中国MOSFET（功率器件）行业运行动态分析及投资风险分析报告2024
中国MOSFET（功率器件）行业运行动态分析及投资风险分析报告2024-2031年
【全新修订】：2024年9月
【出版机构】：中智信投研究网
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第1章：MOSFET行业综述及数据来源说明
1.1 MOSFET行业界定
1.1.1 MOSFET的界定——市场份额最大的功率产品
1、定义
2、原理
3、术语
1.1.2 MOSFET的分类
1.1.3 MOSFET所处行业
1.1.4 MOSFET行业监管
1.1.5 MOSFET法规标准
1.2 MOSFET产业画像
1.2.1 MOSFET产业链结构梳理
1.2.2 MOSFET产业链生态全景图谱
1.2.3 MOSFET产业链区域热力图
1.3 本报告数据来源及统计标准说明
1.3.1 本报告研究范围界定
1.3.2 本报告权威数据来源
1.3.3 研究方法及统计标准
——现状篇——
第2章：全球MOSFET行业发展现状及趋势洞察
2.1 全球MOSFET行业发展历程
2.2 全球MOSFET行业发展现状
2.2.1 全球MOSFET发展概况
2.2.2 全球MOSFET主流产品
2.2.3 全球MOSFET主流应用
2.2.4 全球MOSFET终端需求
1、汽车电子
2、工业电子
3、通信领域
4、消费电子
2.3 全球MOSFET市场规模体量
2.4 全球MOSFET市场竞争格局
2.4.1 全球MOSFET市场竞争格局
2.4.2 全球MOSFET市场集中度
2.4.3 全球MOSFET并购交易
2.5 全球MOSFET区域发展格局
2.5.1 全球MOSFET区域发展格局
2.5.2 全球MOSFET国际贸易流向
2.6 国外MOSFET发展经验借鉴
2.6.1 重点区域市场：美国
2.6.2 重点区域市场：欧洲
2.6.3 重点区域市场：日本
2.6.4 国外市场发展经验借鉴
2.7 全球MOSFET市场前景预测
2.8 全球MOSFET发展趋势洞悉
第3章：中国MOSFET行业发展现状及竞争格局
3.1 中国MOSFET行业发展历程
3.2 中国MOSFET市场主体分析
3.2.1 MOSFET市场主体类型
3.2.2 MOSFET企业进场方式
3.3 中国MOSFET企业业务模式
3.3.1 销售业务模式
3.3.2 生产业务模式
1、Fabless
2、IDM
3.3.3 采购业务模式
3.3.4 研发业务模式
3.4 中国MOSFET市场供给/生产
3.4.1 MOSFET生产企业
3.4.2 MOSFET生产能力
3.4.3 MOSFET生产情况
3.5 中国MOSFET进出口概况
3.5.1 MOSFET进出口适用海关HS编码
3.5.2 MOSFET进出口概况
3.6 中国MOSFET市场需求/销售
3.6.1 MOSFET市场需求特征
3.6.2 MOSFET市场需求现状（需求量）
3.6.3 MOSFET市场需求缺口（供需平衡）
3.6.4 MOSFET市场行情走势（价格水平）
3.7 中国MOSFET招投标情况
3.7.1 MOSFET招投标统计
3.7.2 MOSFET招投标分析
3.8 中国MOSFET市场规模体量
3.9 MOSFET行业市场竞争态势
3.9.1 MOSFET市场竞争格局
3.9.2 MOSFET行业市场集中度
3.9.3 MOSFET波特五力模型分析图
3.9.4 MOSFET跨国企业在华布局
3.9.5 MOSFET国产替代进程
1、MOSFET国产化率
2、MOSFET细分产品国产化率
3.10 MOSFET投融资动态及热门赛道
3.10.1 MOSFET主要资金来源
3.10.2 MOSFET企业融资动态
3.10.3 MOSFET企业IPO动态
3.10.4 MOSFET企业投资动态
3.10.5 MOSFET企业兼并重组
3.11 中国MOSFET发展痛点分析
第4章：MOSFET核心技术及原料设备市场分析
4.1 MOSFET企业核心竞争力构建
4.1.1 MOSFET企业核心竞争力构建
4.1.2 MOSFET企业进入与退出壁垒（竞争壁垒）
4.2 MOSFET核心技术/工艺分析
4.2.1 MOSFET核心技术分析
