半导体功率器件中国半导体功率器件十强榜单出炉，扬杰电子登顶|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

中国半导体功率器件十强榜单出炉，扬杰电子登顶

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昨日，第十三届中国半导行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在青岛顺利召开。在会上，中国半导行业协会公布了中国半导体行业功率器件十强，让我们对中国半导体在这个细分领域有了更深刻的见解。

下面我们来盘点一下这十家企业：

扬州扬杰科技股份有限公司

扬杰科技是半导体分立器件行业的新兴企业，是国家科技部火炬高技术产业开发中心认定的国家火炬计划重点高新技术企业（批准文号：国科火字[2010]287号），2009年经江苏省科技厅、财政厅、国家税务局与地方税务局联合认定的国家高新技术企业、江苏省AAA级信用单位、江苏省创新型企业。

公司拥有从芯片制造到封装测试全套生产工艺，为国内少数生产、制造全系列二极管、整流桥、分立器件芯片的规模企业之一。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

7月11日晚，扬杰科技发布2019年半年度业绩预告称，公司预计上半年实现归属于上市公司股东净利润7793.50万元~9352.19万元，较上年同期下降40%~50%。

报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润同比下降，主要原因如下：公司在深耕国内市场的同时，持续加强海外市场的战略布局，进一步扩建了欧洲、美洲、亚洲等核心市场区域的销售网络，大幅扩充了国际销售、技术团队力量，销售费用同比增长较快；近年来，公司重点加强了对MOS、IGBT、SiC等项目的技术研发投入，研发费用持续上升；因整体业务延续2018年下半年以来的下行趋势，为争取市场份额，公司采取了销售价格调整策略；由于公司在2018年上半年的大幅扩产，部分产线的产能利用率虽不断爬升但仍未达到理想水平，目前尚处于恢复期；公司在前期对非公发募投项目、小信号产线、MOS和IGBT项目等资本性投入较大，报告期内固定折旧额较上年同期增长较快；受中美贸易摩擦影响，公司部分出口产品被加征关税，营业成本上升；公司整体毛利率有所下降；公司从2018年下半年开始，对闲余资金理财采取保守策略，报告期内理财收益同比有一定幅度的减少。

吉林华微电子股份有限公司

吉林华微电子股份有限公司是1999年10月吉林华星电子集团有限公司作为主要发起人，以与半导体功率器件生产经营业务相关的净资产出资，联合四川国营长虹机器厂，广东乐华电子，厦门永红电子，吉林龙鼎集团共同发起设立的股份制企业。

华微电子拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年300余万片，封装能力为30亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用双极、MOS技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。公司已形成VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商。

2月25日，华微电子（600360）发布业绩快报，公司2018年1-12月实现营业收入17.09亿元，同比增长4.55%，半导体及元件行业平均营业收入增长率为11.61%；归属于上市公司股东的净利润1.04亿元，同比增长9.46%。4月，公司公布了2019年第一季度财报，该报告显示，该季度中归属于母公司所有者的净利润本期数较上年同期数减少5,989,528.02元，减少比例27.60%,减少原因主要系本期受行业景气度影响销售收入较同期下滑毛利额减少及利息支出高于上年同期所致。

无锡华润华晶微电子有限公司

无锡华润华晶微电子有限公司，华润华晶成立于2000年是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。

公司拥有3条4-6英寸晶圆生产线，年产分立器件晶圆180万片，占国内芯片生产总量的30％以上；1条封装生产线，封装能力20亿块/年；1条测试生产线，测试能力25亿块/年；1条硅材料生产线，外延加工能力40万片/年。公司产品广泛应用于电子照明、绿色电源、电视机、电动车等产品领域，同时也大量生产客户定制产品，满足客户的多种需求。目前，公司是国内生产规模最大、技术装备领先的功率半导体器件研发、生产基地。

近日上交所网站显示，华润集团全资子公司—华润微电子有限公司（下称“华润微电子”）科创板上市申请获受理，保荐机构为中金公司，是科创板受理的第二家境外企业。据招股说明书显示，2016年-2018年，华润微电子制造及服务业务的毛利率分别为9.91%、16.33%、18.57%，呈现持续上升的趋势，同行业可比公司平均值分别为22.16%、24.31%、33.45%。近三年，华润微电子制造及服务业务的毛利率均远低于同行业可比公司平均值，特别是2018年，华润微电子制造及服务业务的毛利率较同行业可比公司平均值少了近15个百分点。

