国产第三代半导体原厂上市即遭大厂诉讼,产业前景如何解读?
电子发烧友网(文/梁浩斌)最近国内的首个第三代半导体芯片原厂提出了在港交所IPO上市的申请,不出意外的话将会获得成功上市。这对于国内众多三代半的功率器件的相关厂商来说算是个好消息。不过,随之而来是国际大厂对其提出了专利诉讼,也让行业人士和投资界产生了很大的担忧。对此,电子发烧友网连线了国内从事功率器件渠道分销的资深专业人士——深圳飞捷士科技总经理杨宝林,听取他的专业的意见和看法。以下是连线采访的内容。
电子发烧友网:最近看到有人评论英飞凌起诉英诺赛科的事件,表示“不能说侵权了,只能说一模一样”,作为一个业内人士,您对这件事是怎么看的?杨宝林: 氮化镓并不是一项全新的技术。早在上世纪90年代,它就已开始应用,成本较高问题,早期更多应用是在射频军工领域。近些年英诺赛科把价格做下来,发展比较迅速。此次能被国际大厂起诉,表明中国芯已经崛起,这个不是英飞凌第一次起诉,未来还会有更多类似案件!
电子发烧友网:功率GaN全球市占第一的英诺赛科在海外被EPC、英飞凌连番起诉,对国内GaN厂商的规划布局有没有影响?比如出海或是专利方面的审查。
杨宝林: 英诺赛科在PD领域用了短短几年时间,成为了PD领域的领头羊,营业额超过国际大厂,国际大厂会持续的拦截阻碍国产的发展,不过从长期来看,这个市场肯定是属于中国的。时间问题而已。
电子发烧友网:功率GaN从市占率的情况来看,国内外企业的差距不大,不过即使是市占第一的英诺赛科在营销上依然要宣传对标或兼容海外EPC等厂商,这是否说明目前器件的技术上国内企业还是明显落后于海外厂商?
杨宝林: 从技术层面来看,国际大厂应该还是领先的,但从运营成本,市场应用推广来看国内应该是“遥遥领先”!得市场得天下。英飞凌采用E MODE工艺,能华氮矽等采用的是D-Mode设计;Transphorm、PI、TI、Nexperia、镓未来,以及大连芯冠等采用的是D-Mode设计。在国内能华半导体采用的是自研设备和外延片,我认为专利问题应该是困扰不到像能华半导体这类企业。
电子发烧友网:今年功率GaN市场相比去年有哪些亮点?去年看到不少GaN厂商想打入汽车领域,比如OBC、充电桩等,现在这些市场发展情况怎样?
杨宝林: 国内这些年氮化镓原厂雨后春笋一样,但真正的IDM只有英诺,能华,润芯等,其他大部分都是fabless。功率器件的特点做到最后就是杀价格、拼成本。对国际大厂主要玩家而言,像松下、英飞凌、GaN Systems(被英飞凌收购)、EPC、GaN Power、Navitas、Transphorm(被瑞萨收购)、PI、TI、Nexperia因为成本问题,没办法和国内竞争。
英诺赛科在PD已经取得了不错的成绩。苏州能华在射频、LED和适配器等领域也大放异彩,家电领域均有布局,最近我们看到苏州能华半导体发表1200V GaN相关最新成果!这个标志着他们在汽车领域,工业领域均有布局。未来一旦技术成熟,我们中国芯将迎来井喷式发展!
电子发烧友网:作为一个功率器件行业的老兵,杨总在经历了过去二十年的国际厂商到国内原厂的渠道经验,最大的感想是什么?
杨宝林: 我们过去20年都是享受到了时代的红利,国际大厂也从躺着赚钱变成要坐着赚钱。国内芯片厂已经崛起,国内市场越来越成熟,国内不论代理,还是贸易模式,又或者原厂,参照国际发展趋势,大部分都是会淘汰的,就功率器件而言,欧洲英飞凌,美国安森美,他们做的是全球的生意,中国起码几十上百家,还是内循环。我们要做好准备迎接形势的变化。
电子发烧友网:最后,问一个最近很热的芯片出海的话题,我们看到杨总也有走出国门去东南亚电子制造热门的地方考察,您认为芯片出海咱们中国芯片厂商有机会走出去吗?走出去的过程要注意什么?
