珠海 半导体 珠海镓未来科技取得半导体功率器件专利,改进绝缘区域的介质材料

小编 2024-10-10 生态系统 23 0

珠海镓未来科技取得半导体功率器件专利,改进绝缘区域的介质材料

金融界2024年10月1日消息,国家知识产权局信息显示,珠海镓未来科技有限公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利,授权公告号 CN 221783215 U,申请日期为 2024 年 2 月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种半导体功率器件,包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及介质叠层,在介质叠层两侧设有源极和漏极,源极和漏极分别穿过介质叠层且与势垒层欧姆接触,在源极和漏极之间的介质叠层内设有栅极和与栅极连接的栅极场板,栅极的下表面与钝化层接触,栅极场板与所述介质叠层之间设有界面阻隔层。本实用新型通过将界面阻隔层提前覆盖到栅场板与功能绝缘层/介质叠层接触的位置,这样,与场板底部接触的绝缘区域,由原来包含多层受到工艺损伤的低质量材料边界面,改进为单一高质量介质材料。

本文源自金融界

珠海一微半导体申请一种芯片唤醒电路以及芯片专利,大大延长电池续航时间

金融界 2024 年 9 月 10 日消息,天眼查知识产权信息显示,珠海一微半导体股份有限公司申请一项名为“一种芯片唤醒电路以及芯片“,公开号 CN202410866420.1,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本申请提供一种芯片唤醒电路以及芯片,基于极性控制信号的配置,外部电路将 PAD 单元上拉或下拉后产生外部唤醒控制信号并通过 PAD 单元传输给唤醒信号生成单元进行处理生成高电压域的芯片唤醒信号,此时高电压域的芯片唤醒信号的电平与极性控制信号的电平一致,可将芯片从睡眠状态唤醒。基于所述芯片唤醒电路,芯片在睡眠时,可将功耗占比较大的低电压域关闭(除了 RTCVDD),只保持高电压域有电,功耗最低,大大延长了电池续航时间,而且所述芯片唤醒电路结构简单,电路面积可以做得很小,具有极大的成本优势。

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