苏州固锝电子股份有限公司

苏州固锝电子股份有限公司是在苏州固锝电子有限公司基础上依法转制整体变更的股份有限公司。成立于1990年11月12日，由苏州无线电元件十二厂（苏州通博电子器材有限公司的前身）、香港明申公司、中国五金矿产品进出口总公司企荣苏州贸易有限公司投资。

苏州固锝电子股份有限公司是全球最大的二极管生产商之一，每月产量可达2.5亿只，占世界产量的8%-9%，公司产品全部出口，远销43个海外国家和地区。公司主要从事生产销售各类半导体芯片、二极管、三极管及各式整流桥堆等系列产品以及电子元件电镀加工。

2019年7月，苏州固锝发布了2019年上半年业绩，公司2019年1-6月归属于上市公司股东的净利润3,935.30至5,115.89万元，同比增长0%至30%。

乐山无线电股份有限公司

乐山无线电股份有限公司及其合资企业是中国最大的分立半导体器件制造基地，中国电子信息百强企业。前身为乐山无线电厂，创建于1970年，目前包含多个合资企业的股份制集团，是以制造分立半导体为主，并努力向集成电路半导体发展的电子企业。

乐山无线电主营业务为半导体分立器件的设计、制造和销售，其主要产品包括小信号分立器件、功率半导体器件。

据悉，士兰微2017年5月下旬便筹划拟以现金(32亿)的方式收购乐无股份的股权，交易对手方为持有乐无股份股权的股东。但是，于2017年11月士兰微晚间发布公告称，公司决定终止筹划收购乐山无线电股份有限公司的股权。

无锡新洁能股份有限公司

无锡新洁能股份有限公司（NCE Power）是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。

公司是中国第一家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业。公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势，与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，保证产品的持续优质和稳定供货。

目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

2018年，新三板企业无锡新洁能股份有限公司发布首次公开发行股票招股说明书，拟在上交所上市。业绩方面，2015年至2018年1-6月，新洁能分别实现营业收入3.06亿元、4.22亿元、5.04亿元、3.61亿元，净利润分别为1507.89万元、3619.75万元、5228.00万元、8193.63 万元，主营业务收入占比为99%以上。

据招股书所称，新洁能是国内8英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一。其芯片代工供应商包括华虹宏力、华润上华、中芯集成和台湾茂矽以及其他境内外领先企业，封装测试供应商包括长电科技、安靠、通富微电、上海捷敏等企业。

瑞能半导体有限公司

根据国际电子商情报道显示，瑞能半导体的前身最早可追溯到1964年飞利浦在欧洲（英国）成立的半导体功率器件部门，2004年又将其中的Bipolar产品制造线迀到吉林，成立合资公司，这也是飞利浦半导体第一个合资公司。2015年为了顺应全球半导体发展的形势，中国从世界工厂变成最大的采购单元，国家战略希望由自主或合资的企业来趋动需求。为此，NXP进行业务分离，与建广资本组建合资企业，这就是瑞能半导体的前世今生。瑞能半导体有限公司全球市场总监徐征接受国际电子商情记者采访时透露，目前建广资本占瑞能51%的股份，NXP为49%，未来三到五年NXP占比将逐渐收缩到20%，主导的投资方变成中方，这在瑞能的发展规划中已经明确。

目前，瑞能在吉林芯片生产基地主要生产功率二级二极管，高压晶体管，可控硅等产品，这也是瑞能最主要的三大产品系列。其中可控硅全球市场占有率排名第二，约占22%份额。80%产品销售覆盖全球TOP10客户，具有良好的运营基础，工艺和稳定性是功率器件两大关键因素，也是瑞能对产品始终如一的要求。

常州银河世纪微电子股份有限公司

常州银河世纪微电子股份有限公司于2006年10月08日成立，是一家专业从事半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。公司下属常州银河电器有限公司和泰州银河寰宇半导体有限公司，公司经营范围包括片式二极管、半导体分立器件、集成电路、光电子器件及其他电子器件等。

