前赴后继，还有38家芯片公司在上市辅导

前面两篇文章盘点了上市失败以及上市中止的芯片公司，这些都是属于已经向证监会报过材料的。

不过鉴于这两年受半导体周期下行影响，可能被套住的投资人也多了，

无论如何，半导体作为一个周期性行业，复苏只是时间问题 ，该干的事儿还得继续往下干，今天就能盘一盘这些处在上市辅导期的“后备力量”。

1. 北京昂瑞微： 做射频前端的，产品包含了2G/3G/4G/5G全系列射频前端以及物联网SoC等，和飞骧科技以及慧智微是一个赛道，公司前身是前锐迪科出身的钱永学于2012年创办的中科汉天下，2019年更名为昂瑞微，公司产品主攻消费电子市场，打入了几乎所有的国产手机和ODM厂商，更是得到了小米和华为的联合投资，于2023年3月在北京证监局开启了上市辅导。

2. 芯洲科技： 做电源管理芯片的，核心产品是高压大电流DC/DC，也做功率驱动器和高集成的PMIC，公司比较年轻，2016年成立，2018年产品后往汽车方向转移，目前已做进不少客户，公司也获得了汇川、中芯聚源及高瓴资本的加持，核心人物为徐军，公司2022年底在北京证监会辅导，目前已辅导完成，但迟迟没报材料。

3. 同光晶体： 做4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底的，由郑清超2012年在河北保定创立，2017年4英寸衬底研制成功，2020年业务爆发后扩产，2024年内部产能规划达30万片，公司已融到F轮了，属于资本驱动的重资产行业，必须上市才能解套，2022年3月在河北证监局辅导，公司短期内应该还难以盈利。

4. 上海兆芯： 国产CPU之光，由联和投资与中国台湾威盛于2013年合资成立，主打X86架构，产品有“开先”PC /嵌入式处理器和“开胜”服务器处理器两大产品系列，当年兆芯的融资是半导体界的一大盛事，公司也被民间戏称上海市政府的“亲儿子”，上市应该是没跑的，2023年8月份开始在上海证监局上市辅导。

5. 上海灵动微： 做32位通用MCU的，公司目前排名同业处于中上游，2011年成立之初是做代设计服务，2014年开始自己研发MCU，2017年后陆续推出产品，赶上了2021年的缺芯潮，公司核心人物为吴忠洁，2022年10月在上海证监局启动上市辅导，目前仍是辅导备案状态，MCU这两年竞争激烈，公司应该面临不小的压力。

6. 移芯通信： 做蜂窝物联网芯片的，由Marvell出身的刘石于2017年创立，短短几个月时间做出来CAT.1，与竞争对手翱捷科技因为这个技术的事还对簿公堂，公司后来在物联网芯片的路上一路狂飙，发展成业内一只重要的力量，2023年6月在上海证监会上市辅导。

7. 山景集成电路： 做音频MCU和通用MCU的，由海龟人士于2005年创立，大股东方海涛，属于行业老兵，公司一直专注在音频MCU领域，曾挂牌新三板，后来又于2018年退市，公司貌似在TWS耳机这波有些掉队，2020年曾经上市辅导过一次，但随后又和兴业证券解除了合作，2022年1月在国金证券加持下又开始上市辅导，至今也没有动静，值得一提的是，该公司至今未引入过外部投资机构。

8. 季丰电子： 做芯片第三方测试的，打造一站式芯片工程技术实验室服务，跟伟测科技一个赛道， 公司2008年就成立了，远早于伟测，但是上市之路却落后于伟测，曾挂牌新三板，后来也退市了，2023年1月开始在上海证监会上市辅导。

9. 奉加科技： 做低功耗蓝牙芯片的，跟泰凌微一个赛道，公司成立于2015年，曾获武岳峰资本、正心谷创新资本、华睿投资、君擎投资等融资，目前低功耗蓝牙赛道比较拥挤，天花板看起来也有限，但泰凌微的上市给了行业很多信心和鼓励，奉加科技也于2023年1月开始上市辅导。

