半导体国产替代的号角？长江存储再次起诉美光
国内半导体行业的新星——长江存储，近日对全球领先的半导体存储制造商美光科技(MU.US)提起诉讼，这一行为在国内引起了广泛关注。
有市场人士直言，中国半导体产业正逐渐硬气起来了，标志着长江存储具备了较强的竞争力。
近日外媒消息称，长江存储日前再次将美光告上法院。
长江存储在美国加州北区指控美光侵犯了其在美国的11项专利，涉及3D NAND Flash和DRAM产品，其中部分专利涉及到96层、128层和176层等不同层数的3D NAND Flash产品。
长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。
美光并未对此事作出回应，但于美东时间上周五，美光股价再跌2.72%，已连续五连跌。
背靠国资的半导体产业后浪
长江存储于2016年7月成立，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。
长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。
虽然成立时间较短，但长江存储发展较为迅速。
成立次年，长江存储成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；2019年，32层3D NAND闪存芯片实现量产，并宣布64层256Gb TLC 3D NAND闪存芯片投产；2020年4月，第三代TLC/QLC两款产品研发成功；2022年，基于第三代NAND的系统解决方案上市。
根据长江存储官网，目前公司有超过10000项专利申请，其中国际专利超过4300项，每年新增1200项专利。截至目前，长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。
企查查资料显示，目前长江存储由长江存储科技控股有限责任公司全资控股，后者有7位股东，其中包括湖北长晟发展(28.5636%)、芯飞科技(27.2826%)、国家集成电路产业投资基金股份有限公司(12.8796%)、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(12.2416%)等。
近两年，美方持续升级对华半导体出口管制，国家大基金和地方国资组团增资长江存储，为后者打气。企查查资料显示，目前长江存储注册资本达647.1亿元人民币。
国产替代潮下，存储产业厚积薄发
存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。
存储芯片是半导体市场重要一环，为智能手机、PC、AI服务器等消费电子核心硬件支撑。
据WSTS数据，存储芯片于2023年的全球市场规模约为923亿美元，占到整个半导体市场份额的18%。
由于近年来美方持续打压国内半导体产业，我国政府加大对半导体产业的支持力度，各类相关扶持政策及资金注入该产业，产业加速了“国产替代”进程。
在融资市场上，存储芯片领域成为资本的香饽饽。Wind数据显示，在整个半导体产业20个细分领域中，过去三年存储芯片融资57起，融资公司31家，均排名第九，但融资额合计高达1044.3亿元，排名第三。
国投证券近日在研报中表示，存储产业经历“美—>日—>韩”的变迁，未来十年是中国存储的黄金十年。 全球存储产业经历了两轮大的产业变迁，目前三星、海力士、美光等扮演重要角色；2016年，随着合肥长鑫、长江存储相继成立，中国大陆参与全球大宗DRAM、NAND FLASH产业角逐。
该行表示，随着国内企业近几年的技术持续攻关，国家大基金等产业资本的重点扶持，且我国在手机、PC、新能源汽车等终端领域构建的全球优势，待国产存储芯片的产品力达到临界点后，渗透率有望加速提升。
由于全球NAND供给格局相对分散，以及中国半导体产业的崛起，长江存储有望成为全球市场重要参与者。
根据MTS 2024集邦咨询存储产业预测数据，2025年，供应商的产出位元市场份额为：三星33.4%、铠侠/西部数据29.9%、海力士19%、美光12.1%、长江存储5.5%。
中国半导体行业协会理事长、长江存储董事长陈南翔近日表示，“芯片半导体产业链的全球化体系已经被破坏，现在行业面临巨大的不确定性，芯片产业链将进入‘动荡且无序’的时刻。”
陈南翔直言，中国芯片产业目前还没有达到爆发式增长，但那一天终究会到来，未来3-5年将看到这一进步。
作者：遥远
三星、美光两家存储大厂扩产！
近期，行业消息显示，为了应对人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求提升，三星电子及美光均扩产存储芯片产能。三星方面，决定最快将于2024年第三季重启建设新平泽工厂（P5）基础建设。美光则正在美国爱达荷州博伊西的总部建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。
三星重启新平泽工厂（P5）
外媒消息显示，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。
此前报道显示，该厂于1月底停工，三星彼时表示“这是协调进度的临时措施”，“投资尚未到位”。三星P5厂此番恢复建设的决定，行业多方解读，更多认为是为了应对人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求提升，公司进一步扩大产能。
据悉，三星P5工厂是一座拥有8个洁净室的大型晶圆厂，而 P1 至 P4 则只有4个洁净室。这使得三星电子满足市场需求的大规模生产能力成为可能。但是目前，关于P5的具体用途还尚未有官方消息披露。
据韩媒报道，业界消息称，三星电子于5月30日召开了董事会内部管理委员会会议，提交并通过了有关P5基础建设的议程。管理委员会由首席执行官兼DX部门负责人Jong-hee Han担任主席，成员包括MX业务部门负责人Noh Tae-moon、管理支持总监Park Hak-gyu和存储业务部门负责人Lee Jeong-bae。
三星公司担任副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，预计今年HBM产量将是去年的2.9倍。同时，该公司公布了HBM路线图，预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。
美光在美建设HBM测试产线与量产线
6月19日，多家媒体消息显示，美光正在美国爱达荷州博伊西的总部建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。据悉，美光博伊西晶圆厂将于2025年上线投运，2026年启动DRAM生产。
美光此前宣布，计划在一年后将其高带宽内存 (HBM) 市场份额从目前的“中个位数”提高到20%左右。截止目前，美光已在多地扩建存储产能。
4月末，美光科技正式在其官网宣布，获得美国《芯片与科学法案》61亿美元政府补助。这些拨款以及额外的州和地方激励措施将支持美光在爱达荷州建设一个领先的DRAM存储器制造工厂，并在纽约州克莱镇建设两座先进DRAM存储器制造工厂。
位于爱达荷州的工厂已于2023年10月开工。美光表示，该厂预计将于 2025年上线并投入运营，2026年正式开始DRAM的生产，DRAM产量也将随着行业需求的增长而不断增加。纽约项目则正在进行初步设计、实地研究和包括NEPA在内的许可申请。该座晶圆厂的建设预计将于2025年开始，并于2028年投产并贡献产量，并根据未来十年的市场需求而增加。新闻稿表示，美国政府的补贴将支持美光计划到2030年为美国国内领先的存储器制造，投资约500亿美元的总资本支出。
今年5月日媒《日刊工业新闻》消息称，美光将斥资6000~8000亿日元在日本广岛兴建一座采用极紫外光(EUV)微影制程的先进DRAM芯片厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。此前，日本已批准多达1920亿日元补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。
据悉，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。
马来西亚建厂方面，2023年10月，美光在马来西亚槟城的第二座智能(尖端组装与测试)工厂落成开业，该工厂初期投入了10亿美元。在第一座工厂建成后，美光再加码10亿美元扩建第二座智慧厂房，将工厂建筑面积扩充至150万平方尺。
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