芯趋势丨第三代半导体碳化硅，2023年逆势狂奔

虽然不同细分产业有差异化表现，但整体看，2023年是半导体市场承压和库存整理的年份。但其中也有明显逆势而上的产业——碳化硅（SiC）市场。

作为新兴化合物半导体中的一类，碳化硅市场由于特斯拉的率先应用，正加速在新能源汽车中验证上车。近两年来也是全球碳化硅巨头积极扩产、进行收并购和开拓合作的年份。

扩产和市场落地火热也快速体现在相关公司业绩中。无论是国际巨头还是国内A股上市公司，2023年与碳化硅相关的业绩都出现了较快成长态势。

相比于第一代半导体硅，被称为第三代半导体的碳化硅发展处在相对早期，因此相关投融资也尤为频繁。据第三方机构集邦化合物半导体不完全统计，2023年SiC全产业链发生了上百次融资事件，并有多家厂商在年内完成了两轮甚至多轮融资。

当前碳化硅应用落地还面临一定挑战，产品性能、应用成本、大规模量产等都是重要命题。正如率先采用碳化硅功率器件的特斯拉，在2023年宣布将大幅减少碳化硅用量，显示出其应用落地还有很大提升空间。

产业链已在对此进行思考和探索，而当下虽然全球都在积极扩产和推进技术沿革，未来产业走向整合也将是必然。由此，目前阶段的产品演进和产业链间密切联合正成为主要趋势。

国内产业链火热

碳化硅市场的火热发展和加速落地结果，正体现在A股上市公司业绩中。

国内头部碳化硅衬底材料供应商天岳先进（688234.SH）近期公告显示，预计2023年公司实现归属母公司的扣除非经常性损益后净利润为-1.35亿元至-9600万元，同比将增加47.77%~62.86% ，即增加1.23~1.62亿元。

公告指出，业绩变化源于年内受益于碳化硅在下游新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的渗透应用，碳化硅半导体整体市场规模不断扩大。 2023年公司上海临港智慧工厂开启产品交付；导电型产品产能产量持续提升，产品交付能力增强。

碳化硅相关芯片和模块产品供应商芯联集成（688469.SH）公告显示，预计2023年实现营业收入约53.25亿元，同比增长约15.60% ；年内归属于母公司所有者的扣非净利润约为-22.92亿元，同比将增亏约8.89亿元。

当然增亏背后与该公司正处在快速推进研发和扩产动作有关。公告显示，年内预计产生折旧及摊销费用约34.71亿元，同比增加约13.90亿元。由此对期内经营业绩产生较大影响。

对于碳化硅业务，公司大幅增加了对SiC MOSFET、12 英寸产品方向的研发力度。期内公司在12英寸产线、SiC MOSFET产线、模组封测产线等方面进行了大量战略规划和项目布局。

该公司指出，随着新增产能逐步释放，收入水平快速提升，规模效应逐步显现，以及折旧逐步消化，盈利能力将快速改善。预计车规级产品营业收入将持续增加，特别是SiC MOSFET上车速度与数量将快速提升 ，2024年SiC业务营收预计将超10亿元 。

1月30日，芯联集成还宣布与蔚来（纽交所: NIO) 签署碳化硅模块产品生产供货协议，其将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的生产供应商。

设备方面，碳化硅（SiC）金刚线切片机厂商高测股份（688556.SH）和SiC长晶设备企业晶升股份（688478.SH）均预计2023年业绩有较大幅度增长。

公告显示，高测股份预计2023年实现归属于母公司扣除非经常性损益的净利润为 14-14.6亿元，同比增加86.61%~94.61% 。其中2023年公司碳化硅金刚线切片机订单规模大幅增长，市场渗透率快速提升。

晶升股份公告指出，预计2023年度归母扣非净利润为4100~4900万元，同比增加80.52%~115.74% 。业绩增长原因在于年内下游市场快速发展，公司积极丰富产品序列及应用领域，销售规模不断扩大，同时运营效率得到有效提升。据悉，在6英寸向8英寸转型升级趋势下，晶升股份正积极推动8英寸SiC单晶炉的成熟及推广应用，其8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过客户批量验证。

