精品干货:理论计算在光催化方面的应用 - 能带篇
光催化材料一般是半导体材料,半导体材料主要是利用受光激发产生的电子和空穴进行光催化过程。光催化反应的过程如图1 所示:(1)催化剂吸收光子(光子的能量需要大于带隙值 Eg,电子才能从价带顶跃迁到导带底)。(2)跃迁到导带上电子称为光生电子,留在价带内空穴称为光生空穴,光生电子-空穴对在催化剂内迁移。(3)部分光生电子-空穴在催化剂内部复合,部分光生-空穴对迁移到催化剂表面。(4)迁移到催化剂表面的电子和空穴分别与表面的吸附物质发生还原和氧化反应。 ▲图1 光催化示意图 采用密度泛函理论(DFT)计算光催化过程时,由于对电子之间的相互作用考虑不充分,使得计算得到半导体带隙值偏低,局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)方法对于一些材料,如过渡金属氧化物、稀土元素及其化合物等电子高度局域的体系并不适用,为此研究者对此进行了修正,在 LDA 或 GGA 能量泛函中加入了一个 Hubbard 参数 U 对应项,即 DFT+U 的方法。因此在计算催化剂(包括过渡金属)的能带性质时,需要根据前人研究对不同的过渡金属加不同的 U 值。 半导体光催化剂的能带与其光学性能、氧化还原能力息息相关,直接影响着电子激发、光生载流子的传输等,因此能带分析十分重要。因此这期小编主要介绍下能带知识,包括价带、导带、导带底和价带顶等基本概念。 价带和导带的区分主要以费米能级为界限,费米能级以上的最低介带为导带,费米能级(Ef)以下的最高介带为价带,导带中最低的能量值称为导带底(CBM),价带中最高的能量值称为价带顶(VBM)。CBM 和 VBM 差值即为带隙值(Eg)。 在能带图中可以直观的得到 Eg 的大小,如图1,通过 Eg 值我们可以判断此材料是导体(Eg <0.5 eV)、半导体(0.5 eV < Eg < 3.5 eV)或者绝缘体。Eg 的大小决定了吸收光波长的阈值,关系为: 式1 ▲ 图2 某二维半导体材料的能带图 某二维材料的 Eg 为 2.326,通过公式可以计算得到其最大吸收波长为 533 nm。而可见光的范围是 380~780 nm,可见此二维材料并没有充分的利用太阳能。Eg 越小,可见光吸收范围越广,但是 Eg 并不是越小越好,Eg 过小会导致更多的光生电子-空穴对未迁移到催化剂表面就复合了,从而影响催化剂的活性。 同时我们可以将催化剂导带底和价带顶的能量值换算成电势值,然后与吸附在催化剂表面的物质的氧化还原电势进行对比,通过对比判断是否能够发生此反应。通常想要将一个物质还原掉,需要催化剂的 CBM 比该物质氧化还原电位更负;想要将一个物质氧化掉,需要催化剂的 VBM 比该物质氧化还原电位更正。 小编用几种二维材料光催化分解水的例子来进一步说明,从图中我们看到除了 (a)(b)(e)(g) 之外的几种材料的导带底都位于氢气析出反应(HER)氧化还原电势之上,因此这些在这些催化剂的催化下可以发生 HER。▲ 图3 几种二维材料的能带边缘位置 同理,除了 (j) 这种催化剂的表面不能发生氢气析出反应 (OER),其余几种催化剂理论上都可以进行氧析出反应 (OER)。同时我们可以从不同催化剂的位置,来判断几种催化剂的活性。通常催化剂的导带底位置越高,光生电子的还原能力越强,催化剂的价带顶位置越低,光生空穴的氧化能力越强,催化活性较好;因此我们从图2 中可以得到催化剂的还原能力由强到弱的顺序是 (c)(d)(l)(f)(j)(n)(k)(h)(m)(i),同时得到催化剂的氧化能力从强到弱的顺序是 (e)(b)(a)(c)(h)(d)(m)(k)(g)(n)(l)(i)(f)。 除了分析带隙之外,我们还可以通过能带结构中的色散关系分析载流子的有效质量。在光催化过程中载流子受光激发后,最重要的影响因素是载流子的传输过程,而决定此传输过程的重要参数就是有效质量(m0),判断标准是有效质量越小,光催化性能越好。例如,单斜相 BiVO4 的载流子的有效质量为 0.3m0,In2O3 载流子的有效质量是15m0,则说明 BiVO4 这种催化剂有利于光生载流子的分离和传输。目前对于相同的催化剂,我们可以通过离子掺杂和寻找不同的晶面的方法得到较小的有效质量,从而可以显著提高半导体材料的光催化性能。 学习更多固体与表面理论计算相关内容,欢迎参加首届固体与表面理论计算(固体场)中级培训班(北京,20191017-20191021);详情请见:第一届固体与表面理论计算(固体场)中级培训班(北京,10月17日-10月21日