2018年，常州银河世纪微电子股份有限公司冲击创业板IPO失败。招股书显示，银河微电子在报告期内的营业收入分别为5.25亿、5.46亿元和6.12亿元。尽管营业收入亮眼，不过，其同期净利润分别为4186万元、4609.67万元和5462.5万元。根据创业板上市要求，报告期内，拟登陆创业板的企业最近一年盈利且净利润不少于5000万，同时要求最近两年营业收入增长率均不低于30%。对照上述要求，银河微电子虽然满足最近一年净利润高于5000万，但是其最近两年营业收入不满足30%的增长率。

苏州捷捷微电子股份有限公司

江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会员单位。公司主导产品为（0.6～110）A/600-1600V双向可控硅、（0.8～250）A/600-2200V单向可控硅、低结电容放电管、TVS等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。公司拥有五条半导体功率器件产品线。

北京燕东微电子有限公司

北京燕东微电子有限公司（YDME）成立于1987年，是一家专业化的集成电路设计、制造、销售于一体的IDM高科技企业，国内优秀的模拟集成电路及分立器件制造商。

2019年6月，北京燕东微电子有限公司（以下简称“燕东微电子”）8英寸生产线建设项目举行了首批设备搬入仪式。据燕东微电子官方介绍，北方华创制造的芯片刻蚀机作为首台设备在仪式上搬入厂房，标志着燕东8英寸线项目从建设期向生产运营期迈出重要一步，为年底出产2万片晶圆打下了坚实基础。据悉，燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台项目总投资48亿元，于2016年9月27日正式启动。其芯片生产厂房包含一条月产5万片（25次光刻）0.25um-0.09um（典型工艺为0.11um)、BCD兼容工艺的8英寸芯片生产线。未来拟生产产品包括显示驱动电路、功率器件、封测产品等。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2016期内容，欢迎关注。

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一文读懂功率半导体

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。

在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。

20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。

20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。

20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。

20世纪90年代，超结MOSFET逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求。

2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET，半导体功率器件的性能进一步提升。

对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。

近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。根据IHS Markit预测，2018年全球功率器件市场规模约为391亿美元，预计至 2021年市场规模将增长至441亿美元，年化增速为4.1%。

目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例高达 35%。预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，年化增速达4.8%。

市场研究机构IC Insights 指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET 与IGBT 模块。

MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。

2016年，全球MOSFET市场规模达到62亿美元，预计2016年至2022年间MOSFET市场的复合年增长率将达到3.4%；预计到2022年，全球MOSFET市场规模将接近75亿美元。

根据IHSMarkit的统计，2018年我国MOSFET市场规模为27.92亿美元，2016年-2018年复合年均增长率为15.03%。随着全球新能源汽车规模的增长，2016年至2022年间MOSFET在汽车应用领域的市场需求预计将以5.1%的复合年增长率快速增长；到2022年，其在汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域，占总体需求市场的22%。

IGBT是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和双极型三极管（BJT）的低导通压降两方面的优点，IGBT驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。

根据中国产业信息网数据，到2020 年全球IGBT 单管市场空间达到60 亿美元左右，市场空间巨大。预计未来五年我国新能源汽车和充电桩市场将带动200亿元IGBT 模块的国内市场需求。根据中国产业信息网数据，到2018年，国内IGBT 市场规模达161.9 亿元，2010 年至2018 年复合增长率达到14.77%；但我国IGBT 起步晚，未来进口替代空间巨大。

半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等，几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。全球功率半导体市场中，工控占比34%，汽车23%，消费电子占比20%，通信占比23%。

根据美国消费电子协会统计，2013年中国消费电子市场整体规模达到16,325亿元，成为全球最大的消费电子市场，根据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。

手机上所有有接口的地方都需要有ESD保护，比如麦克风、听筒、耳机、扬声器、SIM卡、Micro SD、NFC天线、GPS天线、WiFi天线、触屏、2G/3G/4G RF 天线、USB 接口、锂电池、电源键位置都有ESD保护器件。最多的手机用20多颗，少的用10多颗。