上市公司业绩只是一个切面，作为正在快速发展的新兴市场，投融资方面的动作也很积极。

集邦化合物半导体统计指出，从融资轮次来看，众多SiC相关厂商在2023年完成的大多数是天使轮、A轮以及B轮融资。 一方面，这与SiC产业仍处于发展初期阶段有关；另一方面，很多公司是过去一年内在SiC产业风口下新成立的初创企业。

从产业链环节看，材料、器件、设备均为SiC产业投资热点。而随着iC功率器件加速上车，各大车企也积极参与相关厂商融资 ，以期与各大SiC器件厂商形成更加深度地捆绑，在产品方面掌握更多主动权与话语权。

回顾2023年，从时间分布看，1月、2月、11月、12月均发生了接近或超过10次融资，年初和年尾SiC产业融资最火热。其中积塔半导体不仅是在4月和9月各完成一轮融资的唯一厂商，也贡献了2023年SiC产业单笔最高融资额135亿元。

海外大厂频牵手

目前碳化硅衬底材料和功率模块方面，海外厂商都占据着较大市场份额。对于这些厂商来说，当前对碳化硅的抢位将是全方位的。因此频繁扩产、推进更高规格产品量产落地、与下游积极牵手联合等都是关键词。

近日举行的业绩交流会上，意法半导体CEO Jean-Marc Chery介绍道，2023年在碳化硅方面，公司继续提高在卡塔尼亚和新加坡工厂的前端设备生产，并提高了在摩洛哥和中国工厂的后端制造能力。此外还在卡塔尼亚启动了新的一体化碳化硅衬底制造设施生产，这是其碳化硅垂直整合战略的重要一步。当年内，意法半导体宣布与三安光电合资，在重庆推进200mm碳化硅器件大规模制造，预计将在2025年第四季度开始生产。

“这些都是进一步扩大（意法半导体）全球碳化硅制造运营的重要举措。驱动我们到2030年碳化硅相关年收入将超过50亿美元。 ”Jean-Marc Chery如此表示。

在2023年，意法半导体实现碳化硅相关收入11.4亿美元，同比增长60%以上；预计2024年碳化硅收入为15-16亿美元，目标是2025年收入达到20亿美元。根据公司预期，其客户集中度也将下降。

意法半导体与三安光电的合作，也被认为是面向国内庞大市场在积极进行部署应对的一个动作。 此前该公司主要为特斯拉供应碳化硅相关器件，也助推其在碳化硅器件市场份额领先。该介绍，其在全球碳化硅MOSFET市场份额已超50%。

近期意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平接受21世纪经济报道记者专访时还表示，公司还在不断迭代优化碳化硅工艺技术，改善碳化硅产品性能、扩展性、可靠性，持续提升产能，以满足更高的质量要求和其他不断增长的市场需求。

另一全球功率器件龙头英飞凌也在积极对外“牵手”。1月23日，英飞凌与全球碳化硅衬底材料巨头Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm SiC晶圆供应协议。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议，将有助于保证英飞凌供应链稳定，同时满足多领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。

近期，英飞凌已先后与储能领域头部公司盛弘电气、SiC晶圆供应商SK Siltron CSS、国内车载电源厂商富特科技等达成合作。英飞凌将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC等产品。与富特科技则旨在加强双方对车载电源领域半导体技术的深度合作。

碳化硅的挑战

如火如荼发展的碳化硅当然也非一帆风顺。在2023年初，率先采用碳化硅相关功率器件的特斯拉掌门人马斯克突然宣布将大幅减少75%对碳化硅的用量，曾一度引发海外相关公司股价大幅波动。

虽然目前并未显现出太大影响，但这无疑显示出碳化硅的应用落地还面临着成本偏高的难题，且存在供不应求问题。此外，电机革新、电驱系统改进、封装技术创新等都是努力方向。

因此业内人士普遍认为，碳化硅功率器件对硅基功率器件的影响将是部分的，而非完全替代，将视具体应用场景对功率、高压等具体需求而定。比如一些采用车用碳化硅逆变器，一些则采用车用硅基IGBT逆变器。

