台积电申请半导体器件及其形成方法专利，改善半导体器件的性能
金融界 2024 年 7 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号 CN202410336145.2，申请日期为 2024 年 3 月。
专利摘要显示，一种半导体器件，包括：第一电极；第一界面层，与第一电极接触；第一插入层，位于第一界面层上，第一插入层具有超过约 70％的第一面积比率的第一正交相（O 相）区域或第一单斜相（M 相）区域；第一介电层，位于第一插入层上，第一介电层具有超过第二 O 相区域和第二 M 相区域的面积比率的第二面积比率的四方相（T 相）区域；第二插入层，位于第一介电层上，第二插入层具有超过约 70％的第三面积比率的第三 O 相区域或第三 M 相区域；第二界面层，与第二插入层接触，第二界面层为与第一界面层不同的材料；以及第二电极，位于第二界面层上。本申请的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
本文源自金融界
台积电申请半导体器件及其形成方法专利，提供了半导体器件及其形成方法
金融界 2024 年 7 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号 CN202410336144.8，申请日期为 2024 年 3 月。
专利摘要显示，提供了半导体器件及其形成方法。一种示例性方法包括在衬底上形成堆叠件，并图案化堆叠件和衬底的部分以形成鳍形结构，该鳍形结构包括由衬底形成的基部和由堆叠件形成的顶部部分。该堆叠件包括与多个牺牲层交错的多个沟道层和设置在相邻沟道层和牺牲层之间的多个二维（2D）材料层。该方法还包括选择性地去除顶部部分的牺牲层以形成设置在基部上方的多个沟道构件，形成第一栅极结构和在第一栅极结构上方的第二栅极结构。第一栅极结构包裹围绕沟道构件的底部部分。第二栅极结构包裹围绕沟道构件的顶部部分。
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