半导体工艺(八)量测&检测
我们在市场上通常会听到某某产品一致性不太好,一致性指同一规格型号的所有产品之间的参数,电学特性,可靠性,等等的相似度。包括同批次一致性和不同批次一致性。一致性不好的半导体器件会给终端应用带来可靠性,稳定性方面的隐患。例如在早先年的晶体管音频功放应用,大家会把参数匹配度高的对管一起用,来减少音频放大失真。又如目前热门应用的储能逆变器,需要大量并联功率器件来使用,如果器件一致性不好,会造成所并联的器件之间承担的损耗和压力不同,温升不一致,甚至出现难以预测的炸管(失效)。那么,要保证器件的高度一致性,就需要一系列的量检测手段来确保在生产过程中每一道工序偏差都在预定的可接受范围内。
量检测贯穿了半导体制造的全部过程,主要用于测量或检测产品在生产过程中和生产之后的各项性能指标,产品缺陷,是否满足要求,能有效避免失效损失呈指数级增长。考虑到不同产品批次之间的偏差,同批次晶圆之间的偏差,晶圆内的偏差,芯片之间的偏差,晶体管之间的偏差,虽然我们无法制作完全一样的东西,但必须确保成品在一定偏差范围内。
前段量检测注重过程工艺监控,偏向于外观性,物理性测量和检测,主要使用光学检测设备及各类缺陷检测设备来
后段检测设备注重产品质量监控,偏向于功能性,电性能检测。
前段半导体量测主要包括:1.套刻对准的偏差测量,如果微影过程中的套刻精度超过误差接受范围,那么层间设计电路可能会因为位移而产生开路或短路。
2.薄膜材料的厚度测量,金属,绝缘体,光刻胶,多晶硅薄膜,其厚度的任何变化都会对器件产生直接影响,薄膜材料的力学性能,透光率,磁性,导热性都与厚度有密不可分的关系。
3.晶圆在光刻胶曝光显影后、刻蚀后和CMP 工艺后的关键尺寸(CD)测量;进行关键尺寸的测量的一个重要原因是要实现对线宽的准确控制,也是对半导体器件性能控制的关键。例如MOSFET的栅宽决定了沟道长度,沟道长度又会影响阈值电压,导通电阻,开通速度等等参数和性能。
4.其他:如晶圆厚度,弯曲翘曲(Bow/Warp),1D/2D 应力stress,晶圆形貌,四点探针测电阻RS,XPS 测注入含量等,AFM(原子力显微镜)/Metal plus(超声波)测台阶高度(Step Height)等。
前段半导体检测主要包括:1.无图形缺陷检测,包括颗粒(particle)、残留物(residue)、刮伤(scratch)、警惕原生凹坑(COP)等;
2.有图像缺陷检测,包括断线(break)、线边缺陷(bite)、桥接(bridge)、线形变化(Deformation)等;
3.掩模版缺陷检测,包括颗粒等;
4.缺陷复检,针对检测扫出的缺陷(位置,大小,种类),用光学显微镜或扫描电镜确认其存在。
免责申明:全文转自微信公众号 James 华芯 。感谢原文作者的贡献,仅用于学习和普及。如有侵权,请联系删除。
和芯半导体取得基于射频芯片性能测试夹具专利,能提高测试准确性
金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,和芯半导体科技(苏州)有限公司取得一项名为“一种基于射频芯片性能测试的夹具”的专利,授权公告号 CN 221774324 U,申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示,本实用新型涉及一种基于射频芯片性能测试的夹具,包括固定底座,所述固定底座的一侧设有产品放置区域,所述产品放置区域内连接有用于放置产品的测试电路板组件,所述固定底座的另一侧上连接有竖板,所述竖板的上方连接有固定板,所述固定板上连接有升降装置,所述升降装置的升降杆上连接有用于将产品压紧的压紧块。本实用新型能提高管脚的准确接触,提高测试的准确性,同时还能提高工作效率。
本文源自金融界
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