这意味着要加速应用落地，碳化硅产业链目前要面临的挑战就是快速提高产量、提升应用效率并降低应用成本，不过此前已有业内人士对21世纪经济报道记者表示，应用碳化硅功率器件其实已经可以系统性降低应用成本，也即对整车的节能等效果带来裨益。

对此，曹志平则对21世纪经济报道记者表示，“降低制造成本、提高产品性能，这两点需要我们持续改进和优化。 今后三年，我们有三个工作重点：第一，将生产线升级到8英寸晶圆；第二，落实碳化硅供应链垂直整合策略，包括正在卡塔尼亚工厂建造的碳化硅衬底综合厂，将碳化硅衬底内部供应量占比提升到40%；第三，与Soitec合作在8英寸晶圆上采用SmartSiC技术。”

另一重挑战则是产业发展到一定阶段将会走向整合期。目前全球各地都在积极推进碳化硅产业链建厂和投资等事宜，某种程度上出现过热迹象。待一段时间后，产业间必然将出现公司过多而进行收并购的趋势。届时核心考验的是目前碳化硅入局者们的研发、应用和落地进程。

在2023年初，就有业内人士直言：第三代半导体不需要那么多玩家，不排除未来会走类似LED产业的发展沿革路线。

虽然目前看起来有些遥远，但眼下与产业链的积极牵手合作、推进先进能力研发，就成为重要的发展命题。

更多内容请下载21财经APP

揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿市场空间 智东西内参

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。

本期的智能内参，我们推荐安信证券的报告《市场空间巨大，SiC 国产化趋势加速》，从的市场前景、行业玩家和发展趋势分析碳化硅的国产化趋势。

来源 中信建投

原标题：

《市场空间巨大，SiC 国产化趋势加速》

作者： 马良

一、 性能突出，宽禁带半导体核心材料

第一代半导体主要有硅和锗，由于硅的自然储量大、制备工艺简单，硅成为制造半导体产品的主要原材料，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是，第一代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。

砷化镓是第二代半导体材料的代表，较高的电子迁移率使其应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的核心材料。但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性，无法在高温、高频、高功率器件领域推广。

第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。

三代半导体材料的指标参数对比

SiC 具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积。碳化硅的禁带宽度大约为 3.2eV，硅的宽带宽度为 1.12eV，大约为碳化硅禁带宽度的 1/3，这也就说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。

此外，碳化硅的热导率大幅高于其他材料，从 而使得碳化硅器件可在较高的温度下运行，其工作温度高达 600℃，而硅器件的极限温度仅为 300℃；另一方面，高热导率有助于器件快速降温，从而下游企业可简化器件终端的冷却系统，使得器件轻量化。根据 CREE 的数据，相同规格的碳化硅基 MOSFET 尺寸仅为硅基MOSFET 的 1/10。

同时，碳化硅具有较高的能量转换效率，且不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的 10 倍，相同规格的碳化硅基 MOSFET 总能量损耗仅为硅基 IGBT 的 30%。碳化硅材料将在高温、高频、高频领域逐步替代硅，在 5G 通信、航空航天、新能源汽车、智能电网领域发挥重要作用。

碳化硅产业链可分为三个环节：碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场，通常采用物理气相传输法（PVT 法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD 法）生成外延片，最后制成器件。在 SiC 器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底（占比 50% 左右） 。

碳化硅衬底的产业链

碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底：指电阻率高于 105Ω·cm 的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展 5G 技术推动碳化硅衬底需求释放。

导电型碳化硅衬底：指电阻率在 15~30mΩ·cm 的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，功率器件是电力电子变换装置核心器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。汽车电动化趋势利好 SiC发展。

碳化硅应用场景根据产品类型划分：

1、射频器件 ：射频器件是在无线通信领域负责信号转换的部件，如功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器等。碳化硅基氮化镓射频器件具有热导率高、高频率、高功率等优点，相较于传统的硅基 LDMOS 器件，其可以更好地适应 5G 通信基站、雷达应用等领域低能耗、高效率要求。

2、功率器件 ：又称电力电子器件，主要应用于电力设备电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，有功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。碳化硅基碳化硅器件在 1000V 以上的中高压领域有深远影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。

