半导体制造 新洁能取得降低开关损耗的半导体结构及制造方法专利，降低开关损耗

新洁能取得降低开关损耗的半导体结构及制造方法专利，降低开关损耗

金融界2024年8月4日消息，天眼查知识产权信息显示，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法“，授权公告号CN111180521B，申请日期为2020年3月。

专利摘要显示，本发明涉及一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法。包括从下至上依次层叠设置的漏极、第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；第一导电类型外延层中形成多个第二导电类型体区，多个第二导电类型体区间隔分布；第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第二源区，在所述第一导电类型第二源区一侧的第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第一源区；在相邻的第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区之间设有控制栅结构；在第一导电类型第二源区远离第一导电类型第一源区的一侧设有虚栅结构；在降低开关损耗的半导体结构上表面沉积绝缘介质层；在第一导电类型第一源区的中部位置处，从绝缘介质层的上表面向下开设形成连接孔，连接孔向下延伸至第一导电类型第一源区中。

本文源自金融界

卓胜微申请基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法相关专利，降低半导体结构制造成本

金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法“，公开号 CN202410542655.5 ，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法。该基体的背面处理方法包括以下步骤：提供基体，基体的一侧依次具有半导体结构和阻挡层，基体的另一侧具有第一绝缘层；采用第一湿法刻蚀工艺去除第一绝缘层和部分阻挡层，第一湿法刻蚀工艺对第一绝缘层和阻挡层具有第一刻蚀选择比，第一刻蚀选择比大于 35：1；采用该背面处理方法可以使半导体器件正面部分不被刻蚀破坏，进而省去了购买半导体结构背面刻蚀机的费用，降低了半导体结构的制造成本。

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