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全文简介
合理设计巧妙的策略,提高钌(Ru)的内在活性和稳定性,对水电解技术的实质性发展具有重要意义。基于Mott-Schottky效应,金属/半导体混合电催化剂内部的电子调控是提高电化学性能的一种通用策略。本文报道了一种典型的Mott-Schottky析氢反应(HER)电催化剂,该催化剂由均匀的超细Ru纳米团簇原位锚定在N掺杂碳纳米纤维上(以下简称Ru@N-CNFs),采用一种可行且可扩展的“酚醛树脂桥接”策略。光谱学分析和密度泛函理论计算均表明,这种整流接触可以诱导电子从Ru到掺杂N的碳纳米纤维的自发转移,产生内置电场,从而极大地提高电荷转移效率和HER的本征活性。此外,Ru纳米团簇在衬底上的无缝固定可以防止活性位点的不利迁移、粗化和脱离,具有良好的结构稳定性。因此,精心设计的Ru@N-CNFs具有突出的pH-universal HER性能,在10 mA cm−2下具有16和17 mV的小过电位,在酸性和碱性电解质中分别具有31.8和28.5 mV dec−1的低Tafel斜率,这优于最先进的商业Pt/C和Ru/C基准。
结果与讨论
图1 Ru@N-CNFs的制备原理图。
如图1所示,Ru@N-CNFs的主要合成过程主要包括以下三个步骤:1)自催化醛醇缩合制备酚醛树脂纳米纤维(PR NFs)作为中间模板,2)通过静电吸引在形成的PR NFs上吸附Ru3+, 3) Ru3+修饰的PR NFs原位裂解成超细Ru纳米团簇固定在n掺杂碳纳米纤维(N-CNFs)上。
图2 制备时的形态特征Ru@N-CNFs。a,b) SEM图像,c) TEM图像,d,e) AC HAADF-STEM图像,f)原子分辨率AC HAADF-STEM图像,g) HAADF-STEM图像和元素映射图像。(面板插图(d): Ru纳米团簇的尺寸分布。)
扫描电镜(SEM)图像显示(图2a,b),合成的Ru@N-CNFs仍能保持单向随机取向的纤维结构,形成相互交织的网络,为电催化的质量扩散和电荷转移提供了有效途径。碳化处理后的Ru@N-CNFs具有良好的形貌保留,力学强度突出。根据上述SEM结果,典型的透射电镜(TEM)图像(图2c)进一步证明了Ru@N-CNFs的纳米纤维结构缠绕在一起,平均直径≈25 nm。从像差校正的高角度环形暗场扫描透射电镜(AC HAADF-STEM)图像(图2d)观察到,N-CNFs骨架上均匀分布着大量平均大小为1.8 nm的Ru纳米团簇。Ru纳米团簇在碳基板上的原位生长使它们之间的无缝接触,牢固地稳定了活性组分,并显著提高了机械鲁棒性。放大AC HAADF-STEM图像的强烈亮度对比(图2e)进一步表明,在制备好的Ru@N-CNFs中存在大量纳米孔,这些纳米孔可能是由有机前体炭化和分解产生的。这些纳米孔有利于电催化HER过程中的电解质渗透和气体释放。从原子分辨率AC HAADF-STEM图像(图2f)可以看出,条纹间距为0.206 nm的高分辨晶格条纹对应于六边形Ru的(101)平面。HAADF-STEM和能量色散x射线光谱映射图像(图2g)显示了整个Ru@N-CNFs中C、N和Ru元素的均匀分布。
图3 合成的成分和表面化学Ru@N-CNFs。a) XRD图谱,b) Ru 3p XPS谱,c) UPS谱,d,e) Ru与N-CNFs纠偏接触前后能带图,f) Ru与N-CNFs内部电场示意图。
为了进一步确认Ru/N-CNFs异质界面上的自驱动电子转移,通过紫外光电子能谱(UPS)确定了N-CNFs的能带(图3c),计算得到N-CNFs的功函数值为4.87 eV(图3d),大于金属Ru的功函数值(4.71 eV)。Ru和N-CNFs之间的能带差满足产生肖特基势垒的要求。因此,当金属Ru与半导体N-CNF发生整流接触时,Ru的电子会自发地转移到N-CNF上,直到两侧的费米能级达到平衡,形成肖特基势垒(图3e)。在异质界面上的自驱动电子重分布导致产生内置电场和定向电子流(图3f),有利于加快电催化HER过程。
性能测试
