安徽富乐德长江半导体申请降低片盒内金属残留的清洗设备及工艺专利，能避免片盒内金属残留对晶圆造成污染
金融界2024年9月28日消息，国家知识产权局信息显示，安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司申请一项名为“降低片盒内金属残留的清洗设备及工艺”的专利，公开号 CN 118699014 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供降低片盒内金属残留的清洗设备及工艺，包括清洗池以及用于转运内置晶圆片盒的转运装置，所述转运装置包括第一承载主体，所述第一承载主体内壁转动连接有第二承载主体，所述片盒设置于第二承载主体表面，所述第二承载主体外侧安装有对晶圆顶部承载限位的限位承载装置；所述第二承载主体下方设置有液力清洁装置，控制所述液力清洁装置伸入片盒底部对晶圆进行限位并且对片盒内壁进行清洁，所述片盒底部具有通口。该发明能够对片盒内部进行深度清洁，避免了片盒内金属残留对晶圆造成污染，保证了晶圆以及片盒清洁的质量。
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安徽长飞先进半导体申请碳化硅场效应晶体管相关专利，提高栅极沟槽的击穿电压
金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆“，公开号 CN202410589414.6 ，申请日期为 2024 年 5 月 。
专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆，属于半导体技术领域。碳化硅场效应晶体管包括：沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层；两个源极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层，源极沟槽的槽口朝向源极层，源极层向源极沟槽内延伸，源极沟槽内填充有延伸的源极层；栅极沟槽设置于两个源极沟槽之间，栅极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层，栅极沟槽的槽口朝向源极层；第二掺杂第一子区域设置于源极沟槽底部远离所述源极层的一侧，且朝向第一掺杂衬底层的方向延伸。可以提高栅极沟槽的击穿电压。
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