10. 逐点半导体： 做手机视觉处理芯片、视频转码芯片和3LCD投影仪主控芯片的，其中3LCD投影仪市场作为公司的传统强势业务，市场占有率始终稳定在80%以上。公司成立于2004年，是纳斯达克上市公司Pixelworks Inc.（Nasdaq：PXLW）在中国的控股子公司，成立至今，逐点半导体已获得摩尔超越基金、嘉楠科技、芯原股份、北京屹唐、龙鼎投资、小橡投资等知名产业资本和半导体厂商的投资。公司2023年6月开始上市辅导。

11. 矽睿科技： 做MEMS传感器的（六轴IMU、加速度计、智能传感器、光传感器），跟歌尔微、明镐传感一个赛道，矽睿科技跟兆芯很像，也是上海联和旗下企业，国资背景，它先后整合了麦歌恩、驭芯科技、安森美半导体 MEMS 事业部等境内外相关资产，公司在融资市场也是明星般的存在，得到小米科技、华虹宏力等重量级机构的投资，曾冲击创业板未果，2023年1月换了券商，又在上海证监会上市辅导。

12. 韬盛科技： 做用于芯片测试的MEMS探针卡的，公司2007年4月成立，是国内半导体领域最早专注专业测试接口产品及方案的提供者之一，也是国内测试插座领域技术最领先和规模最大的公司。客户包括世界领先的手机芯片、存储芯片和AI芯片厂商，股东阵容豪华，包括了上汽旗下的尚颀资本、君信资本、南京俱成、复旦创投。 公司核心人物殷岚勇，2023年7月份开始上市辅导。

13. 芯圣电子： 做8位MCU的，相比现在32位来说稍微低端了些，之前从没听过，不过公司成立倒是挺久，2009年就成立了，没引进过外部投资机构，2022年4月份也上市辅导了一把，现在没动静了。

14. 晟矽微： 做通用型及专用型的8位和32位MCU的，主要针对小家电、消费电子等产品，公司2010年成立，曾挂牌新三板，得到武岳峰、新潮创投、上海科创等知名机构投资，之前曾想冲击科创板，现在改成了北交所，已经在上市辅导了。

15. 江苏展芯半导体： 电源管理芯片厂商，公司大股东为创业板上市公司宏达电子，看背景应该是主攻军工领域的芯片公司，得到了投资机构大力追捧，公司非常低调，网上能查到的公开信息很少，应该是军工体系内的公司，不透明。2024年1月在江苏证监会上市辅导。

16. 海光芯创： 做光模块的，严格来说不算芯片公司，成立于2011年11月，主要产品为传输速率为25Gb/s、100Gb/s、200Gb/s、400Gb/s的光模块，获得中芯聚源、华登等业内知名机构投资，2020年底开始上市辅导的，3年多过去了，杳无音信。

17. 无锡晶源微： 做电源管理芯片的，要产品为AC-DC、DC-DC、LDO、音频功放等，2003年就成立了的老公司，实控人朱伟民，公司没有行业知名股东投资，股东大多是自然人，可能比较低调，2024年1月开始了上市辅导。

18. 南京智凌芯： 做电源管理芯片的，具体产品包含LDO全系列、锂电充电管理系列、中小功率ACDC系列等，公司运营主体是苏州智浦芯联，之前被昂宝告过，搞了一轮较大的Pre-IPO融资，2022年6月开始的上市辅导，目前没动静了，估计悬了。

19. 芯长征： 一级市场的国产IGBT芯片一哥，2017年成立，核心人物是来自中科君芯的朱阳军，公司是一级市场独角兽，融了大量资金，主动挑起价格战抢占市场份额，如今营收已到达一定体量，2024年2月份在江苏证监局开始了上市辅导。

