粤芯半导体取得横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法专利，可显著提升器件的击穿电压
金融界 2024 年 8 月 21 日消息，天眼查知识产权信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法“，授权公告号 CN118248554B，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一导电类型的第一漂移区和第二导电类型的体区；形成第一栅极结构和第一阻挡结构，其中，第一栅极结构形成在部分体区和部分第一漂移区的上方，体区还包括未被第一栅极结构覆盖的第一区域，第一漂移区还包括未被第一栅极结构覆盖的第二区域，第一阻挡结构形成在第一漂移区的第二区域的上方；执行离子注入工艺，部分离子注入体区的第一区域中以形成第二导电类型的体区接触区，部分离子通过第一阻挡结构后注入第一漂移区的第二区域中以形成第二导电类型的第一掺杂区。如此，可显著提升器件的击穿电压，且工艺简化。
本文源自金融界
华映科技：华映的MOx金属氧化物半导体（IGZO）技术 属于目前国内最先进氧化物器件技术
同花顺（300033）金融研究中心6月21日讯，有投资者向华映科技（000536）提问， 公司你好，目前国内面板主要是mini led和micro led为主要趋势，请问华映的是哪一类技术？
公司回答表示，尊敬的投资者，您好！公司子公司华佳彩拥有一条金属氧化物薄膜晶体管液晶显示器件（IGZO TFT-LCD）生产线,公司自主研发的MOx金属氧化物半导体（IGZO）技术，属于目前国内最先进氧化物器件技术。感谢您对公司的关注！
本文源自同花顺金融研究中心
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