随着人们对充电效率的要求逐步提高，手机充电出现了“快充”模式，即通过提高电压来达到高电流高功率充电，但高电压存在安全隐患，需要添加同步整流的MOS管来调整；

后来出现较为安全的“闪充”模式，即通过低电压高电流来实现高速充电，这对同步整流MOS管的要求更高，目前较为普遍的是GaN FET，它可以实现发热少、体积小的目的。

汽车电子在汽车中占据着十分重要的地位，从成本结构来看，对于中高端汽车、电动汽车等其重要性更高。

从传统汽车转变到新能源汽车，价值量增长最大的就是功率半导体。传统燃油汽车中，功率半导体主要用在启动、停止和安全等领域，占比只有20%，按照传统汽车中半导体单车价值350美元，功率器件价值在70美元。新能源汽车电池动力模块要用大量的电力设备，电力设备中都含有有功率半导体，混合动力汽车的功率器件占比40%，纯电动汽车的功率器件占比55%，按照纯电动汽车半导体单车价值750美元计算，功率半导体单车价值量在413美元。新能源汽车用功率半导体是传统汽车的7倍。

新能源汽车由于不再需要发动机等机械部件，汽车的结构将变得非常的简单，汽车结构主要由电池，电机和电控组成。新能源汽车电子系统主要包括电池管理系统，电机控制器，车载充电机，变换器，逆变器，转向系统，继电器以及被动元器件。

在实际应用场景中，由于汽车各个模块都使用交流电，锂电池的输入电流是直流电，以及各种电气设备电压不同，这样就需要相应的电力转换系统。根据直流（DC）和交流（AC）转换顺序不同，电力转换分为4种模式：变压器（AC-AC）、整流器（AC-DC）、变换器（DC-DC）和逆变器（DC-AC）。

变压器（AC-AC） ：汽车锂电池的输入电压在12V-36V之间，民用电压是220V，将民用电压转化为输入电压就需要变压器。

整流器（AC-DC）： 锂电池需要用直流（DC）电充电，而充电桩提供的是交流（AC）电，所以车载充电器一定要用直流转换器。

变换器（DC-DC）： 输入是来自于锂电池的固定直流（DC）电压，输出是可变直流（DC）电压。电动汽车中主要应用在电力传动的从300V到650V的升压变换，给12V电路供电的降压变换以及电池储能的稳压变换。

逆变器（DC-AC）： 新能源汽车配置可充电的锂电池，通过其储备的电能驱动电机来给汽车供电。逆变器的作用是将充电电池12V的直流（DC）电转换成为驱动电机220V的三相交流（AC）电，为新能源汽车提供基本驱动力。

2014-2021年全球燃油车年销量由 8700多万辆增长至 9800多万辆，年均增速 2%；新能源汽车（包括纯电动和混动）由27 万辆增长至470 万辆，年均增速50%，其渗透率从2014年仅有0.3%增长至2021年的4.0%。

近年来我国新能源汽车产销量大幅增长，渗透率不断提高。根据中国乘联会数据显示，我国新能源乘用车销售量由 2014 年的 10 万辆，快速增长至 2018年的 125 万辆，年复合增速91%。根据中汽协数据，2019年一季度中国的新能源汽车销售25万辆，同比增幅都超过117%，预计今年新能源汽车产量可能会超过160万辆。

汽车功率半导体市场有望达到80亿美元，年复合增速7%。2018年全球汽车销量9750万辆，其中新能源汽车200万辆，假设未来三年传统燃油汽车销量年增幅2%，新能源汽车销量年增幅30%，传统燃油汽车功率半导体单车价值量56美元，混合动力汽车的功率半导体单车价值240美元，纯电动汽车的功率半导体单车价值413美元。由此可以预测，到2022年燃油汽车销量9920万辆，新能源汽车销量580万辆，汽车功率半导体市场有望达到80亿美元，年复合增速7%。

截至2017年底，我国光伏发电新增装机5,306万千瓦，累计装机容量1.3亿千瓦，新增和累计装机容量均为全球第一，其中光伏电站3,362万千瓦，同比增加11%；分布式光伏1,944万千瓦，同比增长3.7倍。