20. 南京沁恒微： 做通讯接口芯片和全栈MCU芯片的，也做快充的USB系列芯片，核心人物王春华，曾得到中芯聚源、超越摩尔、毅达等知名机构加持，2022年9月在江苏证监局辅导，按说如今辅导期已经满了，也没动静了。

21. 苏州华太电子： 做射频芯片和功率芯片的，主要包括射频的RF LDMOS，功率的Super IGBT，封装材料的高端热沉和ACS管壳以及专用SoC芯片，公司2010年成立，目前拥有四大业务线条，核心人物为张耀辉，得到元禾璞华、毅达、金雨茂物等机构认可，公司2022年底开始的上市辅导，如今已经辅导期满，暂无最新进展。

22. 易兆微： 请注意是易兆微，做WIFI和蓝牙芯片的，不是北京那个做Nor Flash的兆易创新，珠玉在前，这个易兆微显得多少有些山寨了，这是2014年成立的公司，处在非常拥挤和低天花板的wifi和蓝牙赛道，至少现在在资本市场是不吃香了，纵使有小米产投加持，恐怕也难有大发展，公司2020年6月上市辅导的，这已经过去4年，大概率是没戏了。

23. 伏达半导体： 做快充芯片的，主要是无线充电和有线充电，在业内是比较知名的公司，算是曾经的准独角兽，创始人为美籍华人王新涛，2014年创立伏达，股东阵容非常豪华，包括了华业天成、SK海力士、耀图资本、新潮创投、宜宾晨道、深创投等大牌机构，融了巨多的钱，要上市才能退出，公司2022年底上市辅导的，转眼一年半过去了，没有下文。

24. 合肥宏晶微： 做音视频处理芯片的，2009年成立，核心人物为刘伟，公司营收和利润处于中等水平，得到了合肥产投和元禾璞华的投资，所属赛道增量有限，体量可能比较适合北交所，公司2022年底开始了上市辅导。

25. 东科半导体： 做AC/DC芯片的，2016年开始布局氮化镓，搭配自己的AC/DC用，主要针对充电市场，公司目前有6条封装线，得到了大基金二期和超越摩尔等一众机构加持，2021年0月份开始的上市辅导，2年半过去了，估计上市没戏了。

26. 安徽钜芯半导体： 请注意这家和做TWS的炬芯科技不是同一家（起名很重要），这家和安芯电子一样，都是处在安徽池州的功率器件IDM型企业，重资产型企业，规模不大，上市比较困难，核心人物曹孙根，公司2023年11月开始的上市辅导。

27. 武汉新芯： 国内Nand Flash原厂扛把子长存旗下资产，专注于NOR Flash存储芯片制造，拥有华中地区首条12英寸生产线，2017年就开始盈利了（举集团之力），这种大买卖，参与方也都是国资为主，上市属于政治任务了，是必须要完成的事情，公司2024年5月开始上市辅导。

28. 金维集电： 做北斗导航和基带芯片的，能提供毫米级精度，主要面向车载应用，公司2013年成立，大股东海格通信为国资背景，由于切入点比较精准，背靠国企做北斗芯片，有一定独特性和稀缺性，公司先后融了5轮，2023年底开始了上市辅导。

29. 中星微： 古早级芯片公司，由中国芯片之父邓中翰于1999年创立，主营多媒体芯片，2005年登陆纳斯达克，10年后公司将安防视频监控业务拆分出来并私有化，曾一度出售给上市公司综艺股份，后被否决，2018年独立上市提交创业板，被否决，2020年报创业板又不成，2023年8月又开始上市辅导，准备再次冲击上市。

30. 一微半导体： 做机器人主控芯片、高性能模拟器件、快充协议芯片、车载控制器的，其中机器人主控芯片是核心业务（针对清洁机器人、商用机器人等），公司2014年成立，由于切入点较好，获得了小米、中金、武岳峰等机构投资，目前公司已经融到了D轮，从概念上来看，有稀缺性，受到资本市场追捧，公司2022年6月开始的上市辅导。