3、新能源汽车 ：电动汽车系统涉及功率半导体应用的组件有电机驱动系统、车载充电系统（On-board charger，OBC）、车载 DC/DC 及非车载充电桩。其中，电动车逆变器市场碳化硅功率器件应用最多，碳化硅模块的使用使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长。目前，国内外车企均积极布局碳化硅器件应用，以优化电动汽车性能，特斯拉、比亚迪、丰田等车企均开始采用碳化硅器件。随着碳化硅功率器件的生产成本降低，碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。

4、光伏发电 ：目前，光伏逆变器龙头企业已采用碳化硅 MOSFET 功率器件替代硅器件。根据中商情报网数据，使用碳化硅功率器件可使转换效率从 96%提高至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，从而带来成本低、效能高的好处。

5、智能电网 ：国家大力发展新基建，特高压输电工程对碳化硅功率器件具有重大需求。其在智能电网中的主要应用场景包括：高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置。相比其他电力电子装置，电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性，并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势，在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革。

6、轨道交通 ：轨道交通对其牵引变流器、辅助变流器、主辅一体变流器、电力电子变压器、电源充电机等装置

7、射频通信 ：碳化硅基氮化镓射频器件同时具备碳化硅的高导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够满足 5G 通讯对高频性能和高功率处理能力的要求，逐步成为 5G功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技术路线。

二、 碳化硅市场前景

自 1955 年菲力浦实验室的 Lely 首次在实验室成功制备碳化硅单晶以来，在随后的 60 余年中，美国、欧洲、日本等发达国家与地区的科研院所与企业不断创新和改良碳化硅单晶的制备技术与设备，在碳化硅单晶晶体及晶片技术与产业化领域形成了较大优势。

碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域已实现成熟应用。伴随新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，功率器件的使用需求大幅增加。根据 IC Insights《2019 年光电子、传感器、分立器件市场分析与预测报告》， 2018 年全球功率器件的销售额增长率为 14%，达到 163 亿美元。未来，随着碳化硅和氮化镓功率器件的加速发展，全球功率器件的销售额预计将持续保持增长。预计 2018 至 2023 年期间，全球功率器件的销售额复合年增长率达到 3.3%，2023 年全球功率器件收入将达到 192 亿美元。

根据 IHSMarkit 数据，2018 年碳化硅功率器件市场规模约 3.9 亿美元，受新能源汽车庞大需求的驱动，以及电力设备等领域的带动，预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元，碳化硅衬底的市场需求也将大幅增长。

碳化硅功率器件市场规模测算

新能源汽车行业是市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势逐步清晰化。随着新能源汽车的发展，对功率器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的增长点。

新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度。

美国特斯拉公司的 Model 3 车型采用以 24 个碳化硅 MOSFET 为功率模块的逆变器，是第一家在主逆变器中集成全碳化硅功率器件的汽车厂商；碳化硅器件应用于车载充电系统和电源转换系统，能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率，目前全球已有超过 20 家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件；碳化硅器件应用于新能源汽车充电桩，可以减小充电桩体积，提高充电速度。SiC 在新能源汽车上的应用将在保证汽车的强度和安全性能的前提下大大减轻汽车的重量，有效提升电动车 10%以上的续航里程，减少80%的电控系统体积。

碳化硅在电动汽车中的应用

新能源汽车碳化硅功率器件市场规模推算：根据中国汽车工业协会数据，我国新能源汽车销量由 2015 年的 33.1 万辆增至 2019 年的 120.6 万辆，复合增长率达 38%，渗透率达到4.7%。 根据工信部发布的《新能源汽车产业发展规划（2021-2035 年）》，2025 年我国汽车销量有望达到 3000 万辆，其中新能源汽车占新车总销量 20%，新能源汽车销量有望达到 600 万辆。

据天科合达招股书披露，根据现有技术方案，每辆新能源汽车使用的功率器件价值约 700 美元到 1000 美元。粗略估计，我国 2025 年新能源汽车使用的功率器件市场达 42~60 亿美元。

2013-2020 年新能源汽车销量及增长率

2021 年新能源汽车产销量

在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆变器的未来发展趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中，碳化硅产品预计会逐渐替代硅基器件。