风力发电的逆变设备，可以将蓄电池中的DC12V直流电转换为和市电相同AC220V交流电。逆变器主要是由MOS场效应管与电源变压器为核心，通过模拟电路技术连接的。2016年至2018年，我国风电装机量从18.73GW增至21GW，2019年仅前5个月装机量就新增6.88GW，增长趋势迅猛。

智能电网的各个环节，整流器、逆变器和特高压直流输电中的FACTS柔性输电技术都需要大量使用IGBT等功率器件。根据中国产业信息网发布的数据，预计到2021年我国智能电网行业投资规模将达到近23000亿元。

功率半导体种类众多，广泛应用在消费电子、高铁、汽车和电网等。主要分为单极型和双极型。双极型：功率二极管、晶闸管、BJT（双极性三极管）、电力晶体管（GTR）、IGBT。单极型：MOSFET，肖特基二极管。根据每个细分产品的物理性能不同，不同的功率器件应用于不同的电压和频率领域。

功率二极管是基础性功率器件，结构简单可靠性强，广泛应用于工业、电子等各个领域，起到稳压、整流和开关的作用。

二极管分为整流二极管，齐纳二极管和高频二极管。

其中整流二极管和齐纳二极管属于功率半导体。

整流二极管主要用作整流、开关、变换（肖特基二极管SBD）和逆变（快恢复二极管FRD）作用。

MOSFET是功率器件的细分产品，即MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率 MOSFET 器件是电能转换和控制的核心半导体器件。功率MOSFET器件工作速度快，故障率低，开关损耗小，扩展性好。适合低压、大电流的环境，要求的工作频率高于其他功率器件。

在汽车里主要用在电源系统里的充电器（AC-DC）和变换器（DC-DC）。全球汽车功率MOSFET市场容量2018年24.5亿美元，我们预计2022年市场容量31.6亿美元。其中主要用到的是电压600V以上的高压MOSFET产品。

MOSFET市场主要份额被英飞凌占据，根据HIS数据，英飞凌市所有产品综合占率27%，第二名是安森美13%，瑞萨9%，而在价值量高的高压MOSFET领域，英飞凌更是以36%的市占率领先所有对手。

IGBT作为一种新型电力电子器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR，甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域，还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。

在汽车应用中，IGBT主要用在高电压环境的电力驱动系统，电源系统和充电桩。应用范围一般都在耐压600V 以上，电流 10A 以上，频率 1KHz 以上的区域。

电力驱动系统：主要用在逆变器（DC-AC）中，将充电电池12V的直流（DC）电转换成为驱动电机220V的交流（AC）电，是电机驱动的核心。电机控制系统需要用到几十个IGBT，比如特斯拉的三相交流异步电机，每相用28个IGBT，累计84个，其他电机12个IGBT，特斯拉总共用到96个IGBT。

电源系统：主要用在车载充电器（AC-DC）和变换器（DC-DC）中，实现锂电池充电和所需电压等级的电源变换。

充电桩：电网的电都是交流（AC）电，而充电桩分类快充的直流充电桩和慢充的交流充电桩，IGBT主要用在直流快充的充电桩。

2018年全球汽车IGBT市场容量18.4亿美元，我们预计2020年汽车IGBT市场容量20.8亿美元。

全球IGBT市场中英飞凌，三菱和富士电机处于领先位置，安森美（仙童）主要集中在低压的消费电子行业，电压在600V以下，而中高压1700V以上领域，主要应用在高铁，汽车，智能电网等，基本被英飞凌，ABB和三菱垄断。

功率半导体属于泛模拟电路的赛道。功率半导体是必选消费品，人需要吃“柴米油盐”，机器同样也需要消耗功率器件，任何和电能转换有关地方都需要功率半导体。行业波动符合大宗商品走势规律，产品和全球GDP走势密切相关，4-5年的行业波动非常吻合半导体周期规律。

高附加值产品长期被欧美厂商垄断，国产替代迫在眉睫。国内IDM模式厂很少，核心的工艺都在欧美厂商自己内部，凭借其产品优势控制交货周期，从而掌控整个行业的价格体系。尤其对于高压的MOS以及大功率的IGBT，产品的交货周期往往在50周以上，价格自2016年起基本都处于上升通道。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2210期内容，欢迎关注。

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