31. 极海微： 做打印机主控芯片的，是上市公司纳斯达分拆出来的资产，脱胎于艾派克，大基金二期是股东，从母公司分拆后，公司业务拓展到工业及汽车领域，但基本盘还是打印机主控芯片业务，2023年2月开始的上市辅导，目前分拆上市困难重重，预计极海微上市概率不大，辅导了个寂寞。

32. 广东天域： 我国首家，全球第五家碳化硅外延片企业，2009年成立，中科院院士王占国领衔研发团队，碳化硅外延片也是重资产型企业，公司在一级市场是独角兽，融了巨量资金，机构需要通过IPO来回收投资，公司2023年1月份开始的上市辅导，目前没有动静。

33. 重庆平伟实业： 公司名字取得像个的乡镇企业，然而却是一个货真价实的高科技功率半导体IDM公司，2007年成立，比较老牌了，主营中低压和高压功率器件、模块等，在股东结构上，公司并未引进任何知名外部股东，结构非常简单，推测公司营收和利润状况不错，对融资需求不强，2023年底公司开启的上市辅导，且看它何时报材料。

34. 重庆物奇微： 做WiFi芯片、蓝牙音频芯片、PLC电力载波芯片以及边缘计算芯片的，其中wifi芯片是主力，公司2016年成立，是比较新兴的黑马公司，获得了小米顺为、华为哈勃、中芯聚源等顶级机构的加持，业绩也是蹭蹭往上涨，已经在2023年5月份开始了上市辅导。

34. 深圳华普微： 做无线射频和传感器芯片的，公司有独特的"NextGenRF"算法、PlutoIOTPlutoWAN协议，以及硅压阻式传感器芯片设计技术，产品主要面向户外运动、电子导航、工业测量、环境监测等各个领域，华普属于2004年成立的老公司，自成立起没融过资，目前股东只有两个自然人，核心人物是武怡康，2023年1月份开始上市辅导。

35. 威兆半导体： 做功率器件的，产品包含低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管和模块，产品广泛用于消费、工业及汽车领域，公司股东阵容也够豪华，包括了小米、北汽、OPPO、英特尔等产业资本的投资，算是稳扎稳打的企业，核心人物李伟聪，公司于2022年底在深圳证监局备案上市辅导，不知何故一直没有下文。

36. 锐石创芯： 做4G/5G射频前端芯片的（射频功率放大器），主要针对手机市场，公司2017年创立，可能是团队背景比较强，公司得到了几乎所有主流手机厂商背景的产投机构投资，2022年5月份开始的上市辅导，不过可能赶上了消费电子下滑，目前没有上市的新消息了。

37. 宁波群芯微： 做光耦、光继电器、光传感器的，产品应用于消费电子、工业等各领域，有自己的研发和封测基地，重资产型企业，核心人物为陈益群，作为一家2018年成立的公司，历史不算久，可能还需要沉淀一下，2023年1月开始的上市辅导。

38. 宸芯科技： 做通信SoC芯片的，专用通信，移动通信、物联网、车联网四大市场，公司属于中国信科集团旗下二级公司，2019年才刚成立，短短几年，营收冲到了5个亿以上，利润也近小1个亿，应该是股东爸爸起了大作用，公司2022年底在青岛证监局备案上市辅导，至今没有新一步进展，就它这关联交易的情况，上市恐怕有割韭菜嫌疑。

以上38家大概就是我国目前处在上市辅导期的企业了，很明显，这其中有的是资格完全不够，强行蹭一把热度的，有些是有点实力，还需要进一步规范整合的，还有一些是实力量级都够，迟早会上市的。

因为还处在上市辅导期，理论上讲，还有Pre-IPO投资的机会，看看哪些敏锐的投资者能发现机会，成功淘金。

这些MOS管广受好评，威兆历年拆解案例汇总

前言

随着快充的飞速发展，快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升，同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业，拥有创新，稳定，高效率，低成本的整体解决方案，同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件，以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。