图4 不同催化剂在a-c)酸性和d-f)碱性电解质中HER性能的比较。a,d) LSV曲线,b,e) Tafel斜率,c,f) Ru@N-CNFs在2000个周期前后的LSV极化曲线。(图(c)和(f)的插图:分别为44 mV和47 mV等过电位时的计时电位曲线。)
LSV极化曲线(图4a)表明,与商业Pt/C和Ru/C催化剂相比,Ru@N-CNFs具有最好的HER活性和最低的过电位,支持了构建肖特基异质结用于HER的优越性。为了实现10 mA cm−2的电流密度,Ru@N-CNFs只需要16 mV的过电位,这显然小于商用Pt/C (22 mV)和商用Ru/C (152 mV)。即使在100 mA cm−2,Ru@N-CNFs的过电位也被识别为75 mV,明显超过了商用Pt/C (98 mV)和商用Ru/C (251 mV)。 此外,我们还测定了Ru@N-CNFs在1.0 m n2饱和KOH溶液中的HER活性。从图4d的LSV曲线中可以看出,标准的Ru@N-CNFs期望表现出最出色的HER特性,其过电位为17 mV,可提供10 mA cm−2的电流密度,而商用Pt/C和商用Ru/C显然分别需要更大的37和75 mV的过电位。此外,在电流密度为100 mA cm−2时,Ru@N-CNFs的过电位被确定为59 mV,这也明显低于商业Pt/C (173 mV)和商业Ru/C (218 mV)。
图5用DFT计算研究Ru@N-CNFs中Mott-Schottky效应的机理。a) Ru与NC异质界面电荷密度差,b) Ru与N-CNFs电荷转移示意图,c) Bader电荷分析,d) DOSs分布,e) Ru与Ru@NC上H原子吸附模型,f) ΔGH*图。
为了揭示精心设计的Ru@N-CNFs中的Mott-Schottky效应,进行DFT计算,以阐明潜在的电催化基础。Bader电荷分析(图5c)进一步验证了N掺杂碳中Ru原子的负电荷和N原子的正电荷,再次表明Ru位在形成Ru@NC异质结时发生了电子修饰。从态电子密度(DOSs,图5d)可以看出,Ru@NC异质结中Ru位的d带中心比原始Ru更接近费米能级,表明在HER过程中肖特基异质结的电荷转移速度更快。ΔGH*图(图5f)表明,Ru@NC异质结构的ΔGH*值为−0.11 eV,明显小于原始Ru的ΔGH*值(−0.39 eV)。这一发现证实了Ru@NC肖特基异质结的建立在能量上有利于电催化HER的加速。综上所述,DFT计算证明,Ru@NC肖特基异质结的形成可以显著地诱导界面处电子态的重新配置,提高电荷转移效率,降低反应能垒,从而具有良好的HER性能。
结论
总之,开发了一种复杂的“酚醛树脂桥接”方法,用于在N掺杂碳纳米纤维上原位生长均匀的超细Ru纳米团簇,用于在宽pH范围内高效的电化学制氢。系统的实验分析和DFT计算表明,Ru纳米团簇与N-CNFs之间的整流接触,根据Mott-Schottky效应,可以触发自驱动电荷重构,并在异质界面处形成内部电场,加快电荷转移速率,降低H*吸附自由能,从而促进HER的本征活性。此外,Ru纳米团簇与N-CNFs的无缝连接可以防止活性位点的不利迁移、粗化和分离,从而获得良好的结构稳定性。因此,合成的Ru@N-CNFs表现出突出的HER性能,其过电位为16和17 mV,可提供10 mA cm−2的电流密度,较小的Tafel斜率为31.8和28.5 mV dec−1,并且在酸性和碱性介质中分别具有17和24 h的长期稳定性。本文提出的Mott-Schottky效应的电子修饰概念,可能为未来各种储能和转换装置的电催化剂设计开辟新的视角。
参考文献
Zhou, G., Zhang, S., Zhu, Y., Li, J., Sun, K., Pang, H., Zhang, M., Tang, Y., Xu, L., Manipulating the Rectifying Contact between Ultrafine Ru Nanoclusters and N-Doped Carbon Nanofibers for High-Efficiency pH-Universal Electrocatalytic Hydrogen Evolution. Small 2023, 19, 2206781.
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