4.2.2 MOSFET的关键设计与优化
4.2.3 MOSFET工艺流程
1、超净室要求
2、超纯材料要求
3、高精度设备要求
4、晶圆制备
5、氧化工艺
6、扩散工艺
7、薄膜淀积工艺
8、光刻和刻蚀工艺
9、离子注入工艺
10、平坦化工艺
4.2.4 国内外MOSFET技术创新动态
4.2.5 MOSFET技术研发方向/未来研究重点
4.3 MOSFET成本结构
4.4 半导体材料
4.4.1 半导体材料市场概况
4.4.2 SiC
4.4.3 GaN
4.5 半导体设备
4.5.1 MOSFET生产工艺设备概况
4.5.2 MOSFET工业自动化生产线
4.5.3 MOSFET关键生产设备
4.6 MOSFET检测设备
4.6.1 MOSFET检验标准/测试方法
4.6.2 MOSFET智能检测技术应用（AOI/AI/无损检测等）
4.6.3 MOSFET检测设备市场概况
4.7 MOSFET的存储与运输
4.8 MOSFET供应链面临的挑战
第5章：中国MOSFET细分产品市场分析
5.1 MOSFET行业细分市场概况
5.2 MOSFET细分市场：按结构类型
5.2.1 按结构类型划分的MOSFET概述
5.2.2 按结构类型划分的MOSFET综合对比
5.2.3 按结构类型划分的MOSFET市场结构
5.2.4 按结构类型划分的MOSFET市场规模
1、平面型MOSFET市场规模
2、沟槽型MOSFET市场规模
3、超结型MOSFET市场规模
5.2.5 MOSFET企业的工艺类型布局对比
5.2.6 按结构类型划分的MOSFET国产化进程
5.2.7 按结构类型划分的MOSFET发展趋势
5.3 MOSFET细分市场：按电压不同
5.3.1 按电压不同划分的MOSFET概述
5.3.2 按电压不同划分的MOSFET市场结构
5.3.3 按电压不同划分的MOSFET市场规模
1、中低压MOSFET市场规模
2、高压MOSFET市场规模
3、超高压MOSFET市场规模
5.3.4 MOSFET企业的电压类型布局对比
5.3.5 不同电压段分结构市场份额
5.3.6 按电压不同划分的MOSFET国产化进程
5.3.7 按电压不同划分的MOSFET发展趋势
5.4 MOSFET细分市场战略地位分析
第6章：中国MOSFET细分应用市场分析
6.1 MOSFET应用场景&领域分布
6.1.1 MOSFET应用场景范围
6.1.2 MOSFET应用领域分布
6.2 MOSFET细分应用：汽车电子及充电桩
6.2.1 汽车电子及充电桩领域MOSFET应用概述
6.2.2 汽车电子及充电桩领域MOSFET市场现状
6.2.3 汽车电子及充电桩领域MOSFET需求潜力
6.3 MOSFET细分应用：工业电子
6.3.1 工业电子领域MOSFET应用概述
6.3.2 工业电子领域MOSFET市场现状
6.3.3 工业电子领域MOSFET需求潜力
6.4 MOSFET细分应用：消费电子
6.4.1 消费电子领域MOSFET应用概述
6.4.2 消费电子领域MOSFET市场现状
6.4.3 消费电子领域MOSFET需求潜力
6.5 MOSFET细分应用：通信
6.5.1 通信领域MOSFET应用概述
6.5.2 通信领域MOSFET市场现状
6.5.3 通信领域MOSFET需求潜力
6.6 MOSFET细分应用市场战略地位分析
第7章：全球及中国MOSFET企业案例解析
7.1 全球及中国MOSFET企业梳理与对比
7.2 全球MOSFET企业案例分析（不分先后，可指定）
7.2.1 Infineon（英飞凌）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.2.2 ON Semi（安森美）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.2.3 AOS（美国万代半导体）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.2.4 STM（意法半导体）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.2.5 Toshiba（东芝半导体）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.2.6 Renesas（瑞萨电子）