威兆应用案例

本次充电头网汇总了近几年的产品拆解中，涉及到威兆同步整流管家族中的产品应用案例，通过整合发现，威兆的同步整流管方案十分受欢迎，助力充电器向更高效、更轻薄方向发展。

低压同步整流管

威兆VS1605APM

威兆VS1605APM是一颗增强型NMOS，耐压100V，导阻6.3mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，可用于同步整流电路。

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威兆VS3506AE

威兆VS3506AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关速度快，导阻低，导阻为6mΩ。

VS3506AE同样采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关管。

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威兆VS3508AE

威兆VS3508AE是一款耐压30V的增强型PMOS，采用PDFN3333封装，效率高，导阻为8.5mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，常用于作为输出的VBUS开关。

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威兆VS3508AS

威兆VS3508AS是一款耐压30V的增强型PMOS，使用5V逻辑电平控制，采用SOP8规格封装。开关频率高，更高效，导阻为8.5mΩ。

这款器件同样采用无铅无卤素工艺，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。

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威兆VS3510AE

威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关频率高，导阻为10mΩ。

这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输入保护。

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威兆VS3518AE

威兆VS3518AE是一颗耐压30V的增强型PMOS，采用PDFN3333封装规格，效率高，导阻为15mΩ。

这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于USB-C口输出的VBUS开关。

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威兆VS3522AE

威兆VS3522AE是一款增强型PMOS，耐压30V，使用5V逻辑电平控制，采用PDFN3333封装规格，导阻为6mΩ。

这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于输出开关管。

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威兆VS3610AE

威兆VS3610AE为5V逻辑电平控制的增强型NMOS，开关频率高，导阻为4mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出同步整流降压。

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威兆VS3618AE

威兆VS3618AE是一款耐压30V的增强型NMOS，采用PDFN3333封装，导阻为6.4mΩ。

这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。

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威兆VS3618AP

威兆VS3618AP是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平控制，效率高，导阻低，当仅为5.4mΩ，采用PDFN5x6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于同步升降压电路。

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威兆VS3618BE

威兆VS3618BE是一款耐压30V的增强型NMOS，封装为PDFN3333，导阻为5.2mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，在产品中多用作VBUS开关。

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威兆VS3620GPMC

威兆VS3620GPMC是一款采用VitoMOSⅡ工艺制造的增强型NMOS，耐压30V，导阻为5.4mΩ，采用PDFN5*6封装方式。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于同步降压开关管。

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威兆VS3622AE

威兆VS3622AE是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平驱动，导阻为7.9mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于VBUS开关管或驱动无线充电线圈。

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威兆VS3622DB

威兆VS3622DB是一款双NMOS管，耐压30V，双管集成的形式有效提升性能，具备低栅极电流和低导通电阻特性，导阻分别为8.2mΩ及6mΩ，采用DFN3x3封装。

这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步整流降压输出。

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威兆VS3622DE

威兆VS3622DE是一款耐压30V的增强型双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，导阻为10mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于两组线圈的切换以及输出端口独立保护。

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威兆VS3622DS

威兆VS3622DS是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平控制，导阻低效率高，导阻为10mΩ，采用SOP8封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以作为输出VBUS开关应用。

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威兆VS3622DP2

威兆VS3622DP2是一款耐压30V的双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，效率高，导阻为7.5mΩ，采用PDFN5x6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步升降压电路以及无线充电线圈驱动等场景。

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威兆VS3640AE

威兆VS3640AE是一款耐压30V的NMOS，使用5V逻辑电平驱动，7.5mΩ，使用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。

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威兆VS3640DE

威兆VS3640DE是一颗5V逻辑电平控制的增强型双NMOS，开关速度快，耐压30V，导阻15mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用作VBUS开关管。

