华卓精科取得一种SiC基半导体的激光退火方法专利，该专利技术可以取代成本较高的固体激光器，具备巨大的成本优势
金融界2024年3月6日消息，据国家知识产权局公告，北京华卓精科科技股份有限公司取得一项名为“一种SiC基半导体的激光退火方法“，授权公告号CN113345806B，申请日期为2021年4月。
专利摘要显示，本申请涉及一种SiC基半导体的激光退火方法，包括：确定SiC基底上的金属膜的相关参数，所述金属膜的相关参数至少包括金属类型、金属膜厚度；根据金属膜的相关参数确定激光参数，所述激光参数至少包括功率密度、脉宽；按照确定的激光参数，采用半导体激光器产生对应的脉冲激光对SiC基半导体进行退火处理。本申请采用半导体激光器实现SiC基半导体欧姆接触激光退火，可以取代成本较高的固体激光器，在成本上具备巨大优势；半导体激光的功率密度和脉宽容易调节，可以针对不同金属类型、不同膜厚的工况调节激光参数，进行欧姆接触激光退火；半导体激光器较低的功率密度，可以对更厚的金属膜进行激光退火，满足更广泛的工艺应用范围。
本文源自金融界
中欣晶圆取得通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法专利
金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司取得一项名为“通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法”的专利，授权公告号 CN 114334717 B，申请日期为 2021年11月。
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