1、企业基本信息
2、企业经营情况
3、MOSFET业务布局
4、MOSFET在华布局
7.3 中国MOSFET企业案例分析（不分先后，可指定）
7.3.1 华润微电子有限公司（CR Micro）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.2 杭州士兰微电子股份有限公司（Silan）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.3 无锡新洁能股份有限公司（NCE）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.4 苏州东微半导体股份有限公司（Oriental）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.5 江苏长晶科技股份有限公司（JSCJ）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.6 深圳市锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.7 苏州锴威特半导体股份有限公司（Convert）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.8 龙腾半导体股份有限公司（Lonten）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.9 上海韦尔半导体股份有限公司（Willsemi ）
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
7.3.10 江苏捷捷微电子股份有限公司
1、企业基本信息
（1）发展历程
（2）基本信息
（3）经营范围及主营业务
2、企业经营情况
3、企业资质能力
4、MOSFET研发布局&专利技术
5、MOSFET品类布局&产销情况
6、MOSFET应用领域&解决方案
7、企业业务布局战略&优劣势
——展望篇——
第8章：中国MOSFET行业政策环境洞察&发展潜力
8.1 MOSFET行业政策环境洞悉
8.1.1 国家层面MOSFET政策汇总
8.1.2 国家层面MOSFET发展规划
8.1.3 国家重点政策/规划对MOSFET的影响
8.2 MOSFET行业PEST分析图
8.3 MOSFET行业SWOT分析
8.4 MOSFET行业发展潜力评估
8.5 MOSFET行业未来关键增长点
8.6 MOSFET行业发展前景预测（未来5年预测）
8.7 MOSFET行业发展趋势洞悉
8.7.1 整体发展趋势
8.7.2 监管规范趋势
8.7.3 技术创新趋势
8.7.4 细分市场趋势
8.7.5 市场竞争趋势
8.7.6 市场供需趋势
第9章：中国MOSFET行业投资战略规划策略及建议
9.1 MOSFET行业投资风险预警
9.1.1 风险预警
1、周期性风险
2、成长性风险
3、产业关联度风险
4、市场集中度风险
5、行业壁垒风险
6、宏观政策风险
9.1.2 风险应对
9.2 MOSFET行业投资机会分析
9.2.1 MOSFET产业链薄弱环节投资机会
9.2.2 MOSFET行业细分领域投资机会
9.2.3 MOSFET行业区域市场投资机会
9.2.4 MOSFET产业空白点投资机会
9.3 MOSFET行业投资价值评估
9.4 MOSFET行业投资策略建议
9.5 MOSFET行业可持续发展建议
图表目录
图表1：MOSFET的定义
图表2：MOSFET的原理
图表3：MOSFET专业术语
图表4：MOSFET的分类
图表5：本报告研究领域所处行业（一）
图表6：本报告研究领域所处行业（二）
图表7：MOSFET行业监管
图表8：MOSFET法规标准
图表9：MOSFET产业链结构梳理
图表10：MOSFET产业链生态全景图谱
图表11：MOSFET产业链区域热力图
图表12：本报告研究范围界定
图表13：本报告权威数据来源
图表14：本报告研究方法及统计标准
图表15：全球MOSFET行业发展历程
图表16：全球MOSFET发展概况