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威兆VS3640DS

威兆VS3640DS双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，耐压30V，使用SOP封装规格，导阻为16mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出切换，也可以可组成H桥驱动线圈，用于控制两侧无线充电部分供电。

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威兆VS3698AE

威兆VS3698AE是一款耐压30V的增强型NMOS，导阻为3mΩ，采用PDFN3333封装规格。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。

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威兆VS3698AP

威兆半导体号VS3698AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压30V，导阻为3.1mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于降压输出电路。

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威兆VS4020AP

威兆VS4020AP是一款耐压40V的NMOS，导阻为4mΩ，开关频率高，允许重复雪崩直至 Tjmax ，采用PDFN5X6封装规格。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。

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威兆VS4620GP

威兆VS4620GP是一颗NMOS，耐压40V，导阻6.5mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS4604AP

威兆VS4604AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压40V导阻为2.7mΩ，采用PDFN5x6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于同步整流电路、VBUS开关等场景。

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威兆VS4604DM

威兆VS4604DM是一款5V逻辑电平驱动的增强型NMOS，导阻为1.6mΩ，采用TO-263封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于充电输入保护电路。

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威兆VS4618AP

威兆VS4618AP是一颗5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压40V，导阻9.6mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步升降压电路。

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威兆VS4620GEMC

威兆VS4620GEMC是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压40V，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于VBUS开关管。

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威兆VS4698AP

威兆VS4698AP是一颗耐压40V，导阻4.8mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSE002N03MS-G

威兆VSE002N03MS-G是一颗增强型NMOS，耐压30V，导阻1.4mΩ，导阻低，效率高，采用PDFN3333封装。

这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于VBUS开关管。

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威兆VSE007N04MS-G

威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术的增强型NMOS，耐压4V，采用PDFN3333封装，导阻为3.2mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于同步整流降压。

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威兆VSE009NE6MS-G

威兆VSE009NE6MS-G是采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压为60V，导阻7mΩ，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可采用多颗VSE009NE6MS-G组成H桥用于无线充电电路。

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威兆VSE014P04MS

威兆VSE014P04MS是一颗增强型PMOS，耐压40V，导阻9.5mΩ，开关速度快，采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于VBUS开关管。

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威兆VSP002N03MS-G

威兆VSP002N03MS-G是一颗增强型NMOS，耐压30V，导阻2.3mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出VBUS开关管。

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威兆VSP003N06MS-G

威兆VSP003N06MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压60V的NMOS，导阻为2.5mΩ，采用PDFN5*6封装方式。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出同步整流电路。

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威兆VSP004N10MSC-G

威兆VSP004N10MSC-G是一颗增强型NMOS，耐压100V，导阻4.8mΩ，采用PDFN5060X封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用作同步整流电路。

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威兆VSP007P06MS

威兆VSP007P06MS是一颗增强型PMOS，耐压60V，导阻7.5mΩ，采用PDFN5060X封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用作VBUS开关管。

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威兆VSP008N10MSC-G

威兆VSP008N10MSC-G是一颗耐压100V的增强型NMOS，导阻6.5mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，适合同步整流电路应用。

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威兆VSP009N10MS

威兆VSP009N10MS是一款耐压为110V的增强型NMOS，采用PDFN5×6封装，使用5V逻辑电平控制，导阻为6.5mΩ。

这款器件采用威兆VitoMOS® Ⅱ 技术制造，100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合 RoHS 规范，可以应用于同步整流的MOS管。

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威兆VSP011N10MS-G

威兆VSP011N10MS-G是一颗增强型NMOS，耐压100V，导阻9.5mΩ，采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于降压电路。

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中压同步整流管

威兆VS1606GS

威兆VS1606GS是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，耐压100V，导阻10.5mΩ，封装为SOP8，可应用于自控保险丝电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS6018AS

威兆VS6018AS是一款常用于次级同步整流管的NMOS，采用SOP8封装，耐压60V，使用5V逻辑电平驱动，适用于各种常规大小充电器使用。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS6410AS