杨宝林: 中国芯出海是我们国内电子从业者的一个出路,我也多次出去考察,也开始在筹划海外销售体系。走出去更多的问题还是要熟悉当地法律,还有就是东南亚比较分散,管理问题也是比较有挑战性的。
电子发烧友网:好的,感谢杨总抽出宝贵时间接受我们的专访。期待后面有机会就更多话题向您请教。
杨宝林: 不客气,后面有机会一起探讨。
香港正建设首条第三代半导体生产线
7月30日,香港科技园公司联合麻省光子技术(MassPhoton)举行香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼”。
”第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼“现场照片香港特别行政区政府新闻公报
麻省光子创始人兼首席执行官廖翊韬表示,将在香港投资2亿港元(约合人民币1.86亿元),与香港政府资助的香港科技园(HKSTP)合作建立一条8英寸氮化镓外延片中试生产线,这是香港建设的首条下一代半导体材料氮化镓(GaN)晶圆生产线,目标是到2027年实现年产能10000片。
同时,麻省光子将在科学园建立香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心。
廖翊韬表示,麻省光子的目标是将其氮化镓晶圆应用于显示技术、汽车和数据中心等领域。另外,他们还计划在今年年底前再筹集1亿港元的资金。
观察者网心智观察所研究员潘攻愚认为,这些动作展示了香港本地半导体发展的独有特点,受限于厂房面积导致的规模化成本问题和人才聚集劣势,香港可以往niche市场特色工艺方面靠拢,医疗、工控、安防可以作为主要应用市场。香港还背靠大湾区产业集群的代理分销渠道优势,叠加独特的关税地位,在物流把控方面上也大有可为。
香港创新科技及工业局局长孙东在启动礼的致辞中提到,全球半导体产业正急速发展,规模预计在2030年可超过一万亿美元,潜力无限。
在半导体产业兴起的浪潮中,香港起步很早,出现过向万力半导体、晶门科技等芯片企业,而后受到土地资源限制,加上香港后来偏重于发展金融行业,对半导体行业采取了“不干预”政策,使得香港一度错失了半导体产业的良机。
当下,基于氮化镓的第三代半导体芯片产业,对香港来说,是一个实现弯道超车的机会。在相关技术演进和终端厂商的联合推动下,氮化镓的应用场景也在不断扩展,近期国内外厂商纷纷布局相关技术。而氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键,能够优化产品性能,提升稳定性,为行业带来革命性突破。
处于大湾区核心位置的香港,不仅拥有地理位置优势,还背靠大湾区,有着产业集群和市场化优势,拥有着成为全球半导体供应链和价值链关键枢纽的巨大潜力。
此外,由于美国的出口限制,我国获取芯片制造设备的渠道受到限制,自主发展半导体产业也是时势所趋。
香港立法会于5月批准拨款28.4亿港元,用于政府建立半导体研究中心。香港科技园公司7月26日表示,计划在元朗创新园设立的微电子中心预计将于今年投入运营。
元朗创新园微电子中心香港科技园公司官网
去年10月份,香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体(上海)有限公司签署合作备忘录,在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心,并投资开设香港首间碳化硅(SiC)8寸先进垂直整合晶圆厂。杰平方向该项目投资69亿港元,并计划到2028年达到年产240000片晶圆的产能。旨在共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。
孙东在7月30日的启动礼上还表示,香港特区政府正以产业导向为原则,积极推进微电子产业发展。香港要因地制宜发展新质生产力,必须发挥好国际化优势和雄厚的科研实力,支持优势科技产业在港发展,而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。
孙东表示,麻省光子技术落户香港也将助力香港壮大创科人才库。廖翊韬带领的团队由世界各地的专家组成,除了为香港带来全球领先的前沿技术之外,更能汇聚环球微电子专业人才,促进技术交流。这也正好回应了三中全会提到支持香港打造国际高端人才集聚高地。
就在上周,廖翊韬表示:“我们对第三代半导体供应链的一致性充满信心。”他还补充说,“许多大陆碳化硅公司已经在全球处于行业领先地位。”
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