图表17：全球MOSFET主流产品
图表18：全球MOSFET主流应用
图表19：全球MOSFET市场规模体量
图表20：全球MOSFET市场竞争格局
图表21：全球MOSFET市场集中度
图表22：全球MOSFET并购交易
图表23：全球MOSFET区域发展格局
图表24：全球MOSFET国际贸易流向
图表25：国外MOSFET发展经验借鉴
图表26：美国MOSFET发展概况
图表27：欧洲MOSFET发展概况
图表28：日本MOSFET发展概况
图表29：全球MOSFET市场前景预测（未来5年预测）
图表30：全球MOSFET发展趋势洞悉
图表31：中国MOSFET发展历程
图表32：中国MOSFET市场主体类型
图表33：中国MOSFET企业进场方式
图表34：中国MOSFET企业业务模式
图表35：中国MOSFET销售业务模式
图表36：中国MOSFET生产业务模式
图表37：中国MOSFET企业业务模式
图表38：中国MOSFET市场供给/生产
图表39：中国MOSFET企业数量/名单
图表40：中国MOSFET生产能力
图表41：中国MOSFET生产情况
图表42：中国MOSFET进出口概况
图表43：MOSFET进出口适用海关HS编码
图表44：中国MOSFET进出口概况
图表45：中国MOSFET市场需求/销售
图表46：中国MOSFET市场需求特征分析
图表47：中国MOSFET需求现状（需求量）
图表48：中国MOSFET市场需求缺口（库存情况）
图表49：中国MOSFET市场行情走势
图表50：中国MOSFET行业招投标分析
图表51：中国MOSFET市场规模体量
图表52：中国MOSFET行业市场竞争格局
图表53：中国MOSFET行业市场集中度
图表54：中国MOSFET波特五力模型分析图
图表55：MOSFET跨国企业在华布局
图表56：MOSFET跨国企业在华布局策略
图表57：MOSFET国产替代进程
图表58：中国MOSFET投融资动态及热门赛道
图表59：MOSFET主要资金来源
图表60：MOSFET行业融资事件
图表61：MOSFET行业融资规模
图表62：MOSFET热门融资赛道
图表63：中国MOSFET企业IPO动态
图表64：中国MOSFET投资/跨界投资
图表65：中国MOSFET行业兼并重组动态
图表66：中国MOSFET兼并重组概述
图表67：中国MOSFET兼并重组事件汇总
图表68：中国MOSFET兼并重组案例分析
图表69：中国MOSFET行业发展痛点分析
图表70：中国MOSFET原料设备市场分析
图表71：MOSFET企业核心竞争力构建
图表72：MOSFET行业进入壁垒分析
图表73：MOSFET行业退出壁垒分析
图表74：MOSFET核心技术分析
图表75：MOSFET的关键设计与优化
图表76：MOSFET主流生产工艺路线分析
图表77：国内外MOSFET技术动态
图表78：MOSFET技术研发方向/未来研究重点
图表79：MOSFET成本结构分析
图表80：半导体材料市场概况
图表81：MOSFET生产工艺设备概况
图表82：MOSFET检测检验/性能测试
图表83：MOSFET检验标准/测试方法
图表84：MOSFET智能检测技术应用（AOI/AI/无损检测等）
图表85：MOSFET产品存储运输要求
图表86：MOSFET供应链面临的挑战
图表87：MOSFET细分市场发展概况
图表88：MOSFET细分市场结构分析
图表89：按结构类型划分的MOSFET概述
图表90：按结构类型划分的MOSFET综合对比
图表91：按结构类型划分的MOSFET市场结构
图表92：平面型MOSFET市场规模
图表93：沟槽型MOSFET市场规模
图表94：超结型MOSFET市场规模
图表95：按结构类型划分的MOSFET市场概况
图表96：MOSFET企业的工艺类型布局对比
图表97：按结构类型划分的MOSFET国产化进程
图表98：按结构类型划分的MOSFET发展趋势
图表99：按电压不同划分的MOSFET概述
图表100：按电压不同划分的MOSFET市场结构
图表101：中低压MOSFET市场规模
图表102：高压MOSFET市场规模
图表103：超高压MOSFET市场规模
图表104：MOSFET企业的电压类型布局对比
