度亘核芯光电技术（苏州）申请一种半导体激光器及半导体激光器制备方法专利，减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性
金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，度亘核芯光电技术（苏州）有限公司申请一项名为“一种半导体激光器及半导体激光器制备方法“，公开号 CN202411148081.X，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器及半导体激光器制备方法；本发明提供的半导体激光器包括激光芯片；在激光芯片的前腔面和后腔面中至少一个靠近腔面区域不设置 P 型欧姆接触层和 P 型电极层中的至少一个，能够减少对于光纤耦合时反射回激光芯片腔面的激光的吸收，进而可以减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性。同时在晶圆切割裂片时，由于近腔面不设置 P 型欧姆接触层和/或 P 型电极层，因此能够避免因金属拉丝延伸到腔面边缘而造成光的反射与吸收，进而造成光的非线性效应以及热效应，导致的 COMD 失效的问题。
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炬光科技取得半导体激光器的封装结构及叠阵结构专利，降低了GS结构中半导体激光芯片开裂的风险
金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，西安炬光科技股份有限公司取得一项名为“半导体激光器的封装结构及叠阵结构“，授权公告号CN110544871B，申请日期为2019年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体激光器的封装结构及叠阵结构，涉及半导体器件封装技术领域。该叠阵封装结构包括：包括：半导体激光芯片、导电衬底、补强片。半导体激光芯片的两个键合面各与一个导电衬底平行且键合。补强片固定于导电衬底的侧面，且补强片平行于半导体激光芯片与导电衬底的堆叠方向，其中，补强片的热膨胀系数大于半导体激光芯片和导电衬底组合体的膨胀系数，使得补强片对半导体激光芯片和陶瓷基板在厚度方向施加足够的压应力，与半导体激光芯片和导电衬底自身厚度方向上的拉应力相抵消，降低了GS结构中半导体激光芯片开裂的风险。
本文源自金融界
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