粤芯半导体取得横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法专利，可显著提升器件的击穿电压
金融界 2024 年 8 月 21 日消息，天眼查知识产权信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法“，授权公告号 CN118248554B，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一导电类型的第一漂移区和第二导电类型的体区；形成第一栅极结构和第一阻挡结构，其中，第一栅极结构形成在部分体区和部分第一漂移区的上方，体区还包括未被第一栅极结构覆盖的第一区域，第一漂移区还包括未被第一栅极结构覆盖的第二区域，第一阻挡结构形成在第一漂移区的第二区域的上方；执行离子注入工艺，部分离子注入体区的第一区域中以形成第二导电类型的体区接触区，部分离子通过第一阻挡结构后注入第一漂移区的第二区域中以形成第二导电类型的第一掺杂区。如此，可显著提升器件的击穿电压，且工艺简化。
本文源自金融界
台积电取得半导体器件专利，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中
金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN112216693B，申请日期为2020年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物半导体器件设置在衬底中。所述部件设置成邻近金属氧化物半导体器件。所述部件以第一深度延伸至衬底中，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中。
本文源自金融界
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