图表105：不同电压段分结构市场份额
图表106：按电压不同划分的MOSFET国产化进程
图表107：按电压不同划分的MOSFET概述
图表108：按电压不同划分的MOSFET市场概况
图表109：细按电压不同划分的MOSFET企业竞争
图表110：按电压不同划分的MOSFET发展趋势
图表111：MOSFET细分市场战略地位分析
图表112：MOSFET应用场景范围
图表113：MOSFET应用市场结构
图表114：汽车电子及充电桩领域MOSFET应用概述
图表115：汽车电子及充电桩领域MOSFET市场现状
图表116：汽车电子及充电桩领域MOSFET需求潜力
图表117：工业电子领域MOSFET应用概述
图表118：工业电子领域MOSFET市场现状
图表119：工业电子领域MOSFET需求潜力
图表120：消费电子领域MOSFET应用概述
拆解报告：酷态科自带线电能块20000mAh
前言
自带线充电宝由于极大简便了移动充电场景，深受消费者喜爱。此次充电头网就拿到了酷态科推出的一款自带线充电宝。
这款充电宝内置20000mAh聚合物锂电池，并自带17cm长USB-C充电线，可通过壳体固定便于携带，同时额外配置1A1C端口，同时自带线与USB-C端口支持双向输出。自带线与USB-C端口最高支持55W快充，A口支持最高UFCS 33W快充，能够满足主流手机以及笔电的充电需求。
酷态科自带线电能块采用英集芯的多口多协议快充芯片IP5358，在充电管理的同时，还能进行升降压转换和电池保护，一芯多用。内部重要器件多处打胶加固，发热部位大面积石墨贴纸散热，保护措施到位。
下面来看看酷态科自带线电能块的内部用料和结构。
酷态科自带线电能块开箱
先来看看这款充电宝的外包装以及外观。
包装盒采用灰色设计，正面印有充电宝外观缩略图，左上角印有充电宝名称“酷态科 电能块自带线20000mAh”，右上角为“CUKTECH”品牌名称。
包装背面上部分印有产品四款不同颜色的缩略图，下半部分贴有产品规格参数铭文及其条形码贴纸。
产品名称：CUKTECH酷态科电能块自带线20000mAh；
产品型号：PB200N；产品尺寸 ：162x72x29.6mm；
输入接口：Type-C；输出接口： Type-C/USB-A；
输入参数：IN1(Type-C1)5V3A、9V3A、12V3A、15V2.6A、20V2A、IN2(自带线Type-C2)5V3A、9V3A、12V3A、15V2.6A、20V2A；
输出参数：OUT1(Type-C1)5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V2.25A、5-11V/5A 55W MAX；
OUT2(自带线Type-C2)5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V2.25A、5-11V/5A 55W MAX；
OUT3(USB-A1)5V3A、9V3A、12V2.5A、5-11V/3A 33W MAX；
多口：5V3A(OUT1 5V1A、OUT2 5V1A、OUT3 5V1A)；
额定容量：11000mAh（5V3A）；电池能量：74Wh/75.5Wh 7.4V；
电池种类：锂离子聚合物电池；执行标准：GB 4943.1-2022,GB 31241-2022；
包装内含：CUKTECH酷态科电能块自带线20000mAh、说明书；
制造商：南京酷态科技术有限公司。
取出包装盒里配件，除CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝外，另有一份说明书。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝拥有蓝、灰、白、橙色四款，表面采用亲肤材质，触感光滑，正面印有”CUKTECH“以及”20000mAh“丝印。
背面外壳双重激光精雕Y字母纹理，与手机叠放或放置桌面更稳定，不易滑落。背面左上角还有电池能量参数以及可上飞机标识设计。
充电宝侧面上方为电源检查按键，可双击按键，即可打开小电流放电模式，为耳机、手表等设备进行充电，同时按键旁边配置一款数显屏，显示当前电量。
充电宝自带高品质 Type-C 快充线材，线材采用TPE材质制作外皮，官方称支持万次摇摆，更耐用。
