新紫光集团报到，存储+先进工艺
7月11日，紫光集团宣布正式更名为“新紫光集团”，并发布了四大创新技术方向，分别为多元异构高效融合的新型智算集群系统解决方案、高端车规级芯片、6G与低轨道卫星通信芯片、面向后摩尔时代的半导体技术新赛道。
据悉，新紫光集团此前主要聚焦集成电路和数字科技等领域，涉及芯片设计、生产、封装、测试、设备等半导体产业链，以及ICT设备、云服务和数字化解决方案等领域，并将产业版图精细地划分为移动通讯、存储、汽车电子与智能芯片、材料与器件、信息通信基础设施、信创与云服务、高可靠芯片、金融及其他板块。
随着新品牌的发布，新紫光集团的业务板块亦再次扩容。例如在新业务布局方面，新紫光集团已成立了紫光智行、紫光智算、紫光闪芯、新紫光半导体等新公司，分别面向汽车电子、人工智能、存储、先进工艺等领域。
在人工智能AI、5G、大数据、云计算等产业的驱动下，数据存储需求激增，不仅促进了HBM存储的需求，同时也让基于闪存介质的SSD全闪存阵列成为高性能存储系统首选。为进一步强化存储产业阵容，新紫光于今年正式成立了紫光闪芯科技（成都）有限公司（以下简称“紫光闪芯”）。
天眼查信息显示，紫光闪芯成立于2024年2月，注册资本1亿元，由西藏紫光存储信息技术有限公司100%持股。据官方介绍，紫光闪芯核心业务为SSD固态硬盘及闪存产品，产品系列包括企业级固态硬盘、消费级固态硬盘、移动闪存产品及嵌入式闪存等。
今年5月，成立仅3个月的紫光闪芯便正式发布了“紫光闪存”固态硬盘及闪存产品系列，涵盖面向数据中心的企业级固态硬盘、面向个人电脑市场的消费级固态硬盘、面向零售市场的移动闪存产品以及面向工业级市场的嵌入式eMMC、UFS产品等，主要满足企业级、工业级及消费级市场的不同需求。
图片来源：紫光闪芯官微
目前，新紫光集团在存储领域的布局已经涉及内存和闪存业务，并且拥有紫光西部数据、紫光数据存储和西安紫光国芯等企业，业务覆盖DRAM存储器、大数据存储解决方案等领域。
其中，紫光西部数据于2016年由紫光股份和西部数据共同成立，分别持股51%和49%，在核心存储技术、企业级存储解决方案、以及大数据全产业链服务等领域形成关键战略合作。紫光数据存储则于2023年12月正式组建，是新紫光集团云服务和数字化解决方案领域存储业务板块的重要成员。
西安紫光国芯成立于2006年，目前其核心业务涵盖标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，并形成了包括DRAM KGD、DRAM存储芯片、SeDRAM和存储控制芯片、模组和系统产品、以及设计开发服务在内的多元化业务矩阵。今年7月1日，西安紫光国芯正式登陆新三板，开启进入资本市场的新篇章。
存储业务是新紫光集团八大核心业务板块之一，未来，在紫光芯闪、西安紫光国芯等企业的合力发展下，新紫光集团在内存和闪存领域的业务也有望进一步扩大。
先进工艺技术加速突破
成都新紫光半导体科技有限公司（原名成都紫光半导体科技有限公司）成立于2022年10月，注册资本2.5亿元，不仅是新紫光集团独立设置的全资子公司，也是新紫光集团在半导体技术研发的重要一环。
据官网资料显示，新紫光半导体聚焦集成电路芯片设计领域，业务涵盖智能安全芯片、半导体功率器件及超稳晶体频率器件等方面，主要瞄准集成电路先进制造技术以及各类特色工艺，面向商业应用开发各类工艺技术。
图片来源：拍信网
目前，新紫光半导体的核心技术涵盖28nm、40nm以及55nm工艺。其中28纳米低功耗工艺目标产品广泛应用于智能手机、智能电视、机顶盒、车用电子、消费型电子、互联网芯片等；40纳米工艺引进浸润式光刻机及应变硅技术 ，相较于55纳米工艺实现更高的整合度，效能增加幅度约20%，操作功耗减少约30%，目标产品广泛应用于消费电子及无线通信等领域；55纳米低功耗则采用业界标准的1.2V核心器件电压以及输入/输出电压为1.8V，2.5V和3.3V的组件，目标产品广泛应用于车用电子，移动装置与无线应用上。
据新紫光集团联席总裁陈杰介绍，未来，新紫光集团将在多个硬科技领域进行布局。除了探索新型的“存算-算网”一体化架构，打造满足下一代智算中心的集群解决方案外，新紫光集团还将聚焦第二代III-V族化合物半导体、碳纳米管、3D堆叠、异质集成、Chiplet封装等前沿研究，推动先进工艺加速突破。
“不破楼兰终不还”，紫光总投资300亿美元的南京存储器项目正式开工
2月12日，总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工。这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后，在存储器领域投资建设的新一个重大项目。项目达产后，将有力支撑我国在主流存储器领域的发展。
一期投资100亿美元，主要生产3D NAND与DRAM
紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。除投资额高达300亿美元的芯片工厂建设以外，紫光集团还将投资约300亿元人民币建设配套的IC国际城，包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施。
对此，紫光集团董事长赵伟国表示：“紫光肩负国家使命，要以在全球半导体领域为中国产业实现突破和崛起为己任，以‘不破楼兰终不还’的坚强决心，踏实努力做好中国自己的半导体产业。”
紫光集团重点发展存储器产业。2016年7月，紫光集团与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资的长江存储科技有限责任公司宣布成立;12月份，长江存储的生产3D NAND Flash 产品的厂房动土，项目总投资金额约 240 亿美元，预期将于 2018 年完成建厂投产、2020 年完成整个项目，总产能将达到一个月30 万片。
有媒体称，相关技术来源是源自现已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)的合作，传闻双方目标在 2017 年或 2018 年初推出 32 层堆叠 3D NAND Flash。不过，长江存储日前发布新闻稿澄清，从未发布过32层3D NAND Flash 量产的消息。
三星、海力士同时扩产，挤压中国存储发展空间
作为通用集成电路之一，存储器在电子产品中的作用极为重要，中国发展存储产业非常必要。除紫光/长江存储之外，2016年福建晋华与联电签订技术合作协定，由联电协助其生产利基型 DRAM。目前新建的 12英寸厂房已经动工，初步产能规划每月 6 万片，估计 2017 年年底完成技术开发，2018 年 9 月试产。合肥长鑫公司也在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂生产存储器。
全球存储产业已经高度集中，新力量进入并不容易。有消息称，SK海力士将在无锡启动第二工厂的建设，二期投资36亿美元，用于闪存产能的扩增; 三星电子也将在2017年～2018年大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约43.5亿美元。
在紫光投资南京和武汉的节点，三星、海力士同时扩大存储器的投资，争抢未来市场的动机明显。中国存储器厂商未来的竞争将会面临更大的挑战。与国际大厂相比，中国新进入的存储厂商无论在技术、市场、人才等方面都处于劣势。
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