韦尔股份申请半导体装置专利，能在不使用寿命抑制因素的情况下获得电子的低注入+长寿命结构
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117855291A，申请日期为2022年11月。
专利摘要显示，本发明的课题在于，在不使用寿命抑制因素的情况下获得电子的低注入+长寿命结构。半导体装置(10)包含：半导体基材(12)；阳极电极(20)，形成在半导体基材(12)的一侧表面上；阴极电极(22)，形成在半导体基材(12)的另一侧表面上；P层(16)，形成在半导体基材(12)内的所述阳极电极(20)侧；以及N层(14)，形成在半导体基材(12)内的阴极电极(22)侧且所述P层(16)的另一侧。阴极电极(22)与N层(14)肖特基接合，阴极电极(22)是功函数处于4.2～4.3范围的金属，N层(14)的载流子浓度处于1×e。
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上海韦尔半导体股份有限公司注册资本发生变更
金融界12月13日消息，据公开信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司近日发生工商变更，公司注册资本由118238.353400万人民币元变为118179.4795万人民币元。
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