近距离观看，可以看到端口处丝印相关标识，Type-C1/C2 端口处丝印“IN/OUT”字样，表明可实现输入/输出；USB-A端口丝印“OUT”字样，表明USB-A口仅支持输出。
充电宝侧面中框处为镂空线端收纳槽设计，能完全容纳线端外壳，侧面平整不凸起；采用卡槽扣进行稳固。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝侧面丝印相关参数，与包装盒信息一致。
单个手指也能提起充电宝，同时不掉落，稳定牢固。
自带线长约 17cm，满足日常充电需求，与手机同时握持线材不会缠绕。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝长度约为162.13mm。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝宽度约为72.18mm。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝高（厚）度约为29.95mm。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝重量约为493.2g。
CUKTECH酷态科电能块自带线充电宝与 iPhon15 Pro Max尺寸相当。
秉承探索全面的观点，对 USB 端口进行协议测试，方便用户可以根据具体的协议来匹配输出设备。
通过 POWER-Z KM003C测试仪读取自带Type-C线的充电协议，实测支持QC3.0/QC4+、PD3.0、XIAOMI、PPS、DCP 和 Apple 2.4A 等充电协议。
PDO报文方面，自带 Type-C 线支持PD 45W快充和XIAOMI 55W快充，及5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/2.25A五组固定电压档位，以及5-11V/5A一组PPS电压档位。
通过 POWER-Z KM003C 测试仪读取Type-C 端口的充电协议，实测支持QC3.0、PD3.0、PPS、DCP、Apple 2.4A以及小米55W私有协议等充电协议。
PDO报文方面，支持5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/2.25A五组固定电压档位，以及5-11V/5A一组PPS电压档位，此外还有一组5-20V/2.5A小米私有PPS协议。
通过 POWER-Z KM003C 测试仪读取USB-A端口的充电协议，实测支持UFCS、FCP、SCP 、AFC、QC3.0、DCP 和 Apple 2.4A 等充电协议。
PDO报文方面，USB-A端口支持UFCS33W快充和 3.4-5.5V/3A、5.5-11V/3A 两组浮动充电档位。
酷态科自带线电能块拆解
首先沿壳体接缝拆开充电宝外壳。
可见PCBA模块和电池组大面积打胶散热加固、
电池组上方用一张大面积石墨贴纸覆盖，加强散热，贴纸上面再进行打胶。
PCBA模块上贴了一层白色泡棉，对其进行缓冲保护。
撕开泡棉和电池组上的石墨贴纸，露出内部PCBA模块。
电池组上仍然涂抹大面积结构胶。
PCBA模块内部一览，后面详细描述。
塑料外壳的蓝色边框用螺丝固定住。
五支颜色分别为红白绿蓝黑的线芯分别焊接在PCBA模块上，并打胶固定。
电池组通过点焊连接到PCBA模块。
PCBA模块通过十字螺丝固定在外壳上。
充电宝自带线的线芯连接在PCBA模块背面。背面还有散热硅胶用于散热。
电能块壳体内部也黏贴大面积石墨贴纸，贴纸上还粘有泡棉。用于将电池组固定在塑料外壳上。
塑料壳内部四周全部贴有泡棉用于减震缓冲，保护电池组和PCBA模块。
PCBA模块跟壳体的接触面也有白色泡棉。
按键处的塑料按钮特写。
数显屏特写。
接下来剪下连在PCBA板上的线芯，分离出PCBA模块和电池组。
PCBA和电池组背面一览。
两块电芯用高温胶带缠住粘紧，将热敏电阻固定在电芯中间用于测温。
剪短极耳，分离电池组和PCBA模块。
可以看到电池组模块由两块软包并联而成。
电池组极耳处，外贴泡棉缓冲。
电芯正面可见喷码和参数信息。