光伏逆变器中碳化硅功率器件占比预测

全球光伏装机量预测

轨道交通车辆呈现多样化发展，从运行状态上可分为干线机车、城市轨道车辆、高速列车，其中城市轨道车辆和高速列车是轨道交通未来发展的主要动力。轨道交通车辆中大量应用功率半导体器件，其牵引变流器、辅助变流器、主辅一体变流器、电力电子变压器、电源充电机都有使用碳化硅器件的需求。

轨道交通中碳化硅功率器件占比预测

其中，牵引变流器是机车大功率交流传动系统的核心装备，将碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器，能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特性，提高牵引变流器装置效率，符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装臵的应用需求，提升系统的整体效能。根据天科合达招股书，2012 年，包含碳化硅 SBD 的混合碳化硅功率模块在东京地铁银座线 37列车辆中商业化应用，实现了列车牵引系统节能效果的明显提升、电动机能量损耗的大幅下降和冷却单元的小型化；2014 年，日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电3300V/1500A 全碳化硅功率模块逆变器，开关损耗降低 55%、体积和重量减少 65%，电能损耗降低 20%至 36%。

半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。微波射频器件是实现信号发送和接收的基础部件，是无线通讯的核心，主要包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等器件，其中，功率放大器是放大射频信号的器件，直接决定移动终端和基站的无线通信距离、信号质量等关键参数。

根据 Yole 的预测，得益于 5G 基站建设和雷达下游市场的大量需求，用于氮化镓外延的半绝缘型碳化硅衬底市场规模取得较快增长，半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 16.58 万片增长至 2025 年的 43.84万片，期间复合增长率为 21.50%。

半绝缘型碳化硅衬底销量预测（万片）

随着全球 5G 通讯技术的发展和推广，5G 基站建设将为射频器件带来新的增长动力。5G 通讯高频、高速、高功率的特点对功率放大器的高频、高速以及功率性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备了碳化硅的高导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，突破了砷化镓和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能够满足 5G 通讯对高频性能和高功率处理能力的要求，碳化硅基氮化镓射频器件已逐步成为 5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技术路线。

据 Yole Development 预测，2025 年全球射频器件市场将超过 250 亿美元，其中射频功率放大器市场规模将从 2018 年的 60 亿美元增长到 2025 年的104 亿美元，而氮化镓射频器件在功率放大器中的渗透率将持续提高。随着 5G 市场对碳化硅基氮化镓器件需求的增长，半绝缘型碳化硅晶片的需求量也将大幅增长。

不同材料微波射频器件的应用范围对比

三、主要玩家，海外巨头垄断

碳化硅器件代工领域，国内企业有相当竞争力。中车时代电气建有 6 英寸双极器件、8 英寸IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术；华润微具备碳化硅功率器件制备技术。泰科天润是国内领先的碳化硅功率器件生产商，其在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在 4/6 英寸 SiC 晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。

目前泰科天润的碳化硅器件 650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A 等系列的产品已经投入批量生产，产品质量可以比肩国际同行业的先进水平。在 SiC 外延的研发和量产方面，我国也已紧跟世界一流水平，瀚天天成的产品已打入国际市场；我国 SiC IDM 主要有泰科天润、世纪金光、基本半导体、中电科 15 所、中电科 13所等。

衬底制备是碳化硅器件核心难点，也是成本高企的主要原因 。由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本较高，碳化硅底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素，限制了产品在下游行业的应用和推广。碳化硅价格昂贵，主要原因是其制造难度高。硅材料 72 小时可长出 2 米左右的晶体；但是碳化硅 144 小时生长出的晶体厚度只有 2-3 厘米，碳化硅长晶速度不到硅材料的百分之一。

其次，由于碳化硅硬度高（其硬度仅次于金刚石），对该材料进行光刻加工、切割都非常困难，损耗极大，将一个 3 厘米厚的晶锭切割 35-40 片需要花费 120 小时，远远慢于切割硅晶锭。另外，碳化硅生长环境温度远高于硅材料，硅的升华温度为 1400 度左右，而碳化硅的晶片生长需要 2000 度左右，这对炉管设备的要求更高。并且，SiC 的生长周期长，长出来晶锭的厚度较薄，控制良率难度高。