威兆VS6410AS是一款常用于次级同步整流的NMOS管，采用SOP8封装，耐压为60V，采用5V逻辑电平驱动，导阻为11mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS6412AE

威兆VS6412AE是一款常用于次级同步整流管的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为PDFN3333，耐压65V，导阻为19mΩ，使用5V逻辑电平驱动。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS6608GE

威兆VS6608GE是一款常用于同步升降压电压转换的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为PDFN3333，耐压65V，导阻为6mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSE011N06MS

威兆VSE011N06MS是一款耐压60V的NMOS管，采用PDFN3333封装方式，导阻为9mΩ，可以用于实现无线充电线圈切换。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSI011N10MS-G

威兆VSI011N10MS-G是一款常用于次级同步整流的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造封装方式为TO-251，耐压100V，导阻为9mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSO009N06MS-G

威兆VSO009N06MS-G是一款常用于同步整流的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为SOP8，耐压60V，导阻为8mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP008N10MSC

威兆VSP008N10MSC是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS，常用于次级同步整流，采用5V逻辑电平驱动，封装为PDFN5x6，耐压100V，导阻6mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP012N12MS

威兆VSP012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型MOS，采用DFN5*6封装方式，导阻为12.8mΩ，耐压为120V，常用于次级同步整流。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VST012N12MS

威兆VST012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,采用TO-220AB封装方式，导阻为11.5mΩ，耐压为120V的NMOS，可应用于次级同步整流。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VST013N10MS

威兆VST013N10MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，采用TO-220AB封装工艺，导阻为11mΩ，耐压为100V，常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS4610AE

威兆VS4610AE是一款增强型NMOS，采用PDFN3333封装方式，导阻为6.8mΩ，耐压为40V可用于输出同步整流降压。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS6614GS

威兆VS6614GS是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，封装为SOP8，导阻10.5mΩ，耐压60V，常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP004N10MS-G

威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用PDFN5x6封装，耐压为100V，拥有3.8mΩ超低导阻，常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP003N10HS-G

威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用10V逻辑电平控制，封装为PDFN5x6，拥有3.8mΩ超低导阻，耐压100V，可以用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP003N08HS-G

威兆VSP003N08HS-G采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装为PDFN5060X，具备2.4mΩ超低导阻，耐压80V，常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP007N12MS-G

威兆VSP007N12MS-G是一颗采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS，耐压120V，导阻为6.5mΩ，采用PDFN5060X封装，常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VSP009N10MS

威兆VS009N10M是一颗常用于同步整流的NMOS。使用5V逻辑电平控制，耐压110V，导阻为6.5mΩ，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装为PDFN5x6。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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威兆VS3620GEMC

威兆VS3620GEMC是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，耐压为30V，导阻4.9mΩ，采用PDFN3333封装，可以用于同步升降压电路。

这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。

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充电头网总结

近两年来，随着PD协议的更新，快充技术的再次绽放出新的光彩，从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议，从以前的10W到如今的200W以上，充电速度越来越快，充电功率也越来越大，同步整流管的要求也越来越严格，快充技术已经在消费类电源市场市场中得到快速普及，也会带动MOS管市场的发展。

威兆半导体在MOS领域深耕多年，旗下同步整流管家族矩阵十分庞大，可供选择款式众多，能够轻松满足200瓦级别的快充应用，为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入OPPO、小米、IQOO、努比亚、魅族、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链，产品性能获得市场长期验证。

相关问答

7条回答:【推荐答案】小米67w是快充,这个充电头是支持9V/2A的18w快充充电,快充是一种能使手机在短时间内充满电的,基于高通平台的QC快速充电技术。而闪充是OPPO一...

可以。小米9pro虽然可以用67w充电器,但是小米9pro只支持27瓦快充,所以用67瓦快充也只是27瓦效果。小米原装充电器对自家产品充电协议兼容性比较强,...