电芯参数信息一览，电池来自LS力神，型号LS1260110，即厚度12mm，宽度60mm，长度110mm。标称容量10000mAh，能量37Wh，标称电压3.7V。电池目前已通过CCC认证，左侧出厂码用于产品溯源。
PCBA模块用一个“凸”字型散热硅胶覆盖，并用同形状的散热片包裹固定在模块上。
拆下散热片和散热硅胶。
PCBA模块一览，这面可见一颗协议芯片和VBUS开关管和其他,MOS管，以及数显屏和USB-C和USB-A母座。
PCBA另一面可见滤波电感、合金电感和高速开关管和热敏电阻。板子背面做了露铜加锡和过孔设计，加强散热。
数显屏侧面特写，可见基本参数。
数显屏正面特写，通过电源键按钮实时显电源电量。
电源按钮特写。
快充协议芯片采用的是Injoinic英集芯，型号IP5358，IP5358是一款集成QC2.0/QC3.0/SCP/VOOC输出快充协议、FCP/AFC/SFCP输入输出快充协议、MTK PE+1.1&2.0输出快充协议、USB PD2.0/3.0输入输出协议、USB PD3.0 PPS输出协议、兼容BC1.2/苹果/三星手机。采用QFN48封装。
此外，英集芯IP5358内置同步升降压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示等多种功能，并支持一个USB-C、两个USB-A以及一个Micro USB共四个接口的控制，单独使用任何一个接口都可以支持快充，可提供最大22.5W的输出功率。
英集芯IP5358同时获得了USB PD3.0和VOOC双认证，是业界首款同时拥有双认证移动电源SOC，为USB PD快充移动电源和VOOC快充移动电源的开发提供了完整、高效的解决方案。
英集芯 IP5358 资料详情。
丝印402NBE的电池管理芯片特写，旁边是两颗电池保护管，来自AOS万代半导体，型号AON7534。采用DFN3X3封装。
N沟道增强型功率MOSFET，型号VS3618AE，来自Vergiga威兆，是一颗耐压30V的NMOS，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。
威兆半导体 VS3618AE 详细资料。
充电头网通过拆解了解到，采用威兆VS3618AE的产品还有华为27W超级快充无线车充、小米无线车充、小米无线充电宝、坚果饼式无线充电座、魅族无线充电器无线充电产品以及小米65W USB PD快充充电器、紫米10000mAh USB PD快充移动电源移动电源和充电器等，威兆MOS的产品性能也获得众多知名品牌认可。
三颗VBUS开关管，用于控制USB-A和USB-C口输出切换。依然是VS3618AE。
输出滤波电容来自Koas东佳，为VR系列的固态电容，规格为25V 100μF。
两颗同步整流MOS来自AOS万代半导体，型号AOS6354。采用DFN5X6封装。
4.7μH的合金电感特写。
另一侧同样两颗初级MOS管，同型号AOS6354，用于整流。
搭配使用的Koas东佳 16V 100μF低压滤波电容。
NTC热敏电阻特写，用于过温保护。
USB-A口母座特写，沉板焊接降低厚度，采用黑色胶芯，见内部四个触点
USB-C口母座特写，过孔焊接固定，蓝色舌片不露铜。
全部拆解完毕，来张全家福。
充电头网总结
最后附上酷态科自带线电能块物料清单，方便大家查阅。
酷态科自带线电能块容量为20000mAh，搭载数显屏可显示实时剩余电量。配备USB-C和USB-A各一个，并外接一根USB-C充电线，自带线与USB-C端口支持55W最大功率输出，40W最大输入功率。USB-A口则支持最高UFCS33W快充，兼容持UFCS、FCP、SCP 、AFC、QC3.0、DCP 和 Apple 2.4A等协议。
此外酷态科自带线电能块内置力神软包电芯电池组，由两块10000mAh电芯并联而成。型号LS1260110，标称电压3.7V，电池组点焊连接PCBA模块。采用英集芯的多口多协议快充芯片IP5358，在充电管理的同时，还能进行升降压转换和电池保护，一芯多用。
酷态科自带线电能块内部多处全覆盖式的打胶加固，PCBA背板大块散热片搭载散热硅胶散热，热敏电阻固定于电芯中间实时温控保护，壳体、电芯、PCBA模块各接触面均粘贴泡棉缓冲保护。综合来看，散热和缓冲保护都十分到位。
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