而随着尺寸的增大，碳化硅单晶扩径技术的要求越来越高。扩径技术需要综合考虑热场设计、扩径结构设计、晶体制备工艺设计等多方面的技术控制要素，最终实现晶体迭代扩径生长，从而获得直径达标的高质量籽晶，继而实现后续大尺寸将晶的连续生长。在最新技术研发储备上，行业领先者科锐公司和贰陆公司均已成功研发并投产 8 英寸产品，而国内公司在此方面较为落后。

目前导电型碳化硅衬底以 6 英寸为主，8 英寸衬底开始研发；半绝缘碳化硅衬底以 4 英寸为主，目前逐渐向 6 英寸衬底发展。6 英寸衬底面积为 4 英寸衬底的 2.25 倍，相同的晶体制备时间内衬底面积的倍数提升带来衬底成本的大幅降低。与此同时，单片衬底上制备的芯片数量随着衬底尺寸增大而增多，单位芯片的成本也即随之降低，因此碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展。

从产业格局看，全球碳化硅产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势 。其中美国全球独大，占有全球碳化硅产量的 70%~80%，碳化硅晶圆市场 CREE 一家市占率高达六成之多；欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，在全球电力电子市场拥有强大的话语权；日本是设备和模块开发方面的绝对领先者。

上世纪 90 年代初美国 CREE 公司已成功推出碳化硅晶片产品，90 年代末成功研制出 4 英寸碳化硅晶片，并于 2001 年成功研制首个商用碳化硅 SBD 产品。随着碳化硅衬底和器件制备技术的成熟和不断完善，以及下游应用的需求增长，国际碳化硅龙头企业在保持技术和市场占有率的情况下，不断加强产业布局，主要措施包括：继续扩大产能，根据 CREE 公司官网，2019 年 5 月 CREE 斥资 10 亿美元扩大碳化硅晶片生产能力；加强与上下游产业链的联合，通过合同、联盟或其他方式提前锁定订单（如 2018 年 CREE 相继与 Infineon、ST 等欧美主要第三代半导体下游企业签订长期供货协议）。整体来看，国际半导体龙头企业纷纷在碳化硅领域加速布局，一方面将推动碳化硅材料的市场渗透率加速，另一方面也初步奠定了未来几年第三代半导体领域的竞争格局。

全球碳化硅产业链主要公司

从全球碳化硅(SiC)衬底的企业经营情况来看，以 2018 年导电性碳化硅晶片厂商市场占有率为参考，美国 CREE 公司占龙头地位，市场份额达 62％，其次是美国 II-VI 公司，市场份额约为 16％。总体来看，在碳化硅市场中，美国厂商占据主要地位。

SiC 衬底市场情况

导电型碳化硅晶片厂商市场占有率

四、 国内企业持续布局，加强产品创新

第三代半导体材料是信息产业、5G 通讯、国防军工等战略领域的核心材料，近年来，国家出台一系列半导体产业鼓励政策，为国内企业提供政策及资金支持，以推动以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展。

SiC 行业是技术密集型行业，对研发人员操作经验、资金投入有较高要求。国际巨头半导体公司研发早于国内公司数十年，提前完成了技术积累工作。因此，国内企业存在人才匮乏、技术水平较低的困难，制约了半导体行业的产业化进程发展。而在碳化硅第三代半导体产业中，行业整体处于产业化初期，中国企业与海外企业的差距明显缩小。

受益于中国 5G 通讯、 新能源等新兴产业的技术水平、产业化规模的世界领先地位，国内碳化硅器件巨大的应用市场空间驱动上游半导体行业快速发展，国内碳化硅厂商具有自身优势。在全球半导体材料供应不足的背景下，国际龙头企业纷纷提出碳化硅产能扩张计划并保持高研发投入。同时，国内本土 SiC 厂家加速碳化硅领域布局，把握发展机会，追赶国际龙头企业。

国内厂商产品及产能情况

经过多年研发创新，国内部分公司已经掌握半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底的生产技术，并且其产品质量达到国际先进水平。SiC 衬底产品的核心技术参数包括直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度。

