，以及基本的公式推导和计算。蒋玉龙老师的讲解诙谐幽默，生动形象，深入浅出，对学习本课程大有裨益。

观看教程请点击“

了解更多 ”

半导体器件物理领域研究获进展

半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。

低温下半导体器件所广泛表现出的非线性伏安（I-V）特性的具体物理原因是备受关注的话题之一。此前，多数研究将非线性I-V特性归因于电场对半导体材料中的电子跃迁速率的均匀调制效应。这一解释没有解决非线性输运的问题，反而引发了更激烈的争论。

中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队从理论方面提出了载流子的“集体输运效应”（collective transport）的物理机制。该理论认为外电场所导致的非均匀分布的渗流路径生长产生了collective transport效应，进而在器件尺度上导致非线性的I-V特性。在实验方面，该团队进一步在聚合物器件中，通过巧妙地控制半导体的维度实现了对器件渗流阈值的控制，并在此基础上通过对器件I-V非线性程度的控制直接证实了非线性输运来源于collective transport这一假设。该工作实现了关于上述话题互存争议的各种假设的统一，为发展操控半导体器件I-V特性的方法提供了理论依据。

相关研究成果以Collective Transport for Nonlinear Current-Voltage characteristics of Doped Conducting Polymers为题，发表在《物理评论快报》【Physical Review Letters 130, 177001 (2023)】上。