近年来，国内企业碳化硅衬底的制造工艺水平也不断提升。衬底良品率呈上升趋势，衬底良品率体现为单个半导体级晶棒经切片加工后产出合格衬底的占比，受晶棒质量、切割加工技术等多方面的影响。国内碳化硅衬底公司山东天岳，据公司招股书披露，核心生产环节的晶棒良品率由 2018 年的 41.00%上升至 2020 年的 50.73%，公司衬底良品率总体保持在70%以上，对公司产品质量的提升起到了明显的带动作用。

根据山东天岳招股书，半绝缘型碳化硅衬底市场，山东天岳在中国市场处于领先位置。根据 Yole 数据，2019-2020 年，在半绝缘型碳化硅衬底领域，天岳先进公司按销售额统计的市场份额均位列全球第三。目前，国内碳化硅半导体企业实现了设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测的全流程自主可控，有能力为下游外延器件厂商稳定提供高品质碳化硅晶片，加速碳化硅下游厂商实现进口替代。

在国家产业政策的支持和引导下，我国碳化硅晶片产业发展大幅提速。国内企业以技术驱动发展，深耕碳化硅晶片与晶体制造，逐步掌握了 2 英寸至 6 英寸碳化硅晶体和晶片的制造技术，打破了国内碳化硅晶片制造的技术空白并逐渐缩小与发达国家的技术差距。未来伴随我国新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等行业的快速发展，我国碳化硅材料产业规模和产业技术将得到进一步提升。

智东西 认为，碳化硅领域，特别是碳化硅的高端（高压高功率场景）器件领域，基本上仍掌握在西方国家手里，SiC产业呈现美、日、欧三足鼎立的竞争格局，前五大厂商份额约90%。但是，碳化硅和第三代半导体，在整个行业范围内仍然是在探索过程中发展，远未达到能够大规模替代第二代半导体的成熟产业地步，国产替代的潜力巨大。

相关问答

第三代半导体碳化硅龙头股-股票知识问答-我爱卡

[回答]第三代半导体碳化硅股票龙头有以下这类:1.三安光电。它的股票代码是:002617。2.露笑科技。它的股票代码是:600703。3.智光电气。它的股票代码是:002...

半导体和碳化硅有区别吗?

半导体和碳化硅有区别:一个是芯片,一个是晶片!硅基半导体、碳基半导体以及碳化硅晶片的区别:一、碳基芯片是热兵器,硅基芯片是冷兵器碳基半导...半导体和...

第三代半导体材料碳化硅，是概念还是大方向?

已经有碳化硅二极管生产和应用,过了炒概念阶段啦。碳化硅大功率器件与传统硅半导体器件相比有很多优点,大规模应用是必然趋势。已经有碳化硅二极管生产和应...

半导体碳化硅的生产流程?

高温煅烧后的炉料从外到内分别是:未反应料(在炉中起保温作用)、氧碳化硅羼(半反应料,主要成分是C与SiO。)、粘结物层(是粘结很紧的物料层,主要成分是C、SiO2、...

碳化硅半导体前十大企业排名?

碳化硅上市龙头公司有:三安光电:碳化硅龙头股。2020年半年报披露公司在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,项目正处...

第三代半导体碳化硅基材是晶圆吗?

1.是晶圆。2.第三代半导体碳化硅基材是晶圆,因为晶圆是指在半导体制造过程中用作基底的圆片状材料,而碳化硅基材正是用于制造半导体器件的一种常见材料。3...

半导体多晶硅和碳化硅有什么区别?

半导体多晶硅和碳化硅的区别如下:多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取...

碳化硅衬底和外延片的区别?

碳化硅衬底和外延片都是半导体器件制造中的重要材料,但它们在制备工艺、物理性质和用途等方面存在差异。1.制备工艺:碳化硅衬底一般是通过用丙烷氧化法在高...

谁能回答!报价90碳化硅都有哪些应用领域?求解答

[回答]报价1)智能电网目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重...

厂家80碳化硅都有哪些应用领域?感谢回答

[回答]厂家2)轨道交通轨道交通行业也是碳化硅功率器件主要指标应用行业之一。未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的...